Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMS86252
FDMS86252

FDMS86252 ON Semiconductor

fdms86252jp-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+86.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86252 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 4.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V.

Інші пропозиції FDMS86252 за ціною від 65.48 грн до 314.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS86252 FDMS86252 Виробник : ON Semiconductor fdms86252jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+92.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252 FDMS86252 Виробник : ON Semiconductor fdms86252jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+93.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252 FDMS86252 Виробник : ON Semiconductor fdms86252jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
96+134.99 грн
Мінімальне замовлення: 96
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252 FDMS86252 Виробник : ON Semiconductor fdms86252jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
233+139.06 грн
Мінімальне замовлення: 233
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252 FDMS86252 Виробник : ON Semiconductor fdms86252jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
91+142.30 грн
108+119.87 грн
111+117.29 грн
500+89.81 грн
Мінімальне замовлення: 91
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252 FDMS86252 Виробник : onsemi / Fairchild FDMS86252-D.pdf MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 3783 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+200.56 грн
10+136.62 грн
100+83.16 грн
500+70.58 грн
1000+67.93 грн
3000+65.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252 FDMS86252 Виробник : onsemi fdms86252-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V
на замовлення 2933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+230.35 грн
10+144.67 грн
100+100.30 грн
500+76.35 грн
1000+74.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252 FDMS86252 Виробник : onsemi fdms86252-d.pdf MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 3239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+238.07 грн
10+151.09 грн
100+93.64 грн
500+78.97 грн
1000+73.38 грн
3000+68.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252 FDMS86252 Виробник : ON Semiconductor fdms86252jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+293.49 грн
68+191.07 грн
100+132.49 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252 FDMS86252 Виробник : ON Semiconductor fdms86252jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+314.46 грн
10+204.72 грн
100+141.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252 Виробник : ONN fdms86252-d.pdf
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252 FDMS86252 Виробник : ON Semiconductor fdms86252jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252 FDMS86252 Виробник : onsemi fdms86252-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252 Виробник : ONSEMI fdms86252-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 16A; 69W; PQFN8
Case: PQFN8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 16A
On-state resistance: 96mΩ
Power dissipation: 69W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.