FDMS86252L ON Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 74.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS86252L ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMS86252L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 12 A, 0.056 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDMS86252L за ціною від 55.17 грн до 246.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDMS86252L | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86252L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86252L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS86252L | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86252L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 12 A, 0.056 ohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 14116 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86252L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 5470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86252L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS86252L | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 4.4A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 75 V |
на замовлення 2790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86252L | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86252L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 12 A, 0.056 ohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 14116 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS86252L | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 150V N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET |
на замовлення 1540 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDMS86252L | Виробник : ONSEMI |
FDMS86252L SMD N channel transistors |
на замовлення 2703 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
FDMS86252L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
FDMS86252L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
FDMS86252L | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 4.4A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 75 V |
товару немає в наявності |