на замовлення 44458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 75.22 грн |
3000+ | 72.93 грн |
6000+ | 69.82 грн |
12000+ | 67.12 грн |
18000+ | 61.33 грн |
30000+ | 58.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS86250 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 150V 6.7A/20A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta), 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 75 V.
Інші пропозиції FDMS86250 за ціною від 68.79 грн до 215.75 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDMS86250 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 6.7A/20A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 75 V |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FDMS86250 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 6.7A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FDMS86250 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 6.7A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FDMS86250 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 6.7A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FDMS86250 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 6.7A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FDMS86250 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86250 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 30 A, 0.019 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm |
на замовлення 395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FDMS86250 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 6.7A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FDMS86250 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 6.7A/20A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 75 V |
на замовлення 9704 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FDMS86250 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86250 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 30 A, 0.019 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm |
на замовлення 395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FDMS86250 | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET FET 150V 25.0 MOHM PQFN56 |
на замовлення 3313 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FDMS86250 | Виробник : ON Semiconductor |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
FDMS86250 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 6.7A 8-Pin PQFN EP T/R |
товар відсутній |