Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMS86252L
FDMS86252L

FDMS86252L ON Semiconductor

fdms86252l-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+71.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86252L ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMS86252L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 12 A, 0.056 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDMS86252L за ціною від 55.22 грн до 227.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS86252L FDMS86252L Виробник : ON Semiconductor fdms86252l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+71.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252L FDMS86252L Виробник : ON Semiconductor fdms86252l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+79.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252L FDMS86252L Виробник : ON Semiconductor fdms86252l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+80.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252L FDMS86252L Виробник : ONSEMI 2572531.pdf Description: ONSEMI - FDMS86252L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 12 A, 0.056 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 14116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+95.80 грн
500+73.75 грн
1000+64.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252L FDMS86252L Виробник : ON Semiconductor fdms86252l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 5470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
261+119.18 грн
Мінімальне замовлення: 261
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252L FDMS86252L Виробник : ON Semiconductor fdms86252l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
90+138.46 грн
105+119.39 грн
132+94.52 грн
500+72.67 грн
1000+63.74 грн
2000+58.20 грн
3000+55.22 грн
Мінімальне замовлення: 90
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252L FDMS86252L Виробник : ONSEMI fdms86252l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 12A; 50W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 12A
Power dissipation: 50W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+176.79 грн
5+131.01 грн
10+114.02 грн
100+80.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252L FDMS86252L Виробник : onsemi fdms86252l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 4.4A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 75 V
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+205.75 грн
10+128.58 грн
100+88.57 грн
500+68.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252L FDMS86252L Виробник : ONSEMI fdms86252l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 12A; 50W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 12A
Power dissipation: 50W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2703 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+212.15 грн
5+163.25 грн
10+136.83 грн
100+96.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252L FDMS86252L Виробник : ONSEMI 2572531.pdf Description: ONSEMI - FDMS86252L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 12 A, 0.056 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 14116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+212.50 грн
10+139.34 грн
100+95.80 грн
500+73.75 грн
1000+64.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252L FDMS86252L Виробник : onsemi / Fairchild fdms86252l-d.pdf MOSFETs 150V N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+227.34 грн
10+148.20 грн
100+88.50 грн
500+73.36 грн
1000+67.39 грн
3000+61.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252L FDMS86252L Виробник : ON Semiconductor fdms86252l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252L FDMS86252L Виробник : ON Semiconductor 3648081128567036fdms86252l.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252L FDMS86252L Виробник : ON Semiconductor fdms86252l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252L FDMS86252L Виробник : onsemi fdms86252l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 4.4A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.