
FDMS86252 onsemi

Description: MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 69.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS86252 onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 4.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V.
Інші пропозиції FDMS86252 за ціною від 64.84 грн до 207.71 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDMS86252 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMS86252 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMS86252 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMS86252 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMS86252 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMS86252 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 6133 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMS86252 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 4.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V |
на замовлення 6243 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMS86252 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
FDMS86252 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
FDMS86252 | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |