FDMS86182 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 78A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2635 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 59.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS86182 onsemi
Description: ONSEMI - FDMS86182 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 78 A, 0.0059 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 78A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm.
Інші пропозиції FDMS86182 за ціною від 51.93 грн до 155.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMS86182 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86182 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 78 A, 0.0059 ohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 78A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm |
на замовлення 8990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86182 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 78A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2635 pF @ 50 V |
на замовлення 5900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS86182 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET PTNG 100/20V Nch Power Trench MOSFET |
на замовлення 20861 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86182 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86182 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 78 A, 0.0059 ohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 78A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm |
на замовлення 8990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDMS86182 | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 2920 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
FDMS86182 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FDMS86182 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| FDMS86182 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49A; Idm: 364A; 83W; Power56 Case: Power56 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V Drain current: 49A On-state resistance: 19.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 83W Polarisation: unipolar Gate charge: 37nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 364A Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| FDMS86182 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49A; Idm: 364A; 83W; Power56 Case: Power56 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V Drain current: 49A On-state resistance: 19.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 83W Polarisation: unipolar Gate charge: 37nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 364A Mounting: SMD |
товар відсутній |