Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMS86180
FDMS86180

FDMS86180 ON Semiconductor

fdms86180-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
116+305.26 грн
500+289.94 грн
1000+273.44 грн
Мінімальне замовлення: 116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86180 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMS86180 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 151 A, 2400 µohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 151A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V, Verlustleistung: 138W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm.

Інші пропозиції FDMS86180 за ціною від 164.62 грн до 544.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDMS86180 FDMS86180 ON Semiconductor fdms86180-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+338.70 грн
10+291.74 грн
100+247.16 грн
500+235.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86180 FDMS86180 onsemi / Fairchild fdms86180-d.pdf MOSFETs 100V/20V N-Channel PTNG MOSFET
на замовлення 5982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+394.57 грн
10+288.33 грн
100+188.04 грн
500+187.36 грн
1000+169.45 грн
3000+164.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86180 FDMS86180 onsemi fdms86180-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 151A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 67A, 10V
Power Dissipation (Max): 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 370µA
Supplier Device Package: Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6215 pF @ 50 V
на замовлення 1215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+455.65 грн
10+295.20 грн
100+213.74 грн
500+188.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86180 FDMS86180 ONSEMI 2304431.pdf Description: ONSEMI - FDMS86180 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 151 A, 2400 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 138W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 2687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+544.04 грн
50+364.84 грн
100+280.46 грн
500+237.29 грн
1500+212.15 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86180 FDMS86180 ONSEMI 2304431.pdf Description: ONSEMI - FDMS86180 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 151 A, 2400 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 138W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 2687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+544.04 грн
50+364.84 грн
100+280.46 грн
500+237.29 грн
1500+212.15 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86180 ON Semiconductor fdms86180-d.pdf
на замовлення 8740 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86180 fdms86180-d.pdf
FDMS86180
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+338.70 грн
10+291.74 грн
100+247.16 грн
500+235.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86180 fdms86180-d.pdf
FDMS86180
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V/20V N-Channel PTNG MOSFET
на замовлення 5982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+394.57 грн
10+288.33 грн
100+188.04 грн
500+187.36 грн
1000+169.45 грн
3000+164.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86180 fdms86180-d.pdf
FDMS86180
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 151A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 67A, 10V
Power Dissipation (Max): 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 370µA
Supplier Device Package: Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6215 pF @ 50 V
на замовлення 1215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+455.65 грн
10+295.20 грн
100+213.74 грн
500+188.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86180 2304431.pdf
FDMS86180
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86180 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 151 A, 2400 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 138W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 2687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+544.04 грн
50+364.84 грн
100+280.46 грн
500+237.29 грн
1500+212.15 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86180 2304431.pdf
FDMS86180
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86180 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 151 A, 2400 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 138W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 2687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+544.04 грн
50+364.84 грн
100+280.46 грн
500+237.29 грн
1500+212.15 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86180 fdms86180-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 8740 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.