Продукція > ONSEMI > FDMS86150ET100
FDMS86150ET100

FDMS86150ET100 onsemi

fdms86150et100-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 16A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4065 pF @ 50 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+269.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86150ET100 onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 16A POWER56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 128A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.85mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4065 pF @ 50 V.

Інші пропозиції FDMS86150ET100 за ціною від 232.42 грн до 627.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS86150ET100 FDMS86150ET100 Виробник : ON Semiconductor fdms86150et100jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
39+316.85 грн
40+307.06 грн
100+291.38 грн
250+265.43 грн
500+250.69 грн
1000+246.49 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ET100 FDMS86150ET100 Виробник : ON Semiconductor fdms86150et100jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+339.48 грн
10+334.24 грн
25+329.00 грн
100+312.19 грн
250+284.39 грн
500+268.59 грн
1000+264.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ET100 FDMS86150ET100 Виробник : ON Semiconductor fdms86150et100jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin Power QFN EP T/R
на замовлення 5230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
84+367.93 грн
100+349.59 грн
500+331.24 грн
1000+301.72 грн
Мінімальне замовлення: 84
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ET100 FDMS86150ET100 Виробник : ON Semiconductor fdms86150et100jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin Power QFN EP T/R
на замовлення 2463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
84+367.93 грн
100+349.59 грн
500+331.24 грн
1000+301.72 грн
Мінімальне замовлення: 84
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ET100 FDMS86150ET100 Виробник : ON Semiconductor fdms86150et100jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin Power QFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+434.67 грн
38+323.86 грн
100+283.66 грн
500+258.20 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ET100 FDMS86150ET100 Виробник : ON Semiconductor fdms86150et100jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin Power QFN EP T/R
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+468.34 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ET100 FDMS86150ET100 Виробник : onsemi / Fairchild fdms86150et100-d.pdf MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 3117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+521.18 грн
10+343.65 грн
100+272.41 грн
500+258.83 грн
1000+247.51 грн
3000+232.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ET100 FDMS86150ET100 Виробник : onsemi fdms86150et100-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 16A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4065 pF @ 50 V
на замовлення 19538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+627.72 грн
10+411.10 грн
100+301.65 грн
500+243.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ET100 FDMS86150ET100 Виробник : ON Semiconductor fdms86150et100jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin Power QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ET100 FDMS86150ET100 Виробник : ON Semiconductor fdms86150et100jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ET100 FDMS86150ET100 Виробник : ON Semiconductor fdms86150et100jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin Power QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ET100 FDMS86150ET100 Виробник : ON Semiconductor fdms86150et100jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin Power QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ET100 Виробник : ONSEMI fdms86150et100-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; Idm: 617A; 187W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 617A
Power dissipation: 187W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ET100 Виробник : ONSEMI fdms86150et100-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; Idm: 617A; 187W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 617A
Power dissipation: 187W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.