Продукція > ONSEMI > FDMS86200
FDMS86200

FDMS86200 ONSEMI

ONSM-S-A0013339318-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86200 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 49 A, 0.015 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 3701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+227.93 грн
10+161.18 грн
100+112.34 грн
500+86.17 грн
1000+78.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86200 ONSEMI

Description: ONSEMI - FDMS86200 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 49 A, 0.015 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 49A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDMS86200 за ціною від 54.87 грн до 232.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS86200
Код товару: 185473
Додати до обраних Обраний товар

fdms86200-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2001000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+54.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : onsemi fdms86200-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2715 pF @ 75 V
на замовлення 3164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+75.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+79.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+82.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 11136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+82.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+84.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
144+84.56 грн
145+84.23 грн
Мінімальне замовлення: 144
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+84.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+85.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+85.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+85.79 грн
6000+82.99 грн
9000+80.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+85.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+86.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+94.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+96.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 8250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+108.83 грн
500+106.92 грн
1000+102.14 грн
3000+94.82 грн
6000+86.09 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+126.17 грн
10+111.26 грн
100+92.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
89+136.77 грн
101+120.60 грн
122+100.59 грн
Мінімальне замовлення: 89
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : onsemi fdms86200-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2715 pF @ 75 V
на замовлення 4366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+188.39 грн
10+138.93 грн
100+106.16 грн
500+81.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : onsemi / Fairchild fdms86200-d.pdf MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 8055 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+232.82 грн
10+152.72 грн
100+95.06 грн
250+89.98 грн
500+82.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 Виробник : ON-Semicoductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin Power 56 T/R FDMS86200 TFDMS86200
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+83.65 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF7ABA86349E28&compId=FDMS86200.pdf?ci_sign=659cf44793e87b65818f79a51d9c54e8a2686eff Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 36A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 36A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF7ABA86349E28&compId=FDMS86200.pdf?ci_sign=659cf44793e87b65818f79a51d9c54e8a2686eff Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 36A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 36A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.