FDMS86183 onsemi


fdms86183-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 51A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+43.55 грн
6000+40.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86183 onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 51A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 63W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 50 V.

Інші пропозиції FDMS86183 за ціною від 42.64 грн до 164.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDMS86183 FDMS86183 onsemi / Fairchild fdms86183-d.pdf MOSFETs PTNG 100/20V Nch Power Trench Mosfet
на замовлення 39070 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.92 грн
10+92.40 грн
100+52.86 грн
500+47.51 грн
1000+44.83 грн
3000+42.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86183 FDMS86183 onsemi fdms86183-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 51A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 50 V
на замовлення 10789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.14 грн
10+101.32 грн
100+68.90 грн
500+51.62 грн
1000+47.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86183 fdms86183-d.pdf
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs PTNG 100/20V Nch Power Trench Mosfet
на замовлення 39070 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+129.92 грн
10+92.40 грн
100+52.86 грн
500+47.51 грн
1000+44.83 грн
3000+42.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86183 fdms86183-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 51A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 50 V
на замовлення 10789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+164.14 грн
10+101.32 грн
100+68.90 грн
500+51.62 грн
1000+47.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.