Інші пропозиції FDMS86182 за ціною від 56.41 грн до 207.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMS86182 | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 100V 78A 8PQFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2635 pF @ 50 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDMS86182 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMS86182 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDMS86182 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86182 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 78 A, 5900 µohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 78A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 6110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDMS86182 | Виробник : onsemi |
MOSFETs PTNG 100/20V Nch Power Trench MOSFET |
на замовлення 13972 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMS86182 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86182 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 78 A, 5900 µohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 78A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 6110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMS86182 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 78A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2635 pF @ 50 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| FDMS86182 | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 2920 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
|
|
FDMS86182 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |