FDMS86202ET120 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 120V 13.5/102A PWR56
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 13.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 102A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4585 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS86202ET120 onsemi
Description: MOSFET N-CH 120V 13.5/102A PWR56, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 13.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 102A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4585 pF @ 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Part Status: Active.
Інші пропозиції FDMS86202ET120 за ціною від 198.76 грн до 523.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDMS86202ET120 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 120V 13.5/102A PWR56 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4585 pF @ 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 13.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 102A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 8545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FDMS86202ET120 | onsemi |
MOSFETs 120V N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET |
на замовлення 2140 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| FDMS86202ET120 | ON Semiconductor |
|
на замовлення 2980 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDMS86202ET120 |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 120V 13.5/102A PWR56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4585 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 13.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 102A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 120V 13.5/102A PWR56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4585 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 13.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 102A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 474.96 грн |
| 10+ | 308.48 грн |
| 100+ | 228.76 грн |
| FDMS86202ET120 |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs 120V N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET
MOSFETs 120V N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 523.80 грн |
| 10+ | 323.41 грн |
| 100+ | 220.61 грн |
| 500+ | 210.04 грн |
| 1000+ | 198.76 грн |
| FDMS86202ET120 |
|
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)