Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMS86150ET100
FDMS86150ET100

FDMS86150ET100 ON Semiconductor

fdms86150et100jp-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
89+146.28 грн
90+144.05 грн
91+141.74 грн
100+134.52 грн
250+122.56 грн
500+115.67 грн
1000+113.76 грн
Мінімальне замовлення: 89
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86150ET100 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 100V 16A POWER56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 128A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.85mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4065 pF @ 50 V.

Інші пропозиції FDMS86150ET100 за ціною від 121.89 грн до 523.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS86150ET100 FDMS86150ET100 Виробник : ON Semiconductor fdms86150et100jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+296.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ET100 FDMS86150ET100 Виробник : ON Semiconductor fdms86150et100jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+325.35 грн
5+156.73 грн
10+154.34 грн
25+146.44 грн
100+133.45 грн
250+126.07 грн
500+123.94 грн
1000+121.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ET100 FDMS86150ET100 Виробник : onsemi / Fairchild FDMS86150ET100-D.pdf MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 1957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+383.43 грн
10+290.18 грн
100+231.02 грн
500+228.96 грн
1000+228.27 грн
3000+211.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ET100 FDMS86150ET100 Виробник : ON Semiconductor fdms86150et100jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 5230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
84+387.39 грн
100+368.07 грн
500+348.76 грн
1000+317.68 грн
Мінімальне замовлення: 84
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ET100 FDMS86150ET100 Виробник : ON Semiconductor fdms86150et100jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
84+387.39 грн
100+368.07 грн
500+348.76 грн
1000+317.68 грн
Мінімальне замовлення: 84
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ET100 FDMS86150ET100 Виробник : ON Semiconductor fdms86150et100jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin Power QFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+457.66 грн
38+340.99 грн
100+298.67 грн
500+271.86 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ET100 FDMS86150ET100 Виробник : ON Semiconductor fdms86150et100jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin Power QFN EP T/R
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+493.11 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ET100 FDMS86150ET100 Виробник : onsemi fdms86150et100-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 16A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4065 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+523.66 грн
10+342.71 грн
100+264.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ET100 FDMS86150ET100 Виробник : ON Semiconductor fdms86150et100jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ET100 FDMS86150ET100 Виробник : ON Semiconductor fdms86150et100jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin Power QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ET100 FDMS86150ET100 Виробник : ON Semiconductor fdms86150et100jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin Power QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ET100 FDMS86150ET100 Виробник : onsemi fdms86150et100-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 16A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4065 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.