FDMS86104 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 7A/16A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 923 pF @ 50 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 74.33 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS86104 onsemi
Description: ONSEMI - FDMS86104 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, Verlustleistung: 73W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm.
Інші пропозиції FDMS86104 за ціною від 82.22 грн до 351.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDMS86104 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDMS86104 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 792 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDMS86104 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDMS86104 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDMS86104 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 777 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDMS86104 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 2208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDMS86104 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 2210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDMS86104 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDMS86104 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 2443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDMS86104 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 714 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDMS86104 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 2885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDMS86104 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDMS86104 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDMS86104 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDMS86104 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 2450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDMS86104 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 1682 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDMS86104 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 7A/16A 8PQFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 923 pF @ 50 V |
на замовлення 15284 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMS86104 | onsemi |
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 2402 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDMS86104 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 792 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDMS86104 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86104 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.024 ohm, Power 56, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V Verlustleistung: 73W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm |
на замовлення 960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FDMS86104 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86104 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.024 ohm, Power 56, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V Verlustleistung: 73W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm |
на замовлення 960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| FDMS86104 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 101.11 грн |
| FDMS86104 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 120+ | 123.46 грн |
| 130+ | 113.74 грн |
| 131+ | 113.08 грн |
| 133+ | 107.56 грн |
| 250+ | 98.22 грн |
| 500+ | 92.97 грн |
| FDMS86104 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 124.99 грн |
| FDMS86104 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 125.69 грн |
| FDMS86104 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 107+ | 138.93 грн |
| 120+ | 123.39 грн |
| 139+ | 106.62 грн |
| FDMS86104 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 102+ | 144.78 грн |
| 116+ | 127.77 грн |
| 128+ | 115.48 грн |
| 500+ | 109.15 грн |
| 1000+ | 98.99 грн |
| FDMS86104 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 145.58 грн |
| 10+ | 128.49 грн |
| 100+ | 116.13 грн |
| 500+ | 109.76 грн |
| 1000+ | 99.54 грн |
| FDMS86104 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 93+ | 159.34 грн |
| 108+ | 136.64 грн |
| 109+ | 135.93 грн |
| 127+ | 112.67 грн |
| 250+ | 101.58 грн |
| FDMS86104 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 209+ | 176.90 грн |
| 500+ | 159.70 грн |
| 1000+ | 147.42 грн |
| FDMS86104 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 82+ | 181.49 грн |
| FDMS86104 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2885+ | 181.49 грн |
| FDMS86104 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 183.70 грн |
| FDMS86104 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 77+ | 191.64 грн |
| 98+ | 151.34 грн |
| 126+ | 117.89 грн |
| FDMS86104 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 75+ | 198.06 грн |
| 95+ | 156.46 грн |
| 117+ | 126.67 грн |
| FDMS86104 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 74+ | 201.30 грн |
| 250+ | 170.48 грн |
| 500+ | 166.81 грн |
| 1000+ | 153.82 грн |
| FDMS86104 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 64+ | 233.31 грн |
| 89+ | 167.35 грн |
| 119+ | 124.05 грн |
| 500+ | 96.40 грн |
| FDMS86104 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 7A/16A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 923 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 7A/16A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 923 pF @ 50 V
на замовлення 15284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 250.77 грн |
| 10+ | 157.12 грн |
| 100+ | 109.26 грн |
| 500+ | 83.35 грн |
| 1000+ | 82.22 грн |
| FDMS86104 |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 2402 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 289.76 грн |
| 10+ | 186.35 грн |
| 100+ | 118.13 грн |
| 500+ | 99.19 грн |
| 1000+ | 91.62 грн |
| 3000+ | 86.32 грн |
| FDMS86104 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 351.13 грн |
| 10+ | 228.63 грн |
| 100+ | 158.99 грн |
| 500+ | 129.07 грн |
| FDMS86104 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86104 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 73W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
Description: ONSEMI - FDMS86104 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 73W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDMS86104 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86104 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 73W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
Description: ONSEMI - FDMS86104 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 73W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




