Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FDMS86200

FDMS86200

fdms86200-d.pdf
Код товару: 185473
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDMS86200 за ціною від 62.76 грн до 241.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013339318-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS86200 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 49 A, 0.015 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+230.70 грн
10+169.18 грн
100+107.66 грн
500+90.20 грн
1000+80.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2001000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+62.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : onsemi fdms86200-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2715 pF @ 75 V
на замовлення 19900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+69.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+89.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
154+90.73 грн
Мінімальне замовлення: 154
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : ON-Semiconductor TFDMS86200_ON_0001.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin Power 56 T/R FDMS86200 TFDMS86200
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+91.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+96.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
144+96.73 грн
145+96.35 грн
Мінімальне замовлення: 144
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+97.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+97.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+97.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+98.14 грн
6000+94.93 грн
9000+92.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+98.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+98.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+108.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
963+110.35 грн
Мінімальне замовлення: 963
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 10125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
103+135.41 грн
250+124.49 грн
500+122.30 грн
1000+112.67 грн
3000+100.43 грн
Мінімальне замовлення: 103
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
213+163.60 грн
500+147.35 грн
1000+135.75 грн
10000+116.36 грн
Мінімальне замовлення: 213
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
213+163.60 грн
500+147.35 грн
Мінімальне замовлення: 213
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2999+166.24 грн
Мінімальне замовлення: 2999
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : onsemi / Fairchild FDMS86200-D.PDF MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 6233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+206.42 грн
10+146.82 грн
100+71.47 грн
500+70.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : onsemi fdms86200-d.pdf MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 5826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+229.08 грн
10+130.06 грн
100+75.63 грн
500+70.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : onsemi fdms86200-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2715 pF @ 75 V
на замовлення 20204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+236.51 грн
10+148.38 грн
100+103.13 грн
500+78.62 грн
1000+77.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+239.90 грн
10+159.41 грн
100+113.09 грн
500+108.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
58+241.03 грн
87+160.16 грн
123+113.63 грн
500+108.68 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : ONSEMI FDMS86200.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 36A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 36A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.