на замовлення 44469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 59.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS86250 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMS86250 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 30 A, 0.025 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDMS86250 за ціною від 70.42 грн до 221.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMS86250 | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 150V 6.7A/20A 8PQFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 75 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86250 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 6.7A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86250 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 6.7A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86250 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 6.7A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86250 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 6.7A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86250 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 6.7A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS86250 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86250 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 30 A, 0.025 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2017 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86250 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 6.7A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS86250 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 8098 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86250 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86250 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 30 A, 0.025 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2017 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86250 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 6.7A/20A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 75 V |
на замовлення 7783 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDMS86250 | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
FDMS86250 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 6.7A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |