Продукція > ONSEMI > FDMS86152
FDMS86152

FDMS86152 onsemi

fdms86152-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 14A/45A POWER56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3370 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+152.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86152 onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 14A/45A POWER56, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3370 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 125W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 14A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 45A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції FDMS86152 за ціною від 169.17 грн до 395.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDMS86152 FDMS86152 ON Semiconductor fdms86152-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+218.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86152 FDMS86152 ON Semiconductor fdms86152-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+219.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86152 FDMS86152 onsemi fdms86152-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 14A/45A POWER56
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3370 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
на замовлення 13963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+395.20 грн
10+254.46 грн
100+183.14 грн
500+169.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86152 FDMS86152 onsemi fdms86152-d.pdf MOSFETs 100V N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 1767 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86152 FDMS86152 onsemi / Fairchild FDMS86152-D.pdf MOSFETs 100V N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 2774 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86152 fdms86152-d.pdf
FDMS86152
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+218.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86152 fdms86152-d.pdf
FDMS86152
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+219.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86152 fdms86152-d.pdf
FDMS86152
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 14A/45A POWER56
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3370 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
на замовлення 13963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+395.20 грн
10+254.46 грн
100+183.14 грн
500+169.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86152 fdms86152-d.pdf
FDMS86152
Виробник: onsemi
MOSFETs 100V N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 1767 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86152 FDMS86152-D.pdf
FDMS86152
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 2774 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.