| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 349.52 грн |
| 10+ | 213.51 грн |
| 100+ | 148.39 грн |
| 500+ | 142.06 грн |
| 1000+ | 137.13 грн |
| 3000+ | 120.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS86202 onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 120V 13.5A POWER56, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 13.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції FDMS86202 за ціною від 145.11 грн до 353.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMS86202 | onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 120V 13.5A POWER56Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 13.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1924 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| FDMS86202 | ON Semiconductor |
|
на замовлення 6010 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDMS86202 |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 120V 13.5A POWER56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 13.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 120V 13.5A POWER56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 13.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 353.65 грн |
| 10+ | 226.65 грн |
| 100+ | 161.85 грн |
| 500+ | 145.11 грн |
| FDMS86202 |
|
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 6010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.