Продукція > ONSEMI > FDMS86150
FDMS86150

FDMS86150 onsemi

fdms86150-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N CH 100V 16A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4065 pF @ 50 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+123.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86150 onsemi

Description: ONSEMI - FDMS86150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0039 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції FDMS86150 за ціною від 128.01 грн до 351.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS86150 FDMS86150 Виробник : ON Semiconductor fdms86150jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin Power 56 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+135.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150 FDMS86150 Виробник : ON Semiconductor fdms86150jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin Power 56 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+146.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150 FDMS86150 Виробник : ON Semiconductor fdms86150jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin Power 56 EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+148.45 грн
6000+147.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150 FDMS86150 Виробник : ON Semiconductor fdms86150jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin Power 56 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+154.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150 FDMS86150 Виробник : ONSEMI 2572529.pdf Description: ONSEMI - FDMS86150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0039 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+200.54 грн
500+166.29 грн
1500+130.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150 FDMS86150 Виробник : ON Semiconductor fdms86150jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin Power 56 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+280.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150 FDMS86150 Виробник : ONSEMI 2572529.pdf Description: ONSEMI - FDMS86150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0039 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+296.28 грн
50+234.38 грн
100+200.54 грн
500+166.29 грн
1500+130.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150 FDMS86150 Виробник : onsemi fdms86150-d.pdf Description: MOSFET N CH 100V 16A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4065 pF @ 50 V
на замовлення 14483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+313.55 грн
10+215.11 грн
100+153.25 грн
500+136.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150 FDMS86150 Виробник : onsemi / Fairchild fdms86150-d.pdf MOSFETs PT5 100V/20V Nch PowerTrench MOSFET
на замовлення 35441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+351.04 грн
10+234.35 грн
100+147.87 грн
500+128.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150 FDMS86150 Виробник : ON Semiconductor fdms86150jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin Power 56 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150 FDMS86150 Виробник : ON Semiconductor fdms86150jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin Power 56 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150 FDMS86150 Виробник : ON Semiconductor fdms86150jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin Power 56 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150 FDMS86150 Виробник : ON Semiconductor fdms86150jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin Power 56 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150 Виробник : ONSEMI fdms86150-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 187W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Power dissipation: 187W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150 Виробник : ONSEMI fdms86150-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 187W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Power dissipation: 187W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.