Продукція > ONSEMI > FDMS86104
FDMS86104

FDMS86104 onsemi

fdms86104-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 7A/16A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 923 pF @ 50 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+72.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86104 onsemi

Description: ONSEMI - FDMS86104 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, Verlustleistung: 73W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm.

Інші пропозиції FDMS86104 за ціною від 80.52 грн до 336.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDMS86104 FDMS86104 ON Semiconductor fdms86104-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+96.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 FDMS86104 ON Semiconductor fdms86104-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+118.18 грн
130+108.88 грн
131+108.25 грн
133+102.97 грн
250+94.02 грн
500+88.99 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 FDMS86104 ON Semiconductor fdms86104-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+119.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 FDMS86104 ON Semiconductor fdms86104-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+120.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 FDMS86104 ON Semiconductor fdms86104-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+132.99 грн
120+118.12 грн
139+102.07 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 FDMS86104 ON Semiconductor fdms86104-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+138.59 грн
116+122.31 грн
128+110.54 грн
500+104.48 грн
1000+94.76 грн
Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 FDMS86104 ON Semiconductor fdms86104-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+139.36 грн
10+123.00 грн
100+111.16 грн
500+105.07 грн
1000+95.29 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 FDMS86104 ON Semiconductor fdms86104-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+152.53 грн
108+130.80 грн
109+130.12 грн
127+107.86 грн
250+97.24 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 FDMS86104 ON Semiconductor fdms86104-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
209+169.34 грн
500+152.88 грн
1000+141.12 грн
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 FDMS86104 ON Semiconductor fdms86104-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+173.74 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 FDMS86104 ON Semiconductor fdms86104-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2885+173.74 грн
Мінімальне замовлення: 2885 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 FDMS86104 ON Semiconductor fdms86104-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+175.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 FDMS86104 ON Semiconductor fdms86104-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+183.45 грн
98+144.87 грн
126+112.85 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 FDMS86104 ON Semiconductor fdms86104-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+189.60 грн
95+149.78 грн
117+121.26 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 FDMS86104 ON Semiconductor fdms86104-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+192.69 грн
250+163.19 грн
500+159.68 грн
1000+147.25 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 FDMS86104 ON Semiconductor fdms86104jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+223.34 грн
89+160.20 грн
119+118.75 грн
500+92.28 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 FDMS86104 onsemi fdms86104-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7A/16A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 923 pF @ 50 V
на замовлення 15284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+245.57 грн
10+153.86 грн
100+106.99 грн
500+81.63 грн
1000+80.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 FDMS86104 ON Semiconductor fdms86104-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+336.13 грн
10+218.86 грн
100+152.19 грн
500+123.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 FDMS86104 onsemi fdms86104-d.pdf MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 5584 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 FDMS86104 onsemi / Fairchild FDMS86104-D.pdf MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 7448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 FDMS86104 ONSEMI 2304630.pdf Description: ONSEMI - FDMS86104 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 73W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 FDMS86104 ONSEMI 2304630.pdf Description: ONSEMI - FDMS86104 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 73W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 fdms86104-d.pdf
FDMS86104
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+96.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 fdms86104-d.pdf
FDMS86104
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
120+118.18 грн
130+108.88 грн
131+108.25 грн
133+102.97 грн
250+94.02 грн
500+88.99 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 fdms86104-d.pdf
FDMS86104
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+119.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 fdms86104-d.pdf
FDMS86104
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+120.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 fdms86104-d.pdf
FDMS86104
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
107+132.99 грн
120+118.12 грн
139+102.07 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 fdms86104-d.pdf
FDMS86104
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
102+138.59 грн
116+122.31 грн
128+110.54 грн
500+104.48 грн
1000+94.76 грн
Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 fdms86104-d.pdf
FDMS86104
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+139.36 грн
10+123.00 грн
100+111.16 грн
500+105.07 грн
1000+95.29 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 fdms86104-d.pdf
FDMS86104
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
93+152.53 грн
108+130.80 грн
109+130.12 грн
127+107.86 грн
250+97.24 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 fdms86104-d.pdf
FDMS86104
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
209+169.34 грн
500+152.88 грн
1000+141.12 грн
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 fdms86104-d.pdf
FDMS86104
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
82+173.74 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 fdms86104-d.pdf
FDMS86104
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2885+173.74 грн
Мінімальне замовлення: 2885 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 fdms86104-d.pdf
FDMS86104
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+175.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 fdms86104-d.pdf
FDMS86104
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
77+183.45 грн
98+144.87 грн
126+112.85 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 fdms86104-d.pdf
FDMS86104
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
75+189.60 грн
95+149.78 грн
117+121.26 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 fdms86104-d.pdf
FDMS86104
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
74+192.69 грн
250+163.19 грн
500+159.68 грн
1000+147.25 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 fdms86104jp-d.pdf
FDMS86104
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
64+223.34 грн
89+160.20 грн
119+118.75 грн
500+92.28 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 fdms86104-d.pdf
FDMS86104
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 7A/16A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 923 pF @ 50 V
на замовлення 15284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+245.57 грн
10+153.86 грн
100+106.99 грн
500+81.63 грн
1000+80.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 fdms86104-d.pdf
FDMS86104
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+336.13 грн
10+218.86 грн
100+152.19 грн
500+123.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 fdms86104-d.pdf
FDMS86104
Виробник: onsemi
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 5584 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 FDMS86104-D.pdf
FDMS86104
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 7448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 2304630.pdf
FDMS86104
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86104 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 73W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 2304630.pdf
FDMS86104
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86104 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 73W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.