Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMS86250
FDMS86250

FDMS86250 ON Semiconductor

fdms86250-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 6.7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 44469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+56.46 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86250 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMS86250 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 30 A, 0.019 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDMS86250 за ціною від 80.54 грн до 232.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS86250 FDMS86250 Виробник : onsemi fdms86250-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 6.7A/20A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 75 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+84.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86250 FDMS86250 Виробник : ON Semiconductor 3666045243430781fdms86250.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 6.7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+88.64 грн
6000+85.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86250 FDMS86250 Виробник : ON Semiconductor 3666045243430781fdms86250.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 6.7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+89.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86250 FDMS86250 Виробник : ON Semiconductor fdms86250-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 6.7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+89.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86250 FDMS86250 Виробник : ON Semiconductor 3666045243430781fdms86250.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 6.7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+90.98 грн
6000+87.47 грн
9000+85.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86250 FDMS86250 Виробник : ON Semiconductor fdms86250-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 6.7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+96.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86250 FDMS86250 Виробник : ONSEMI 2729310.pdf Description: ONSEMI - FDMS86250 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 30 A, 0.019 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+121.89 грн
500+98.93 грн
1000+85.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86250 FDMS86250 Виробник : ON Semiconductor fdms86250-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 6.7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+143.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86250 FDMS86250 Виробник : onsemi fdms86250-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 6.7A/20A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 75 V
на замовлення 6618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+201.37 грн
10+145.16 грн
100+102.92 грн
500+83.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86250 FDMS86250 Виробник : ONSEMI 2729310.pdf Description: ONSEMI - FDMS86250 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 30 A, 0.019 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+228.43 грн
10+170.47 грн
100+121.89 грн
500+98.93 грн
1000+85.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86250 FDMS86250 Виробник : onsemi / Fairchild fdms86250-d.pdf MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 8098 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+232.25 грн
10+174.76 грн
100+108.65 грн
250+104.85 грн
500+94.22 грн
1000+86.62 грн
3000+80.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86250 Виробник : ON Semiconductor fdms86250-d.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86250 FDMS86250 Виробник : ON Semiconductor fdms86250-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 6.7A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86250 Виробник : ONSEMI fdms86250-d.pdf FDMS86250 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.