FDMS86150 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N CH 100V 16A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4065 pF @ 50 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS86150 onsemi
Description: ONSEMI - FDMS86150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 4850 µohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 156W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4850µohm.
Інші пропозиції FDMS86150 за ціною від 129.30 грн до 352.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMS86150 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin Power 56 EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FDMS86150 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FDMS86150 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin Power 56 EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FDMS86150 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FDMS86150 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FDMS86150 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin Power 56 EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FDMS86150 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FDMS86150 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FDMS86150 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin Power 56 EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FDMS86150 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FDMS86150 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FDMS86150 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin Power 56 EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FDMS86150 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin Power 56 EP T/R |
на замовлення 430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FDMS86150 | onsemi |
Description: MOSFET N CH 100V 16A POWER56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.85mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4065 pF @ 50 V |
на замовлення 14347 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FDMS86150 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs PT5 100V/20V Nch PowerTrench MOSFET |
на замовлення 17735 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
FDMS86150 | onsemi |
MOSFETs PT5 100V/20V Nch PowerTrench MOSFET |
на замовлення 6722 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
FDMS86150 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 4850 µohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 156W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4850µohm |
на замовлення 1879 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
FDMS86150 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 4850 µohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 156W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4850µohm |
на замовлення 1879 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| FDMS86150 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin Power 56 EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin Power 56 EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 129.30 грн |
| FDMS86150 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 157.44 грн |
| FDMS86150 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin Power 56 EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin Power 56 EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 157.54 грн |
| FDMS86150 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 164.37 грн |
| FDMS86150 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 164.37 грн |
| FDMS86150 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin Power 56 EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin Power 56 EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 170.93 грн |
| 6000+ | 169.99 грн |
| FDMS86150 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 172.03 грн |
| FDMS86150 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 172.11 грн |
| FDMS86150 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin Power 56 EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin Power 56 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 177.84 грн |
| FDMS86150 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 178.42 грн |
| FDMS86150 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 230.29 грн |
| 500+ | 222.58 грн |
| 1000+ | 208.25 грн |
| 3000+ | 181.70 грн |
| FDMS86150 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin Power 56 EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin Power 56 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 294.30 грн |
| FDMS86150 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin Power 56 EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin Power 56 EP T/R
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 45+ | 318.72 грн |
| 49+ | 288.47 грн |
| 52+ | 272.83 грн |
| 100+ | 228.41 грн |
| 250+ | 209.40 грн |
| FDMS86150 |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N CH 100V 16A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4065 pF @ 50 V
Description: MOSFET N CH 100V 16A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4065 pF @ 50 V
на замовлення 14347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 352.54 грн |
| 10+ | 225.33 грн |
| 100+ | 160.61 грн |
| 500+ | 133.69 грн |
| FDMS86150 |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs PT5 100V/20V Nch PowerTrench MOSFET
MOSFETs PT5 100V/20V Nch PowerTrench MOSFET
на замовлення 17735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FDMS86150 |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs PT5 100V/20V Nch PowerTrench MOSFET
MOSFETs PT5 100V/20V Nch PowerTrench MOSFET
на замовлення 6722 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FDMS86150 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 4850 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4850µohm
Description: ONSEMI - FDMS86150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 4850 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4850µohm
на замовлення 1879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDMS86150 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 4850 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4850µohm
Description: ONSEMI - FDMS86150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 4850 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4850µohm
на замовлення 1879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)