Інші пропозиції FDMS86200 за ціною від 63.33 грн до 277.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDMS86200 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS86200 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 7325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS86200 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86200 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 49 A, 0.015 ohm, Power 56, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 49A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 104W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm |
на замовлення 6765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
FDMS86200 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 2001000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS86200 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2715 pF @ 75 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FDMS86200 | ON-Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin Power 56 T/R FDMS86200 TFDMS86200кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 80 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS86200 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 489 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS86200 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS86200 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS86200 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS86200 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS86200 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS86200 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS86200 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS86200 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 963 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS86200 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS86200 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS86200 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS86200 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 2999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS86200 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2715 pF @ 75 V |
на замовлення 5168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS86200 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 894 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS86200 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FDMS86200 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 6233 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDMS86200 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 99.79 грн |
| FDMS86200 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 7325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 84+ | 168.59 грн |
| 250+ | 116.80 грн |
| 500+ | 114.59 грн |
| 1000+ | 108.38 грн |
| 3000+ | 99.36 грн |
| FDMS86200 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86200 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 49 A, 0.015 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
Description: ONSEMI - FDMS86200 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 49 A, 0.015 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 6765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDMS86200 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2001000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 63.33 грн |
| FDMS86200 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2715 pF @ 75 V
Description: MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2715 pF @ 75 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 68.60 грн |
| FDMS86200 |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin Power 56 T/R FDMS86200 TFDMS86200
кількість в упаковці: 10 шт
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin Power 56 T/R FDMS86200 TFDMS86200
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 90.55 грн |
| FDMS86200 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 154+ | 91.55 грн |
| FDMS86200 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 97.21 грн |
| FDMS86200 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 98.05 грн |
| FDMS86200 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 98.11 грн |
| FDMS86200 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 98.11 грн |
| FDMS86200 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 99.03 грн |
| FDMS86200 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 99.03 грн |
| 6000+ | 95.79 грн |
| 9000+ | 93.42 грн |
| FDMS86200 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 109.08 грн |
| FDMS86200 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 963+ | 111.35 грн |
| FDMS86200 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 156.58 грн |
| 10+ | 134.65 грн |
| 100+ | 99.86 грн |
| 500+ | 90.58 грн |
| FDMS86200 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 213+ | 165.08 грн |
| 500+ | 148.69 грн |
| 1000+ | 136.98 грн |
| 10000+ | 117.41 грн |
| FDMS86200 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 213+ | 165.08 грн |
| 500+ | 148.69 грн |
| FDMS86200 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2999+ | 167.75 грн |
| FDMS86200 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2715 pF @ 75 V
Description: MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2715 pF @ 75 V
на замовлення 5168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 232.46 грн |
| 10+ | 145.65 грн |
| 100+ | 101.24 грн |
| 500+ | 77.17 грн |
| 1000+ | 75.88 грн |
| FDMS86200 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 51+ | 276.38 грн |
| 72+ | 196.16 грн |
| 124+ | 113.94 грн |
| 500+ | 99.65 грн |
| FDMS86200 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 277.93 грн |
| 10+ | 197.26 грн |
| 100+ | 114.57 грн |
| 500+ | 100.20 грн |
| FDMS86200 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 6233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)





