Технічний опис FDMS86252 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 4.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V.
Інші пропозиції FDMS86252 за ціною від 74.50 грн до 238.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDMS86252 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS86252 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS86252 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 2855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS86252 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8PQFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 4.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V |
на замовлення 2933 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FDMS86252 | onsemi |
MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 2967 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| FDMS86252 | ONN |
|
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDMS86252 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 172.37 грн |
| 10+ | 142.40 грн |
| 25+ | 140.98 грн |
| 100+ | 99.08 грн |
| FDMS86252 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 83+ | 172.37 грн |
| 100+ | 142.40 грн |
| 101+ | 140.98 грн |
| 138+ | 99.08 грн |
| FDMS86252 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 66+ | 215.65 грн |
| 100+ | 149.54 грн |
| 500+ | 121.30 грн |
| 1000+ | 114.23 грн |
| FDMS86252 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V
Description: MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V
на замовлення 2933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 230.17 грн |
| 10+ | 144.56 грн |
| 100+ | 100.22 грн |
| 500+ | 76.29 грн |
| 1000+ | 74.50 грн |




