| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 113.40 грн |
| 75000+ | 103.62 грн |
| 150000+ | 96.42 грн |
| 225000+ | 87.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS86255 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMS86255 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 45 A, 0.0124 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 113W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm.
Інші пропозиції FDMS86255 за ціною від 135.04 грн до 396.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDMS86255 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 10A/45A POWER56Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4480 pF @ 75 V |
на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
FDMS86255 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R |
на замовлення 510000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
FDMS86255 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R |
на замовлення 600000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
FDMS86255 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
FDMS86255 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
FDMS86255 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
FDMS86255 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R |
на замовлення 213 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
FDMS86255 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
FDMS86255 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 20737 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
FDMS86255 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 2595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
FDMS86255 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 153356 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
FDMS86255 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
FDMS86255 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
FDMS86255 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 2793 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
FDMS86255 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
FDMS86255 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 10A/45A POWER56Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4480 pF @ 75 V |
на замовлення 70685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
FDMS86255 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FDMS86255 | onsemi |
MOSFETs 150V N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET |
на замовлення 18330 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
FDMS86255 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 150V N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET |
на замовлення 6334 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
FDMS86255 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86255 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 45 A, 0.0124 ohm, Power 56, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 113W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm |
на замовлення 13989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
FDMS86255 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86255 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 45 A, 0.0124 ohm, Power 56, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 113W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm |
на замовлення 13989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FDMS86255 | ONN |
|
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDMS86255 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 10A/45A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4480 pF @ 75 V
Description: MOSFET N-CH 150V 10A/45A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4480 pF @ 75 V
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 135.04 грн |
| FDMS86255 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 510000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 174.12 грн |
| 126000+ | 159.88 грн |
| 252000+ | 149.54 грн |
| 378000+ | 136.72 грн |
| FDMS86255 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 178.74 грн |
| FDMS86255 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 185.86 грн |
| FDMS86255 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 191.27 грн |
| FDMS86255 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 204.86 грн |
| FDMS86255 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 66+ | 215.46 грн |
| 71+ | 200.15 грн |
| 100+ | 190.63 грн |
| FDMS86255 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 154+ | 230.34 грн |
| 500+ | 218.53 грн |
| FDMS86255 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 20737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 154+ | 230.34 грн |
| 500+ | 218.53 грн |
| 1000+ | 205.54 грн |
| 10000+ | 186.81 грн |
| FDMS86255 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 154+ | 230.34 грн |
| 500+ | 218.53 грн |
| 1000+ | 205.54 грн |
| FDMS86255 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 153356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 154+ | 230.34 грн |
| 500+ | 218.53 грн |
| 1000+ | 205.54 грн |
| 10000+ | 186.81 грн |
| FDMS86255 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 248.79 грн |
| 6000+ | 228.44 грн |
| FDMS86255 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 261.26 грн |
| 300+ | 255.71 грн |
| 500+ | 216.79 грн |
| 1000+ | 203.69 грн |
| FDMS86255 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 340.46 грн |
| 10+ | 274.16 грн |
| 100+ | 241.72 грн |
| FDMS86255 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 342.72 грн |
| FDMS86255 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 10A/45A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4480 pF @ 75 V
Description: MOSFET N-CH 150V 10A/45A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4480 pF @ 75 V
на замовлення 70685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 383.66 грн |
| 10+ | 246.20 грн |
| 100+ | 176.31 грн |
| 500+ | 149.37 грн |
| FDMS86255 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 36+ | 396.90 грн |
| 100+ | 274.61 грн |
| 250+ | 269.05 грн |
| 500+ | 247.64 грн |
| FDMS86255 |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 150V N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET
MOSFETs 150V N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET
на замовлення 18330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FDMS86255 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 150V N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET
MOSFETs 150V N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET
на замовлення 6334 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FDMS86255 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86255 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 45 A, 0.0124 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 113W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
Description: ONSEMI - FDMS86255 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 45 A, 0.0124 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 113W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
на замовлення 13989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDMS86255 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86255 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 45 A, 0.0124 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 113W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
Description: ONSEMI - FDMS86255 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 45 A, 0.0124 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 113W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
на замовлення 13989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





