Продукція > ONSEMI > FDMS86152
FDMS86152

FDMS86152 onsemi

fdms86152-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 14A/45A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3370 pF @ 50 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+154.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86152 onsemi

Description: ONSEMI - FDMS86152 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0052 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 125W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: PQFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0052ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції FDMS86152 за ціною від 171.12 грн до 399.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDMS86152 FDMS86152 ON Semiconductor fdms86152-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+218.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86152 FDMS86152 ON Semiconductor fdms86152-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+219.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86152 FDMS86152 ON Semiconductor fdms86152-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 19715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+281.69 грн
500+269.91 грн
1000+254.58 грн
Мінімальне замовлення: 126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86152 FDMS86152 onsemi fdms86152-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 14A/45A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3370 pF @ 50 V
на замовлення 13963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+399.75 грн
10+257.38 грн
100+185.25 грн
500+171.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86152 FDMS86152 onsemi fdms86152-d.pdf MOSFETs 100V N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 1577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86152 fdms86152-d.pdf
FDMS86152
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+218.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86152 fdms86152-d.pdf
FDMS86152
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+219.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86152 fdms86152-d.pdf
FDMS86152
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 19715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
126+281.69 грн
500+269.91 грн
1000+254.58 грн
Мінімальне замовлення: 126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86152 fdms86152-d.pdf
FDMS86152
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 14A/45A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3370 pF @ 50 V
на замовлення 13963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+399.75 грн
10+257.38 грн
100+185.25 грн
500+171.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86152 fdms86152-d.pdf
FDMS86152
Виробник: onsemi
MOSFETs 100V N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 1577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.