Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FDMS86200

FDMS86200

fdms86200-d.pdf
Код товару: 185473
Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

очікується 25 шт:
25 шт - очікується
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDMS86200 за ціною від 52.62 грн до 192.9 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+80.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2001000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+52.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : onsemi fdms86200-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2715 pF @ 75 V
на замовлення 15500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+73.57 грн
6000+ 68.18 грн
9000+ 65.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+74.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+74.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+75.1 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 59136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+75.1 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+80.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+114.88 грн
10+ 105.43 грн
100+ 93.79 грн
500+ 82.33 грн
1000+ 69.04 грн
3000+ 61.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
95+123.9 грн
103+ 113.71 грн
116+ 101.15 грн
500+ 88.79 грн
1000+ 74.46 грн
3000+ 66.76 грн
Мінімальне замовлення: 95
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : onsemi fdms86200-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2715 pF @ 75 V
на замовлення 16222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+163.21 грн
10+ 130.47 грн
100+ 103.87 грн
500+ 82.48 грн
1000+ 69.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : onsemi / Fairchild FDMS86200_D-2312831.pdf MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 34427 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+177.56 грн
10+ 145.47 грн
100+ 100.8 грн
500+ 84.99 грн
1000+ 72.47 грн
3000+ 67.86 грн
6000+ 66.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : ONSEMI fdms86200-d.pdf Description: ONSEMI - FDMS86200 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 49 A, 0.015 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 2019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+192.9 грн
10+ 156.69 грн
100+ 125.65 грн
500+ 96.08 грн
1000+ 73.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : ONSEMI FDMS86200.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 36A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 36A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : ONSEMI FDMS86200.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 36A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 36A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній

З цим товаром купують

LQH5BPN100MT0L
Код товару: 100923		 JELF243A-0086.pdf
LQH5BPN100MT0L
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові вивідні
товар відсутній
Відсмоктувач припою; анодований алюміній (SR-SH817A)
Код товару: 39889
Відсмоктувач припою; анодований алюміній (SR-SH817A)
Паяльне обладнання, витратні матеріали для пайки > Різне для пайки (платформи, тримачі та ін.)
Категорія: Відсмоктувач припою
Опис: Відсмоктувач припою. Анодований алюміній
у наявності: 9 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+750 грн
MC33063ADR
Код товару: 36210		 suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fmc33063a
MC33063ADR
Виробник: TI
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: SO-8
Призначення і характеристики: DC/DC Switching Regulators Peak Boost/ Buck/Inverting Swit
Напруга вхідна, V: 40 V
Iвых., A: 1,5 A
Fosc, kHz: 100 kHz
Темп.діапазон: -40…+85°C
у наявності: 19 шт
очікується: 800 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+12 грн
10+ 10.8 грн
100+ 9.7 грн
KX-3H 7.37280 MHz (кварцовий резонатор)
Код товару: 26308		 KX-3H.pdf
KX-3H 7.37280 MHz (кварцовий резонатор)
Виробник: Geyer/Strong
Кварцові резонатори, генератори, фільтри і т.п. > Резонатори і генератори
Частота, Hz: 7,3728 MHz
Корпус: HC-49/U3H-човник (ATS-49/U)
Тип: Резонатор кварцовий
Навантажувальна ємність: 16 pF
Стабільність при 25°C: +/-30ppm
Монтаж: THT
у наявності: 882 шт
очікується: 1000 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+7 грн
10+ 5.6 грн
100+ 4.1 грн
1000+ 3.1 грн
MAX3232EUE+
Код товару: 25131		 description max3222-max3241.pdf
MAX3232EUE+
Виробник: Maxim
Мікросхеми > Інтерфейсні
товар відсутній