Продукція > ONSEMI > FDMS86182
FDMS86182

FDMS86182 onsemi

fdms86182-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 78A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2635 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+62.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86182 onsemi

Description: ONSEMI - FDMS86182 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 78 A, 0.0059 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 78A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції FDMS86182 за ціною від 55.68 грн до 192.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS86182 FDMS86182 Виробник : ONSEMI 2303829.pdf Description: ONSEMI - FDMS86182 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 78 A, 0.0059 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 6490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+84.80 грн
500+64.91 грн
1000+55.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86182 FDMS86182 Виробник : ON Semiconductor fdms86182-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+119.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86182 FDMS86182 Виробник : ON Semiconductor fdms86182-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+166.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86182 FDMS86182 Виробник : ON Semiconductor fdms86182-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+176.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86182 FDMS86182 Виробник : onsemi fdms86182-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 78A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2635 pF @ 50 V
на замовлення 4553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+183.39 грн
10+115.97 грн
100+80.29 грн
500+64.25 грн
1000+59.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86182 FDMS86182 Виробник : ONSEMI 2303829.pdf Description: ONSEMI - FDMS86182 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 78 A, 0.0059 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 6490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+186.06 грн
10+122.67 грн
100+84.80 грн
500+64.91 грн
1000+55.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86182 FDMS86182 Виробник : onsemi / Fairchild fdms86182-d.pdf MOSFETs PTNG 100/20V Nch Power Trench MOSFET
на замовлення 18677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+192.65 грн
10+124.91 грн
100+75.59 грн
250+72.51 грн
500+62.02 грн
1000+59.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86182 Виробник : ON Semiconductor fdms86182-d.pdf
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86182
Код товару: 209891
Додати до обраних Обраний товар

fdms86182-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86182 FDMS86182 Виробник : ON Semiconductor 3904739028303267fdms86182.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86182 FDMS86182 Виробник : ON Semiconductor fdms86182-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86182 Виробник : ONSEMI fdms86182-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49A; Idm: 364A; 83W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 364A
Power dissipation: 83W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86182 Виробник : ONSEMI fdms86182-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49A; Idm: 364A; 83W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 364A
Power dissipation: 83W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.