Продукція > ONSEMI > FDMS86252L
FDMS86252L

FDMS86252L onsemi

fdms86252l-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 4.4A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 75 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+60.43 грн
6000+ 56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86252L onsemi

Description: MOSFET N-CH 150V 4.4A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 75 V.

Інші пропозиції FDMS86252L за ціною від 55.14 грн до 168.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDMS86252L FDMS86252L Виробник : ONSEMI 2572531.pdf Description: ONSEMI - FDMS86252L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 12 A, 0.046 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
на замовлення 20475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+98.06 грн
500+ 75.11 грн
1000+ 62.46 грн
3000+ 58.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDMS86252L FDMS86252L Виробник : onsemi fdms86252l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 4.4A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 75 V
на замовлення 8040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+134.32 грн
10+ 107.17 грн
100+ 85.32 грн
500+ 67.75 грн
1000+ 57.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDMS86252L FDMS86252L Виробник : onsemi / Fairchild FDMS86252L_D-2312557.pdf MOSFET 150V N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET
на замовлення 15674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+147.21 грн
10+ 114.4 грн
100+ 83.45 грн
250+ 79.45 грн
500+ 70.1 грн
1000+ 59.82 грн
3000+ 55.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDMS86252L FDMS86252L Виробник : ONSEMI 2572531.pdf Description: ONSEMI - FDMS86252L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 12 A, 0.046 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
на замовлення 20475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+168.51 грн
10+ 130.31 грн
25+ 118.33 грн
100+ 98.06 грн
500+ 75.11 грн
1000+ 62.46 грн
3000+ 58.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDMS86252L FDMS86252L Виробник : ON Semiconductor 3648081128567036fdms86252l.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
FDMS86252L Виробник : ONSEMI fdms86252l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 12A; 50W; PQFN8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Drain current: 12A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PQFN8
On-state resistance: 0.11Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMS86252L Виробник : ONSEMI fdms86252l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 12A; 50W; PQFN8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Drain current: 12A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PQFN8
On-state resistance: 0.11Ω
товар відсутній