FDMS86255

FDMS86255 ON Semiconductor


fdms86255-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 300000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+97.37 грн
75000+88.97 грн
150000+82.79 грн
225000+75.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86255 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMS86255 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 45 A, 0.0124 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 113W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDMS86255 за ціною від 129.31 грн до 294.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS86255 FDMS86255 Виробник : onsemi fdms86255-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 10A/45A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4480 pF @ 75 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+136.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255 FDMS86255 Виробник : ON Semiconductor fdms86255-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+153.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255 FDMS86255 Виробник : ON Semiconductor fdms86255-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+164.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255 FDMS86255 Виробник : ON Semiconductor fdms86255-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+174.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255 FDMS86255 Виробник : ONSEMI 3974159.pdf Description: ONSEMI - FDMS86255 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 45 A, 0.0124 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 15784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+174.73 грн
500+144.84 грн
1000+129.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255 FDMS86255 Виробник : ON Semiconductor fdms86255-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+175.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255 FDMS86255 Виробник : ON Semiconductor fdms86255-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
66+185.01 грн
71+171.86 грн
100+163.69 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255 FDMS86255 Виробник : ON Semiconductor fdms86255-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+198.22 грн
10+185.18 грн
25+184.14 грн
100+175.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255 FDMS86255 Виробник : ON Semiconductor fdms86255-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+204.29 грн
300+195.70 грн
500+190.92 грн
1000+176.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255 FDMS86255 Виробник : ON Semiconductor fdms86255-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 162639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
147+207.93 грн
Мінімальне замовлення: 147
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255 FDMS86255 Виробник : ON Semiconductor fdms86255-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 2837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
147+207.93 грн
Мінімальне замовлення: 147
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255 FDMS86255 Виробник : ON Semiconductor fdms86255-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 21488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
147+207.93 грн
Мінімальне замовлення: 147
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255 FDMS86255 Виробник : ON Semiconductor fdms86255-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
147+207.93 грн
Мінімальне замовлення: 147
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255 FDMS86255 Виробник : ON Semiconductor fdms86255-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+224.34 грн
300+219.57 грн
500+186.15 грн
1000+174.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255 FDMS86255 Виробник : onsemi fdms86255-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 10A/45A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4480 pF @ 75 V
на замовлення 9935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+253.15 грн
10+196.13 грн
100+163.07 грн
500+150.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255 FDMS86255 Виробник : ONSEMI 3974159.pdf Description: ONSEMI - FDMS86255 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 45 A, 0.0124 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 15784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+260.82 грн
10+210.53 грн
100+174.73 грн
500+144.84 грн
1000+129.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255 FDMS86255 Виробник : onsemi / Fairchild FDMS86255-D.PDF MOSFETs 150V N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET
на замовлення 7879 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+269.48 грн
10+214.08 грн
100+155.00 грн
500+145.88 грн
1000+140.57 грн
3000+132.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255 FDMS86255 Виробник : ON Semiconductor fdms86255-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+294.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255 Виробник : ONSEMI fdms86255-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 62A; Idm: 271A; 113W; PQFN8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PQFN8
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 12.4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 62A
Power dissipation: 113W
Drain-source voltage: 150V
Pulsed drain current: 271A
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255 FDMS86255 Виробник : ON Semiconductor fdms86255-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255 FDMS86255 Виробник : ON Semiconductor fdms86255-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255 Виробник : ONSEMI fdms86255-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 62A; Idm: 271A; 113W; PQFN8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PQFN8
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 12.4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 62A
Power dissipation: 113W
Drain-source voltage: 150V
Pulsed drain current: 271A
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.