Інші пропозиції FDMS86182 за ціною від 56.00 грн до 206.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDMS86182 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 78A 8PQFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2635 pF @ 50 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FDMS86182 | onsemi |
MOSFETs PTNG 100/20V Nch Power Trench MOSFET |
на замовлення 13972 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS86182 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 78A 8PQFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2635 pF @ 50 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| FDMS86182 | ON Semiconductor |
|
на замовлення 2920 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDMS86182 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 78A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2635 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 78A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2635 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 57.90 грн |
| FDMS86182 |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs PTNG 100/20V Nch Power Trench MOSFET
MOSFETs PTNG 100/20V Nch Power Trench MOSFET
на замовлення 13972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 171.97 грн |
| 10+ | 116.44 грн |
| 100+ | 70.26 грн |
| 500+ | 60.41 грн |
| 1000+ | 56.00 грн |
| FDMS86182 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 78A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2635 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 78A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2635 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 206.13 грн |
| 10+ | 128.27 грн |
| 100+ | 88.48 грн |
| 500+ | 67.05 грн |
| 1000+ | 64.05 грн |
| FDMS86182 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)



