Продукція > ONSEMI > FDMS86252L
FDMS86252L

FDMS86252L onsemi

fdms86252l-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 4.4A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 75 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+59.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86252L onsemi

Description: ONSEMI - FDMS86252L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 12 A, 0.056 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDMS86252L за ціною від 54.83 грн до 223.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS86252L FDMS86252L Виробник : ON Semiconductor fdms86252l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+70.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252L FDMS86252L Виробник : ON Semiconductor fdms86252l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+71.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252L FDMS86252L Виробник : ON Semiconductor fdms86252l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+78.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252L FDMS86252L Виробник : ON Semiconductor fdms86252l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+80.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252L FDMS86252L Виробник : ONSEMI 2572531.pdf Description: ONSEMI - FDMS86252L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 12 A, 0.056 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 14418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+94.01 грн
500+72.38 грн
1000+63.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252L FDMS86252L Виробник : ON Semiconductor fdms86252l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 5470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
261+118.34 грн
Мінімальне замовлення: 261
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252L FDMS86252L Виробник : ON Semiconductor fdms86252l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
90+137.47 грн
105+118.54 грн
132+93.84 грн
500+72.16 грн
1000+63.28 грн
2000+57.79 грн
3000+54.83 грн
Мінімальне замовлення: 90
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252L FDMS86252L Виробник : ONSEMI fdms86252l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 12A; 50W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 12A
Power dissipation: 50W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+173.49 грн
5+128.56 грн
10+111.90 грн
100+78.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252L FDMS86252L Виробник : onsemi fdms86252l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 4.4A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 75 V
на замовлення 3163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+199.44 грн
10+124.52 грн
100+85.77 грн
500+66.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252L FDMS86252L Виробник : ONSEMI fdms86252l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 12A; 50W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 12A
Power dissipation: 50W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2703 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+208.19 грн
5+160.21 грн
10+134.28 грн
100+94.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252L FDMS86252L Виробник : ONSEMI 2572531.pdf Description: ONSEMI - FDMS86252L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 12 A, 0.056 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 14418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+208.53 грн
10+136.74 грн
100+94.01 грн
500+72.38 грн
1000+63.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252L FDMS86252L Виробник : onsemi / Fairchild fdms86252l-d.pdf MOSFETs 150V N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+223.10 грн
10+145.44 грн
100+86.85 грн
500+72.00 грн
1000+66.13 грн
3000+60.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252L FDMS86252L Виробник : ON Semiconductor fdms86252l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252L FDMS86252L Виробник : ON Semiconductor 3648081128567036fdms86252l.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252L FDMS86252L Виробник : ON Semiconductor fdms86252l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.