Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMS86105
FDMS86105

FDMS86105 ON Semiconductor

fdms86105cn-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+60.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86105 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 100V 6A/26A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 26A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 50 V.

Інші пропозиції FDMS86105 за ціною від 60.13 грн до 152.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS86105 FDMS86105 Виробник : ON Semiconductor fdms86105cn-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+60.91 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86105 FDMS86105 Виробник : onsemi fdms86105-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 6A/26A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 50 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+61.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86105 FDMS86105 Виробник : ON Semiconductor fdms86105cn-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+63.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86105 FDMS86105 Виробник : ON Semiconductor fdms86105cn-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+68.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86105 FDMS86105 Виробник : ON Semiconductor fdms86105cn-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 5325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
372+82.10 грн
500+78.60 грн
1000+74.23 грн
Мінімальне замовлення: 372
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86105 FDMS86105 Виробник : ON Semiconductor fdms86105cn-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
372+82.10 грн
500+78.60 грн
1000+74.23 грн
Мінімальне замовлення: 372
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86105 FDMS86105 Виробник : ON Semiconductor fdms86105cn-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+89.56 грн
500+88.19 грн
1000+84.91 грн
3000+77.80 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86105 FDMS86105 Виробник : ON Semiconductor fdms86105cn-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+117.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86105 FDMS86105 Виробник : onsemi fdms86105-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 6A/26A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 50 V
на замовлення 17188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.26 грн
10+93.17 грн
100+71.60 грн
500+60.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86105 FDMS86105 Виробник : onsemi / Fairchild fdms86105-d.pdf MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.80 грн
10+106.97 грн
100+74.26 грн
250+70.02 грн
500+63.47 грн
1000+63.25 грн
3000+60.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86105 FDMS86105 Виробник : ON Semiconductor fdms86105cn-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86105 FDMS86105 Виробник : ON Semiconductor fdms86105cn-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86105 Виробник : ONSEMI fdms86105-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 26A; Idm: 30A; 48W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 48W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86105 FDMS86105 Виробник : ON Semiconductor fdms86105cn-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 6A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86105 FDMS86105 Виробник : ON Semiconductor fdms86105cn-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 6A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86105 Виробник : ONSEMI fdms86105-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 26A; Idm: 30A; 48W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 48W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.