Продукція > ONSEMI > FDMS86252
FDMS86252

FDMS86252 onsemi

fdms86252-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+70.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86252 onsemi

Description: MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 4.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V.

Інші пропозиції FDMS86252 за ціною від 74.45 грн до 229.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS86252 FDMS86252 Виробник : ON Semiconductor fdms86252jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+85.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252 FDMS86252 Виробник : ON Semiconductor fdms86252jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+91.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252 FDMS86252 Виробник : ON Semiconductor fdms86252jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+92.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252 FDMS86252 Виробник : ON Semiconductor fdms86252jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
96+133.46 грн
Мінімальне замовлення: 96
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252 FDMS86252 Виробник : ON Semiconductor fdms86252jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
91+140.68 грн
108+118.51 грн
111+115.95 грн
500+88.79 грн
Мінімальне замовлення: 91
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252 FDMS86252 Виробник : ON Semiconductor fdms86252jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
89+144.21 грн
106+120.83 грн
131+94.56 грн
250+87.02 грн
500+74.86 грн
1000+74.45 грн
Мінімальне замовлення: 89
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252 FDMS86252 Виробник : ON Semiconductor fdms86252jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+154.51 грн
10+129.84 грн
25+129.46 грн
100+101.32 грн
250+93.23 грн
500+80.20 грн
1000+79.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252 FDMS86252 Виробник : onsemi / Fairchild FDMS86252-D.pdf MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 3783 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+229.13 грн
10+156.08 грн
100+95.00 грн
500+80.63 грн
1000+77.60 грн
3000+74.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252 FDMS86252 Виробник : onsemi fdms86252-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V
на замовлення 4772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+229.72 грн
10+143.54 грн
100+99.34 грн
500+78.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252 FDMS86252 Виробник : ON Semiconductor fdms86252jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252 FDMS86252 Виробник : ON Semiconductor fdms86252jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.