Продукція > ONSEMI > FDMS86252
FDMS86252

FDMS86252 onsemi

fdms86252-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+71.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86252 onsemi

Description: MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 4.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V.

Інші пропозиції FDMS86252 за ціною від 80.59 грн до 242.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDMS86252 FDMS86252 ON Semiconductor fdms86252jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+113.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252 FDMS86252 ON Semiconductor fdms86252jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+159.11 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252 FDMS86252 ON Semiconductor fdms86252jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+161.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252 FDMS86252 ON Semiconductor fdms86252jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+171.98 грн
10+142.09 грн
25+140.66 грн
100+98.86 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252 FDMS86252 ON Semiconductor fdms86252jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+171.98 грн
100+142.09 грн
101+140.66 грн
138+98.86 грн
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252 FDMS86252 ON Semiconductor fdms86252jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+238.20 грн
10+173.14 грн
100+126.72 грн
500+105.12 грн
1000+94.27 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252 FDMS86252 ON Semiconductor fdms86252jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+238.20 грн
82+173.14 грн
112+126.72 грн
500+105.12 грн
1000+94.27 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252 FDMS86252 onsemi fdms86252-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V
на замовлення 6348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+242.98 грн
10+152.09 грн
50+117.01 грн
100+99.19 грн
500+80.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252 FDMS86252 onsemi fdms86252-d.pdf MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 2907 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252 fdms86252jp-d.pdf
FDMS86252
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+113.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252 fdms86252jp-d.pdf
FDMS86252
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
223+159.11 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252 fdms86252jp-d.pdf
FDMS86252
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+161.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252 fdms86252jp-d.pdf
FDMS86252
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+171.98 грн
10+142.09 грн
25+140.66 грн
100+98.86 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252 fdms86252jp-d.pdf
FDMS86252
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
83+171.98 грн
100+142.09 грн
101+140.66 грн
138+98.86 грн
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252 fdms86252jp-d.pdf
FDMS86252
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+238.20 грн
10+173.14 грн
100+126.72 грн
500+105.12 грн
1000+94.27 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252 fdms86252jp-d.pdf
FDMS86252
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
60+238.20 грн
82+173.14 грн
112+126.72 грн
500+105.12 грн
1000+94.27 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252 fdms86252-d.pdf
FDMS86252
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V
на замовлення 6348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+242.98 грн
10+152.09 грн
50+117.01 грн
100+99.19 грн
500+80.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252 fdms86252-d.pdf
FDMS86252
Виробник: onsemi
MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 2907 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.