Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMS86255ET150
FDMS86255ET150

FDMS86255ET150 ON Semiconductor

fdms86255et150-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin Power QFN EP T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
75+164.40 грн
78+156.20 грн
79+154.66 грн
100+142.64 грн
250+130.77 грн
500+122.41 грн
1000+121.16 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86255ET150 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMS86255ET150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 63 A, 0.0095 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 63A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції FDMS86255ET150 за ціною від 112.51 грн до 521.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS86255ET150 FDMS86255ET150 Виробник : ON Semiconductor fdms86255et150-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin Power QFN EP T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+218.24 грн
4+152.66 грн
10+145.04 грн
25+138.48 грн
100+122.64 грн
250+116.57 грн
500+113.67 грн
1000+112.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150 FDMS86255ET150 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003584845-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS86255ET150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 63 A, 0.0095 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+249.46 грн
500+207.94 грн
1000+189.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150 FDMS86255ET150 Виробник : ON Semiconductor fdms86255et150-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin Power QFN EP T/R
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
98+311.39 грн
103+298.20 грн
500+286.03 грн
Мінімальне замовлення: 98
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150 FDMS86255ET150 Виробник : ON Semiconductor fdms86255et150-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin Power QFN EP T/R
на замовлення 1838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
98+311.39 грн
103+298.20 грн
500+286.03 грн
1000+260.17 грн
Мінімальне замовлення: 98
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150 FDMS86255ET150 Виробник : ON Semiconductor fdms86255et150-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin Power QFN EP T/R
на замовлення 2112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
98+311.39 грн
103+298.20 грн
500+286.03 грн
1000+260.17 грн
Мінімальне замовлення: 98
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150 FDMS86255ET150 Виробник : onsemi / Fairchild FDMS86255ET150_D-1808476.pdf MOSFETs N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET
на замовлення 628 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+447.81 грн
10+315.65 грн
25+273.75 грн
100+209.90 грн
500+204.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150 FDMS86255ET150 Виробник : onsemi fdms86255et150-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 10A/63A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4480 pF @ 75 V
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+504.92 грн
10+322.77 грн
100+237.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150 FDMS86255ET150 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003584845-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS86255ET150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 63 A, 0.0095 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+521.97 грн
10+328.49 грн
100+249.46 грн
500+207.94 грн
1000+189.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150 FDMS86255ET150 Виробник : ON Semiconductor fdms86255et150jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin Power QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150 FDMS86255ET150 Виробник : ON Semiconductor fdms86255et150-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin Power QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150 Виробник : ONSEMI fdms86255et150-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 44A; Idm: 276A; 136W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 44A
Power dissipation: 136W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 276A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150 FDMS86255ET150 Виробник : onsemi fdms86255et150-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 10A/63A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4480 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150 Виробник : ONSEMI fdms86255et150-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 44A; Idm: 276A; 136W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 44A
Power dissipation: 136W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 276A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.