FDMS86201 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 120V 11.6A/49A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2735 pF @ 60 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 76.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS86201 onsemi
Description: ONSEMI - FDMS86201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 35 A, 9600 µohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDMS86201 за ціною від 74.23 грн до 210.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMS86201 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 120V 11.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS86201 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 120V 11.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS86201 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 120V 11.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS86201 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 120V 11.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMS86201 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 120V 11.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS86201 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 120V 11.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS86201 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 120V 11.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS86201 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 120V 11.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS86201 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 120V 11.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMS86201 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 120V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 30076 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS86201 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 120V 11.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS86201 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 120V 11.6A/49A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta), 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 11.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2735 pF @ 60 V |
на замовлення 5659 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMS86201 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 35 A, 9600 µohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2547 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS86201 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 120V 11.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
FDMS86201 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 120V 11.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| FDMS86201 | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 19815 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |