Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMS86150ET100
FDMS86150ET100

FDMS86150ET100 ON Semiconductor

fdms86150et100jp-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+341.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86150ET100 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 100V 16A POWER56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 128A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.85mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4065 pF @ 50 V.

Інші пропозиції FDMS86150ET100 за ціною від 262.95 грн до 586.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDMS86150ET100 FDMS86150ET100 ON Semiconductor fdms86150et100jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+447.88 грн
100+425.48 грн
500+403.09 грн
1000+367.10 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ET100 FDMS86150ET100 onsemi fdms86150et100-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 16A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4065 pF @ 50 V
на замовлення 1317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+585.83 грн
10+384.60 грн
100+282.84 грн
500+262.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ET100 FDMS86150ET100 ON Semiconductor fdms86150et100jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+586.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ET100 FDMS86150ET100 onsemi fdms86150et100-d.pdf MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 1645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ET100 FDMS86150ET100 onsemi / Fairchild FDMS86150ET100-D.pdf MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 1957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ET100 FDMS86150ET100 onsemi fdms86150et100-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 16A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4065 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ET100 fdms86150et100jp-d.pdf
FDMS86150ET100
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
79+447.88 грн
100+425.48 грн
500+403.09 грн
1000+367.10 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ET100 fdms86150et100-d.pdf
FDMS86150ET100
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 16A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4065 pF @ 50 V
на замовлення 1317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+585.83 грн
10+384.60 грн
100+282.84 грн
500+262.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ET100 fdms86150et100jp-d.pdf
FDMS86150ET100
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+586.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ET100 fdms86150et100-d.pdf
FDMS86150ET100
Виробник: onsemi
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 1645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ET100 FDMS86150ET100-D.pdf
FDMS86150ET100
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 1957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ET100 fdms86150et100-d.pdf
FDMS86150ET100
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 16A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4065 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.