Продукція > ONSEMI > FDMS86201
FDMS86201

FDMS86201 onsemi

fdms86201-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 120V 11.6A/49A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2735 pF @ 60 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+77.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86201 onsemi

Description: ONSEMI - FDMS86201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 35 A, 9600 µohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, Verlustleistung: 104W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm.

Інші пропозиції FDMS86201 за ціною від 68.51 грн до 256.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDMS86201 FDMS86201 onsemi / Fairchild FDMS86201-D.pdf MOSFETs 120V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 29122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.10 грн
10+105.37 грн
100+76.83 грн
500+76.12 грн
1000+74.01 грн
3000+68.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86201 FDMS86201 ON Semiconductor fdms86201-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 120V 11.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+171.27 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86201 FDMS86201 onsemi fdms86201-d.pdf MOSFETs 120V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 24953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+254.91 грн
10+163.73 грн
100+108.54 грн
500+90.92 грн
1000+84.58 грн
3000+79.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86201 FDMS86201 ONSEMI fdms86201-d.pdf Description: ONSEMI - FDMS86201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 35 A, 9600 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm
на замовлення 6605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+254.91 грн
10+166.10 грн
100+126.63 грн
500+98.50 грн
1000+84.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86201 FDMS86201 onsemi fdms86201-d.pdf Description: MOSFET N-CH 120V 11.6A/49A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2735 pF @ 60 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+256.91 грн
10+161.95 грн
100+112.96 грн
500+86.38 грн
1000+86.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86201 FDMS86201 ON Semiconductor fdms86201-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 120V 11.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86201 ON Semiconductor fdms86201-d.pdf
на замовлення 19815 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86201 FDMS86201-D.pdf
FDMS86201
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 120V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 29122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+129.10 грн
10+105.37 грн
100+76.83 грн
500+76.12 грн
1000+74.01 грн
3000+68.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86201 fdms86201-d.pdf
FDMS86201
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 120V 11.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+171.27 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86201 fdms86201-d.pdf
FDMS86201
Виробник: onsemi
MOSFETs 120V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 24953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+254.91 грн
10+163.73 грн
100+108.54 грн
500+90.92 грн
1000+84.58 грн
3000+79.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86201 fdms86201-d.pdf
FDMS86201
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 35 A, 9600 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm
на замовлення 6605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+254.91 грн
10+166.10 грн
100+126.63 грн
500+98.50 грн
1000+84.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86201 fdms86201-d.pdf
FDMS86201
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 120V 11.6A/49A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2735 pF @ 60 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+256.91 грн
10+161.95 грн
100+112.96 грн
500+86.38 грн
1000+86.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86201 fdms86201-d.pdf
FDMS86201
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 120V 11.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86201 fdms86201-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 19815 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.