Продукція > ONSEMI > FDMS86183
FDMS86183

FDMS86183 onsemi

fdms86183-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 51A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+42.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86183 onsemi

Description: ONSEMI - FDMS86183 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 51 A, 0.0099 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 51A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 63W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDMS86183 за ціною від 41.07 грн до 139.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS86183 FDMS86183 Виробник : ON Semiconductor 3678005273856421fdms86183.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+48.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86183 FDMS86183 Виробник : ON Semiconductor fdms86183-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+62.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86183 FDMS86183 Виробник : ONSEMI 2303919.pdf Description: ONSEMI - FDMS86183 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 51 A, 0.0099 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+65.94 грн
500+50.70 грн
1000+42.66 грн
5000+41.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86183 FDMS86183 Виробник : ON Semiconductor fdms86183-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
377+81.16 грн
500+73.05 грн
1000+67.36 грн
Мінімальне замовлення: 377
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86183 FDMS86183 Виробник : ON Semiconductor fdms86183-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
377+81.16 грн
500+73.05 грн
1000+67.36 грн
Мінімальне замовлення: 377
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86183 FDMS86183 Виробник : ON Semiconductor fdms86183-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+82.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86183 FDMS86183 Виробник : onsemi fdms86183-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 51A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 50 V
на замовлення 6367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.26 грн
10+85.44 грн
100+56.22 грн
500+47.42 грн
1000+45.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86183 FDMS86183 Виробник : ONSEMI 2303919.pdf Description: ONSEMI - FDMS86183 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 51 A, 0.0099 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+137.13 грн
10+98.20 грн
100+65.94 грн
500+50.70 грн
1000+42.66 грн
5000+41.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86183 FDMS86183 Виробник : onsemi / Fairchild fdms86183-d.pdf MOSFETs PTNG 100/20V Nch Power Trench Mosfet
на замовлення 39070 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.10 грн
10+98.93 грн
100+56.60 грн
500+50.86 грн
1000+47.99 грн
3000+45.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86183 FDMS86183 Виробник : ON Semiconductor fdms86183-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86183 Виробник : ONSEMI fdms86183-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 32A; Idm: 187A; 63W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 187A
Power dissipation: 63W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86183 Виробник : ONSEMI fdms86183-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 32A; Idm: 187A; 63W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 187A
Power dissipation: 63W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.