 
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 3000+ | 99.02 грн | 
| 75000+ | 90.48 грн | 
| 150000+ | 84.19 грн | 
| 225000+ | 76.57 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS86255 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMS86255 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 45 A, 0.0124 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 113W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024). 
Інші пропозиції FDMS86255 за ціною від 129.97 грн до 299.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | FDMS86255 | Виробник : onsemi |  Description: MOSFET N-CH 150V 10A/45A POWER56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4480 pF @ 75 V | на замовлення 6000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | FDMS86255 | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R | на замовлення 600000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | FDMS86255 | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R | на замовлення 3000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | FDMS86255 | Виробник : ONSEMI |  Description: ONSEMI - FDMS86255 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 45 A, 0.0124 ohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 113W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 14769 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | FDMS86255 | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R | на замовлення 3000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | FDMS86255 | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R | на замовлення 213 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | FDMS86255 | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 6000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | FDMS86255 | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 596 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | FDMS86255 | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 156639 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | FDMS86255 | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 2595 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | FDMS86255 | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 21488 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | FDMS86255 | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R | на замовлення 2900 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | FDMS86255 | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 5000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | FDMS86255 | Виробник : onsemi |  Description: MOSFET N-CH 150V 10A/45A POWER56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4480 pF @ 75 V | на замовлення 9935 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | FDMS86255 | Виробник : ONSEMI |  Description: ONSEMI - FDMS86255 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 45 A, 0.0124 ohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 113W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 14769 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | FDMS86255 | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 6000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | FDMS86255 | Виробник : onsemi / Fairchild |  MOSFETs 150V N-Channel Shielded Gate PowerTrench  MOSFET | на замовлення 7844 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | FDMS86255 | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R | на замовлення 3000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | FDMS86255 | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||
|   | FDMS86255 | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||
|   | FDMS86255 | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||
| FDMS86255 | Виробник : ONSEMI |  Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 62A; Idm: 271A; 113W; PQFN8 Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Case: PQFN8 Gate charge: 45nC On-state resistance: 12.4mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 62A Power dissipation: 113W Drain-source voltage: 150V Pulsed drain current: 271A Polarisation: unipolar | товару немає в наявності |