FDMS86104

FDMS86104 onsemi


fdms86104-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 7A/16A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 923 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+68.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86104 onsemi

Description: ONSEMI - FDMS86104 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 73W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDMS86104 за ціною від 63.53 грн до 220.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS86104 FDMS86104 Виробник : ON Semiconductor fdms86104-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+89.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 FDMS86104 Виробник : ONSEMI 2304630.pdf Description: ONSEMI - FDMS86104 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+91.73 грн
500+82.89 грн
1500+75.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 FDMS86104 Виробник : ON Semiconductor fdms86104-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
133+98.28 грн
141+92.69 грн
142+91.76 грн
143+87.87 грн
250+80.81 грн
500+77.03 грн
Мінімальне замовлення: 133
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 FDMS86104 Виробник : ON Semiconductor fdms86104-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+98.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 FDMS86104 Виробник : ON Semiconductor fdms86104-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+105.30 грн
10+99.31 грн
25+98.31 грн
100+94.15 грн
250+86.58 грн
500+82.54 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 FDMS86104 Виробник : onsemi / Fairchild FDMS86104-D.pdf MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 7448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+112.20 грн
10+94.45 грн
100+70.90 грн
500+68.80 грн
1000+68.23 грн
3000+63.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 FDMS86104 Виробник : ON Semiconductor fdms86104-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
286+113.70 грн
500+109.37 грн
1000+103.09 грн
Мінімальне замовлення: 286
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 FDMS86104 Виробник : ON Semiconductor fdms86104-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+117.20 грн
500+113.13 грн
1000+112.11 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 FDMS86104 Виробник : ON Semiconductor fdms86104-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
107+122.46 грн
120+108.77 грн
139+93.99 грн
Мінімальне замовлення: 107
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 FDMS86104 Виробник : ONSEMI fdms86104-d.pdf Description: ONSEMI - FDMS86104 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+125.31 грн
50+106.47 грн
100+91.73 грн
500+82.89 грн
1500+75.82 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 FDMS86104 Виробник : ON Semiconductor fdms86104-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+129.84 грн
10+115.32 грн
100+99.65 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 FDMS86104 Виробник : ON Semiconductor fdms86104-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
93+140.46 грн
108+120.44 грн
109+119.82 грн
127+99.32 грн
250+89.54 грн
Мінімальне замовлення: 93
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 FDMS86104 Виробник : ON Semiconductor fdms86104-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
82+159.98 грн
Мінімальне замовлення: 82
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 FDMS86104 Виробник : ON Semiconductor fdms86104-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2885+159.98 грн
Мінімальне замовлення: 2885
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 FDMS86104 Виробник : ON Semiconductor fdms86104-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+161.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 FDMS86104 Виробник : ON Semiconductor fdms86104-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
77+168.92 грн
98+133.40 грн
126+103.92 грн
Мінімальне замовлення: 77
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 FDMS86104 Виробник : ON Semiconductor fdms86104-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
75+174.59 грн
95+137.92 грн
117+111.66 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 FDMS86104 Виробник : ON Semiconductor fdms86104jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
64+205.66 грн
89+147.52 грн
119+109.35 грн
500+84.97 грн
Мінімальне замовлення: 64
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 FDMS86104 Виробник : onsemi fdms86104-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7A/16A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 923 pF @ 50 V
на замовлення 10710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+220.34 грн
10+137.80 грн
100+95.65 грн
500+76.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 FDMS86104 Виробник : ON Semiconductor fdms86104-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 FDMS86104 Виробник : ON Semiconductor fdms86104-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.