Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMS86183
FDMS86183

FDMS86183 ON Semiconductor

3678005273856421fdms86183.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+42.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86183 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 100V 51A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 63W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 50 V.

Інші пропозиції FDMS86183 за ціною від 38.71 грн до 124.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDMS86183 FDMS86183 Виробник : onsemi fdms86183-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 51A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+43.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS86183 FDMS86183 Виробник : ON Semiconductor 3678005273856421fdms86183.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+46.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS86183 FDMS86183 Виробник : ON Semiconductor 3678005273856421fdms86183.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+49.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS86183 FDMS86183 Виробник : ON Semiconductor 3678005273856421fdms86183.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+53.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS86183 FDMS86183 Виробник : ONSEMI 2303919.pdf Description: ONSEMI - FDMS86183 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 51 A, 0.0099 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm
на замовлення 5988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+69.5 грн
500+ 44.58 грн
3000+ 38.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDMS86183 FDMS86183 Виробник : onsemi fdms86183-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 51A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 50 V
на замовлення 4866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+104.72 грн
10+ 82.34 грн
100+ 64.04 грн
500+ 50.94 грн
1000+ 41.5 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDMS86183 FDMS86183 Виробник : onsemi / Fairchild FDMS86183_D-2312684.pdf MOSFET PTNG 100/20V Nch Power Trench Mosfet
на замовлення 32711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+116.83 грн
10+ 102.88 грн
100+ 70.1 грн
500+ 57.61 грн
1000+ 46.93 грн
3000+ 44.66 грн
6000+ 43.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDMS86183 FDMS86183 Виробник : ONSEMI 2303919.pdf Description: ONSEMI - FDMS86183 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 51 A, 0.0099 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm
на замовлення 5988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+124.32 грн
10+ 93.62 грн
100+ 69.5 грн
500+ 44.58 грн
3000+ 38.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDMS86183 FDMS86183 Виробник : ON Semiconductor 3678005273856421fdms86183.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
FDMS86183 Виробник : ONSEMI fdms86183-d.pdf FDMS86183 SMD N channel transistors
товар відсутній