Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMS86255ET150
FDMS86255ET150

FDMS86255ET150 ON Semiconductor

fdms86255et150-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin Power QFN EP T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
75+197.84 грн
78+187.98 грн
79+186.12 грн
100+171.66 грн
250+157.37 грн
500+147.31 грн
1000+145.81 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 75 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86255ET150 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMS86255ET150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 63 A, 0.0124 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 63A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 136W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm.

Інші пропозиції FDMS86255ET150 за ціною від 189.59 грн до 616.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDMS86255ET150 FDMS86255ET150 ON Semiconductor fdms86255et150-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+273.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150 FDMS86255ET150 ON Semiconductor fdms86255et150-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+273.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150 FDMS86255ET150 ON Semiconductor fdms86255et150-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin Power QFN EP T/R
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+374.73 грн
103+358.86 грн
500+344.22 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150 FDMS86255ET150 ON Semiconductor fdms86255et150-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin Power QFN EP T/R
на замовлення 1838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+374.73 грн
103+358.86 грн
500+344.22 грн
1000+313.09 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150 FDMS86255ET150 ON Semiconductor fdms86255et150-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin Power QFN EP T/R
на замовлення 2112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+374.73 грн
103+358.86 грн
500+344.22 грн
1000+313.09 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150 FDMS86255ET150 onsemi fdms86255et150-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 10A/63A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4480 pF @ 75 V
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+504.67 грн
10+322.61 грн
100+237.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150 FDMS86255ET150 onsemi / Fairchild FDMS86255ET150-D.pdf MOSFETs N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET
на замовлення 4739 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+520.51 грн
10+346.95 грн
100+223.45 грн
1000+212.92 грн
3000+189.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150 FDMS86255ET150 onsemi fdms86255et150-d.pdf MOSFETs N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET
на замовлення 6615 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+616.18 грн
10+427.42 грн
100+300.19 грн
500+267.09 грн
1000+236.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150 FDMS86255ET150 ONSEMI ONSM-S-A0003584845-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS86255ET150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 63 A, 0.0124 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150 FDMS86255ET150 ONSEMI ONSM-S-A0003584845-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS86255ET150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 63 A, 0.0124 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150 fdms86255et150-d.pdf
FDMS86255ET150
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+273.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150 fdms86255et150-d.pdf
FDMS86255ET150
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+273.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150 fdms86255et150-d.pdf
FDMS86255ET150
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin Power QFN EP T/R
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
98+374.73 грн
103+358.86 грн
500+344.22 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150 fdms86255et150-d.pdf
FDMS86255ET150
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin Power QFN EP T/R
на замовлення 1838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
98+374.73 грн
103+358.86 грн
500+344.22 грн
1000+313.09 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150 fdms86255et150-d.pdf
FDMS86255ET150
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin Power QFN EP T/R
на замовлення 2112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
98+374.73 грн
103+358.86 грн
500+344.22 грн
1000+313.09 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150 fdms86255et150-d.pdf
FDMS86255ET150
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 10A/63A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4480 pF @ 75 V
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+504.67 грн
10+322.61 грн
100+237.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150 FDMS86255ET150-D.pdf
FDMS86255ET150
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET
на замовлення 4739 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+520.51 грн
10+346.95 грн
100+223.45 грн
1000+212.92 грн
3000+189.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150 fdms86255et150-d.pdf
FDMS86255ET150
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET
на замовлення 6615 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+616.18 грн
10+427.42 грн
100+300.19 грн
500+267.09 грн
1000+236.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150 ONSM-S-A0003584845-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDMS86255ET150
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86255ET150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 63 A, 0.0124 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150 ONSM-S-A0003584845-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDMS86255ET150
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86255ET150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 63 A, 0.0124 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.