FDMS86255ET150 ON Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 75+ | 188.48 грн |
| 78+ | 179.08 грн |
| 79+ | 177.32 грн |
| 100+ | 163.54 грн |
| 250+ | 149.93 грн |
| 500+ | 140.34 грн |
| 1000+ | 138.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS86255ET150 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMS86255ET150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 63 A, 0.0124 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 63A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDMS86255ET150 за ціною від 202.36 грн до 546.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDMS86255ET150 | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS86255ET150 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS86255ET150 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin Power QFN EP T/R |
на замовлення 538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS86255ET150 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin Power QFN EP T/R |
на замовлення 1838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS86255ET150 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin Power QFN EP T/R |
на замовлення 2112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMS86255ET150 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86255ET150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 63 A, 0.0124 ohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2058 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMS86255ET150 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 10A/63A POWER56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4480 pF @ 75 V |
на замовлення 257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS86255ET150 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86255ET150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 63 A, 0.0124 ohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2058 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMS86255ET150 | Виробник : onsemi |
MOSFETs N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET |
на замовлення 991 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS86255ET150 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FDMS86255ET150 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 10A/63A POWER56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4480 pF @ 75 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| FDMS86255ET150 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 44A; Idm: 276A; 136W; Power56 Case: Power56 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 150V Pulsed drain current: 276A Drain current: 44A Gate charge: 63nC On-state resistance: 25mΩ Power dissipation: 136W Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar |
товару немає в наявності |