FDMS86150ET100 ON Semiconductor
на замовлення 1079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 89+ | 141.61 грн |
| 90+ | 139.45 грн |
| 91+ | 137.20 грн |
| 100+ | 130.22 грн |
| 250+ | 118.65 грн |
| 500+ | 111.98 грн |
| 1000+ | 110.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS86150ET100 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 16A POWER56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 128A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.85mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4065 pF @ 50 V.
Інші пропозиції FDMS86150ET100 за ціною від 117.99 грн до 632.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMS86150ET100 | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 100V 16A POWER56Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 128A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.85mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4065 pF @ 50 V |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDMS86150ET100 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDMS86150ET100 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 1079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDMS86150ET100 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 5230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDMS86150ET100 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 2252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
FDMS86150ET100 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 1957 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDMS86150ET100 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin Power QFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDMS86150ET100 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin Power QFN EP T/R |
на замовлення 1385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDMS86150ET100 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 16A POWER56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 128A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.85mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4065 pF @ 50 V |
на замовлення 19538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
FDMS86150ET100 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin Power QFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
FDMS86150ET100 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
FDMS86150ET100 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin Power QFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
FDMS86150ET100 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin Power QFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| FDMS86150ET100 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; Idm: 617A; 187W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 90A Pulsed drain current: 617A Power dissipation: 187W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 62nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |