FDMS86202 ON Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 154.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS86202 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMS86202 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 64 A, 6000 µohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDMS86202 за ціною від 116.90 грн до 358.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDMS86202 | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 120V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS86202 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 120V 13.5A 8-Pin Power 56 EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS86202 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 120V 13.5A 8-Pin Power 56 EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS86202 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 120V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMS86202 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86202 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 64 A, 6000 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 3450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS86202 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 120V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMS86202 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs CCI MOSFET |
на замовлення 2576 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMS86202 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 120V 13.5A POWER56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 13.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 60 V |
на замовлення 1924 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS86202 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86202 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 64 A, 6000 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 3450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDMS86202 | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 6010 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
|
FDMS86202 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 120V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FDMS86202 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 120V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FDMS86202 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 120V 13.5A POWER56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 13.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 60 V |
товару немає в наявності |