FDMS86150ET100 ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 89+ | 160.67 грн |
| 90+ | 158.22 грн |
| 91+ | 155.67 грн |
| 100+ | 147.75 грн |
| 250+ | 134.62 грн |
| 500+ | 127.05 грн |
| 1000+ | 124.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS86150ET100 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 16A POWER56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 128A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.85mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4065 pF @ 50 V.
Інші пропозиції FDMS86150ET100 за ціною від 124.95 грн до 626.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMS86150ET100 | onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 100V 16A POWER56Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 128A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.85mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4065 pF @ 50 V |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86150ET100 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86150ET100 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 1079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86150ET100 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86150ET100 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 2252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86150ET100 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 2305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86150ET100 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin Power QFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86150ET100 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin Power QFN EP T/R |
на замовлення 1385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86150ET100 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86150ET100 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 16A POWER56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 128A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.85mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4065 pF @ 50 V |
на замовлення 4232 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS86150ET100 | onsemi |
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 1645 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
FDMS86150ET100 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 1957 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDMS86150ET100 |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 16A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4065 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 16A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4065 pF @ 50 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 257.42 грн |
| FDMS86150ET100 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 326.17 грн |
| FDMS86150ET100 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 333.52 грн |
| 5+ | 160.67 грн |
| 10+ | 158.22 грн |
| 25+ | 150.11 грн |
| 100+ | 136.80 грн |
| 250+ | 129.23 грн |
| 500+ | 127.05 грн |
| 1000+ | 124.95 грн |
| FDMS86150ET100 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 341.84 грн |
| FDMS86150ET100 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 84+ | 425.48 грн |
| 100+ | 404.27 грн |
| 500+ | 383.05 грн |
| 1000+ | 348.92 грн |
| FDMS86150ET100 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 79+ | 447.88 грн |
| 100+ | 425.48 грн |
| 500+ | 403.09 грн |
| 1000+ | 367.10 грн |
| FDMS86150ET100 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin Power QFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin Power QFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 29+ | 502.66 грн |
| 38+ | 374.52 грн |
| 100+ | 328.03 грн |
| 500+ | 298.59 грн |
| FDMS86150ET100 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin Power QFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin Power QFN EP T/R
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 27+ | 541.60 грн |
| FDMS86150ET100 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 586.19 грн |
| FDMS86150ET100 |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 16A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4065 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 16A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4065 pF @ 50 V
на замовлення 4232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 626.90 грн |
| 10+ | 412.35 грн |
| 100+ | 303.98 грн |
| 500+ | 284.74 грн |
| FDMS86150ET100 |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 1645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FDMS86150ET100 |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 1957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)