Продукція > ONSEMI > FDMS86202ET120
FDMS86202ET120

FDMS86202ET120 onsemi

fdms86202et120-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 120V 13.5/102A PWR56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4585 pF @ 60 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+215.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86202ET120 onsemi

Description: MOSFET N-CH 120V 13.5/102A PWR56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 102A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 13.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4585 pF @ 60 V.

Інші пропозиції FDMS86202ET120 за ціною від 194.59 грн до 526.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS86202ET120 FDMS86202ET120 Виробник : ONSEMI FAIR-S-A0002363668-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDMS86202ET120 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
110+363.02 грн
Мінімальне замовлення: 110
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86202ET120 FDMS86202ET120 Виробник : onsemi / Fairchild fdms86202et120-d.pdf MOSFETs 120V N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET
на замовлення 2825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+480.04 грн
10+333.41 грн
25+284.07 грн
100+217.44 грн
250+216.71 грн
500+205.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86202ET120 FDMS86202ET120 Виробник : onsemi fdms86202et120-d.pdf Description: MOSFET N-CH 120V 13.5/102A PWR56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4585 pF @ 60 V
на замовлення 9920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+526.66 грн
10+342.20 грн
100+248.82 грн
500+196.17 грн
1000+194.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86202ET120 Виробник : ON Semiconductor fdms86202et120-d.pdf
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86202ET120 FDMS86202ET120 Виробник : ON Semiconductor fdms86202et120jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86202ET120 Виробник : ONSEMI fdms86202et120-d.pdf FDMS86202ET120 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.