FDMS86200 ON Semiconductor
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 86.83 грн |
| 6000+ | 83.99 грн |
| 9000+ | 81.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS86200 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMS86200 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 49 A, 0.015 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 49A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDMS86200 за ціною від 55.53 грн до 243.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDMS86200 Код товару: 185473
Додати до обраних
Обраний товар
|
 Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||
|
|
FDMS86200 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 2001000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMS86200 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 483 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDMS86200 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2715 pF @ 75 V |
на замовлення 33142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMS86200 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMS86200 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 486 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMS86200 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMS86200 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMS86200 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMS86200 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 489 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDMS86200 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 2514 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMS86200 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 11136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMS86200 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMS86200 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMS86200 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMS86200 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMS86200 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 963 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMS86200 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 1250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMS86200 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMS86200 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 2999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMS86200 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2715 pF @ 75 V |
на замовлення 34885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDMS86200 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 6589 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDMS86200 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86200 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 49 A, 0.015 ohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 49A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2034 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| FDMS86200 | Виробник : ON-Semicoductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin Power 56 T/R FDMS86200 TFDMS86200 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 80 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
|
FDMS86200 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
FDMS86200 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
FDMS86200 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 36A; 104W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 36A Power dissipation: 104W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 34mΩ Mounting: SMD Gate charge: 46nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: PowerTrench® |
товару немає в наявності |