Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMS86202
FDMS86202

FDMS86202 ON Semiconductor

fdms86202-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 120V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+183.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86202 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMS86202 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 64 A, 6000 µohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, Verlustleistung: 156W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm.

Інші пропозиції FDMS86202 за ціною від 142.13 грн до 346.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDMS86202 FDMS86202 ON Semiconductor fdms86202-d.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+184.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86202 FDMS86202 ON Semiconductor fdms86202-d.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+184.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86202 FDMS86202 onsemi fdms86202-d.pdf Description: MOSFET N-CH 120V 13.5A POWER56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 13.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+346.38 грн
10+222.00 грн
100+158.52 грн
500+142.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86202 FDMS86202 ONSEMI 2729312.pdf Description: ONSEMI - FDMS86202 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 64 A, 6000 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
на замовлення 3440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86202 FDMS86202 ONSEMI 2729312.pdf Description: ONSEMI - FDMS86202 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 64 A, 6000 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
на замовлення 3440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86202 ON Semiconductor fdms86202-d.pdf
на замовлення 6010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86202 fdms86202-d.pdf
FDMS86202
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 120V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+184.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86202 fdms86202-d.pdf
FDMS86202
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 120V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+184.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86202 fdms86202-d.pdf
FDMS86202
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 120V 13.5A POWER56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 13.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+346.38 грн
10+222.00 грн
100+158.52 грн
500+142.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86202 2729312.pdf
FDMS86202
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86202 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 64 A, 6000 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
на замовлення 3440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86202 2729312.pdf
FDMS86202
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86202 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 64 A, 6000 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
на замовлення 3440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86202 fdms86202-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 6010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.