Продукція > ONSEMI > FDMS86252
FDMS86252

FDMS86252 onsemi

fdms86252-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+71.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86252 onsemi

Description: MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 4.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V.

Інші пропозиції FDMS86252 за ціною від 73.93 грн до 230.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS86252 FDMS86252 Виробник : ON Semiconductor fdms86252jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+84.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252 FDMS86252 Виробник : ON Semiconductor fdms86252jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+90.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252 FDMS86252 Виробник : ON Semiconductor fdms86252jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+91.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252 FDMS86252 Виробник : ON Semiconductor fdms86252jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
96+132.54 грн
Мінімальне замовлення: 96
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252 FDMS86252 Виробник : ON Semiconductor fdms86252jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
91+139.71 грн
108+117.69 грн
111+115.15 грн
500+88.18 грн
Мінімальне замовлення: 91
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252 FDMS86252 Виробник : ON Semiconductor fdms86252jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
89+143.21 грн
106+120.00 грн
131+93.91 грн
250+86.42 грн
500+74.34 грн
1000+73.93 грн
Мінімальне замовлення: 89
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252 FDMS86252 Виробник : ON Semiconductor fdms86252jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+153.44 грн
10+128.95 грн
25+128.57 грн
100+100.62 грн
250+92.59 грн
500+79.65 грн
1000+79.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252 FDMS86252 Виробник : onsemi / Fairchild FDMS86252-D.pdf MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 3783 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+230.26 грн
10+156.85 грн
100+95.47 грн
500+81.03 грн
1000+77.98 грн
3000+75.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252 FDMS86252 Виробник : onsemi fdms86252-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V
на замовлення 4772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+230.85 грн
10+144.24 грн
100+99.83 грн
500+78.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252 FDMS86252 Виробник : ON Semiconductor fdms86252jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252 FDMS86252 Виробник : ON Semiconductor fdms86252jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.