Продукція > ONSEMI > FDMS86180
FDMS86180

FDMS86180 onsemi

fdms86180-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 151A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 67A, 10V
Power Dissipation (Max): 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 370µA
Supplier Device Package: Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6215 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+198.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86180 onsemi

Description: ONSEMI - FDMS86180 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 151 A, 2400 µohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 151A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 138W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDMS86180 за ціною від 179.29 грн до 487.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS86180 FDMS86180 Виробник : ON Semiconductor fdms86180-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+202.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86180 FDMS86180 Виробник : ON Semiconductor fdms86180-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+203.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86180 FDMS86180 Виробник : ON Semiconductor fdms86180jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+209.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86180 FDMS86180 Виробник : ON Semiconductor fdms86180-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+216.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86180 FDMS86180 Виробник : ON Semiconductor fdms86180-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+233.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86180 FDMS86180 Виробник : ONSEMI 2304431.pdf Description: ONSEMI - FDMS86180 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 151 A, 2400 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 138W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+252.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86180 FDMS86180 Виробник : ON Semiconductor fdms86180-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 21800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
122+254.94 грн
500+241.47 грн
1000+228.00 грн
10000+206.86 грн
Мінімальне замовлення: 122
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86180 FDMS86180 Виробник : ON Semiconductor fdms86180-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 161940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
122+254.94 грн
500+241.47 грн
1000+228.00 грн
10000+206.86 грн
Мінімальне замовлення: 122
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86180 FDMS86180 Виробник : ON Semiconductor fdms86180-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+423.42 грн
10+332.69 грн
100+255.12 грн
500+243.34 грн
1000+220.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86180 FDMS86180 Виробник : onsemi / Fairchild fdms86180-d.pdf MOSFETs 100V/20V N-Channel PTNG MOSFET
на замовлення 5982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+444.71 грн
10+324.97 грн
100+211.94 грн
500+211.16 грн
1000+190.98 грн
3000+185.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86180 FDMS86180 Виробник : ONSEMI 2304431.pdf Description: ONSEMI - FDMS86180 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 151 A, 2400 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 138W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+458.96 грн
50+340.52 грн
100+252.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86180 FDMS86180 Виробник : onsemi fdms86180-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 151A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 67A, 10V
Power Dissipation (Max): 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 370µA
Supplier Device Package: Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6215 pF @ 50 V
на замовлення 7967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+487.07 грн
10+315.06 грн
100+227.59 грн
500+179.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86180 Виробник : ON Semiconductor fdms86180-d.pdf
на замовлення 8740 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86180 FDMS86180 Виробник : ON Semiconductor fdms86180-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.