Продукція > ONSEMI > FDMS86252
FDMS86252

FDMS86252 onsemi

fdms86252-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+67.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86252 onsemi

Description: MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 4.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V.

Інші пропозиції FDMS86252 за ціною від 70.85 грн до 218.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS86252 FDMS86252 Виробник : ON Semiconductor fdms86252jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+81.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252 FDMS86252 Виробник : ON Semiconductor fdms86252jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+86.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252 FDMS86252 Виробник : ON Semiconductor fdms86252jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+87.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252 FDMS86252 Виробник : ON Semiconductor fdms86252jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
96+127.01 грн
Мінімальне замовлення: 96
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252 FDMS86252 Виробник : ON Semiconductor fdms86252jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
91+133.89 грн
108+112.79 грн
111+110.36 грн
500+84.51 грн
Мінімальне замовлення: 91
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252 FDMS86252 Виробник : ON Semiconductor fdms86252jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
89+137.25 грн
106+115.00 грн
131+90.00 грн
250+82.82 грн
500+71.24 грн
1000+70.85 грн
Мінімальне замовлення: 89
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252 FDMS86252 Виробник : ON Semiconductor fdms86252jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+147.05 грн
10+123.58 грн
25+123.21 грн
100+96.43 грн
250+88.73 грн
500+76.33 грн
1000+75.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252 FDMS86252 Виробник : onsemi fdms86252-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V
на замовлення 5068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+202.19 грн
10+134.63 грн
100+93.65 грн
500+74.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252 FDMS86252 Виробник : onsemi / Fairchild FDMS86252-D.pdf MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 4063 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+218.07 грн
10+148.54 грн
100+90.42 грн
500+76.74 грн
1000+73.85 грн
3000+71.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252 FDMS86252 Виробник : ON Semiconductor fdms86252jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252 FDMS86252 Виробник : ON Semiconductor fdms86252jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252 Виробник : ONSEMI fdms86252-d.pdf FDMS86252 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.