FDMS86200DC

FDMS86200DC ON Semiconductor


fdms86200dc-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.3A 8-Pin Power 56 T/R
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+179.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86200DC ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMS86200DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 40 A, 0.014 ohm, Dual Cool 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: Dual Cool 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції FDMS86200DC за ціною від 139.02 грн до 405.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS86200DC FDMS86200DC Виробник : ON Semiconductor fdms86200dc-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.3A 8-Pin Power 56 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+194.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200DC FDMS86200DC Виробник : ONSEMI 2572530.pdf Description: ONSEMI - FDMS86200DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 40 A, 0.014 ohm, Dual Cool 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: Dual Cool 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+198.41 грн
500+152.90 грн
1000+139.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200DC FDMS86200DC Виробник : onsemi fdms86200dc-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 9.3A DLCOOL56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2955 pF @ 75 V
на замовлення 2332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+342.96 грн
10+255.87 грн
100+205.94 грн
500+167.72 грн
1000+166.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200DC FDMS86200DC Виробник : ONSEMI 2572530.pdf Description: ONSEMI - FDMS86200DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 40 A, 0.014 ohm, Dual Cool 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: Dual Cool 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+405.88 грн
10+275.80 грн
100+198.41 грн
500+152.90 грн
1000+139.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200DC FDMS86200DC Виробник : onsemi fdms86200dc-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 9.3A DLCOOL56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2955 pF @ 75 V
на замовлення 2163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200DC FDMS86200DC Виробник : ON Semiconductor fdms86200dc-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.3A 8-Pin Power 56 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200DC FDMS86200DC Виробник : ON Semiconductor fdms86200dc-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.3A 8-Pin Power 56 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200DC FDMS86200DC Виробник : ONSEMI fdms86200dc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 40A; 125W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200DC FDMS86200DC Виробник : onsemi / Fairchild fdms86200dc-d.pdf MOSFETs 150V/20V N Channel PowerTrench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200DC FDMS86200DC Виробник : ONSEMI fdms86200dc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 40A; 125W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.