Продукція > ONSEMI > FDMS86104
FDMS86104

FDMS86104 ONSEMI

2304630.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86104 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 73W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+108.49 грн
500+85.07 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86104 ONSEMI

Description: ONSEMI - FDMS86104 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, Verlustleistung: 73W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm.

Інші пропозиції FDMS86104 за ціною від 62.34 грн до 336.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDMS86104 FDMS86104 onsemi / Fairchild FDMS86104-D.pdf MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 7448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+110.09 грн
10+92.68 грн
100+69.57 грн
500+67.50 грн
1000+66.95 грн
3000+62.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 FDMS86104 ON Semiconductor fdms86104-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+118.45 грн
130+109.12 грн
131+108.49 грн
133+103.20 грн
250+94.23 грн
500+89.19 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 FDMS86104 ON Semiconductor fdms86104-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+139.18 грн
10+122.46 грн
100+110.94 грн
500+104.84 грн
1000+95.08 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 FDMS86104 ON Semiconductor fdms86104-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+139.62 грн
116+122.86 грн
128+111.30 грн
500+105.18 грн
1000+95.38 грн
Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 FDMS86104 ON Semiconductor fdms86104-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
209+169.72 грн
500+153.22 грн
1000+141.44 грн
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 FDMS86104 ON Semiconductor fdms86104-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+193.12 грн
250+163.56 грн
500+121.76 грн
1000+115.81 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 FDMS86104 onsemi fdms86104-d.pdf MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 2584 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+228.22 грн
10+128.32 грн
100+84.03 грн
500+79.90 грн
1000+78.52 грн
3000+73.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 FDMS86104 onsemi fdms86104-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7A/16A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 923 pF @ 50 V
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+238.67 грн
10+149.69 грн
100+104.09 грн
500+79.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 FDMS86104 ONSEMI 2304630.pdf Description: ONSEMI - FDMS86104 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 73W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+245.10 грн
50+151.08 грн
100+108.49 грн
500+85.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 FDMS86104 ON Semiconductor fdms86104-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+336.88 грн
10+219.35 грн
100+152.53 грн
500+123.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 FDMS86104-D.pdf
FDMS86104
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 7448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+110.09 грн
10+92.68 грн
100+69.57 грн
500+67.50 грн
1000+66.95 грн
3000+62.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 fdms86104-d.pdf
FDMS86104
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
120+118.45 грн
130+109.12 грн
131+108.49 грн
133+103.20 грн
250+94.23 грн
500+89.19 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 fdms86104-d.pdf
FDMS86104
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+139.18 грн
10+122.46 грн
100+110.94 грн
500+104.84 грн
1000+95.08 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 fdms86104-d.pdf
FDMS86104
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
102+139.62 грн
116+122.86 грн
128+111.30 грн
500+105.18 грн
1000+95.38 грн
Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 fdms86104-d.pdf
FDMS86104
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
209+169.72 грн
500+153.22 грн
1000+141.44 грн
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 fdms86104-d.pdf
FDMS86104
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
74+193.12 грн
250+163.56 грн
500+121.76 грн
1000+115.81 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 fdms86104-d.pdf
FDMS86104
Виробник: onsemi
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 2584 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+228.22 грн
10+128.32 грн
100+84.03 грн
500+79.90 грн
1000+78.52 грн
3000+73.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 fdms86104-d.pdf
FDMS86104
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 7A/16A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 923 pF @ 50 V
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+238.67 грн
10+149.69 грн
100+104.09 грн
500+79.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 2304630.pdf
FDMS86104
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86104 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 73W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+245.10 грн
50+151.08 грн
100+108.49 грн
500+85.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 fdms86104-d.pdf
FDMS86104
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+336.88 грн
10+219.35 грн
100+152.53 грн
500+123.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.