Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FDMS86200

FDMS86200

fdms86200-d.pdf
Код товару: 185473
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDMS86200 за ціною від 70.33 грн до 253.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDMS86200 FDMS86200 onsemi fdms86200-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2715 pF @ 75 V
на замовлення 19900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+70.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 FDMS86200 ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+91.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 FDMS86200 ON-Semiconductor TFDMS86200_ON_0001.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin Power 56 T/R FDMS86200 TFDMS86200
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+93.20 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 FDMS86200 ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+166.56 грн
500+150.02 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 FDMS86200 ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+166.56 грн
500+150.02 грн
1000+138.21 грн
10000+118.46 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 FDMS86200 ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 10325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+199.01 грн
250+127.85 грн
500+110.62 грн
1000+101.20 грн
3000+93.50 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 FDMS86200 onsemi / Fairchild FDMS86200-D.PDF MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 6233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+207.74 грн
10+147.76 грн
100+71.92 грн
500+71.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 FDMS86200 ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+226.79 грн
10+176.24 грн
100+111.20 грн
500+98.35 грн
1000+90.15 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 FDMS86200 ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+227.53 грн
81+176.81 грн
128+111.56 грн
500+98.66 грн
1000+90.44 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 FDMS86200 onsemi fdms86200-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2715 pF @ 75 V
на замовлення 20204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+238.02 грн
10+149.33 грн
100+103.79 грн
500+79.12 грн
1000+77.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 FDMS86200 onsemi fdms86200-d.pdf MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 4394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+249.28 грн
10+159.00 грн
100+96.36 грн
500+78.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 FDMS86200 ONSEMI ONSM-S-A0013339318-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS86200 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 49 A, 0.015 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 6765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+253.36 грн
10+145.82 грн
100+116.50 грн
500+90.02 грн
1000+78.21 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 fdms86200-d.pdf
FDMS86200
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2715 pF @ 75 V
на замовлення 19900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+70.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 fdms86200-d.pdf
FDMS86200
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+91.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 TFDMS86200_ON_0001.pdf
FDMS86200
Виробник: ON-Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin Power 56 T/R FDMS86200 TFDMS86200
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+93.20 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 fdms86200-d.pdf
FDMS86200
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
213+166.56 грн
500+150.02 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 fdms86200-d.pdf
FDMS86200
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
213+166.56 грн
500+150.02 грн
1000+138.21 грн
10000+118.46 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 fdms86200-d.pdf
FDMS86200
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 10325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
72+199.01 грн
250+127.85 грн
500+110.62 грн
1000+101.20 грн
3000+93.50 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 FDMS86200-D.PDF
FDMS86200
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 6233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+207.74 грн
10+147.76 грн
100+71.92 грн
500+71.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 fdms86200-d.pdf
FDMS86200
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+226.79 грн
10+176.24 грн
100+111.20 грн
500+98.35 грн
1000+90.15 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 fdms86200-d.pdf
FDMS86200
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
63+227.53 грн
81+176.81 грн
128+111.56 грн
500+98.66 грн
1000+90.44 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 fdms86200-d.pdf
FDMS86200
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2715 pF @ 75 V
на замовлення 20204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+238.02 грн
10+149.33 грн
100+103.79 грн
500+79.12 грн
1000+77.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 fdms86200-d.pdf
FDMS86200
Виробник: onsemi
MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 4394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+249.28 грн
10+159.00 грн
100+96.36 грн
500+78.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 ONSM-S-A0013339318-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDMS86200
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86200 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 49 A, 0.015 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 6765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+253.36 грн
10+145.82 грн
100+116.50 грн
500+90.02 грн
1000+78.21 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.