Технічний опис FDMS86180 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMS86180 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 151 A, 2400 µohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 151A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 138W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDMS86180 за ціною від 167.02 грн до 468.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMS86180 | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS86180 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMS86180 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86180 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 151 A, 2400 µohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 151A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 138W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS86180 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS86180 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 21800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS86180 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 2385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS86180 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMS86180 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V/20V N-Channel PTNG MOSFET |
на замовлення 5982 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS86180 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86180 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 151 A, 2400 µohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 151A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 138W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMS86180 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 151A POWER56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 151A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 67A, 10V Power Dissipation (Max): 138W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 370µA Supplier Device Package: Power56 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6215 pF @ 50 V |
на замовлення 1215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDMS86180 | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 8740 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
|
FDMS86180 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FDMS86180 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 151A POWER56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 151A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 67A, 10V Power Dissipation (Max): 138W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 370µA Supplier Device Package: Power56 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6215 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |