
FDMS86255ET150 ON Semiconductor
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
75+ | 164.79 грн |
78+ | 156.58 грн |
79+ | 155.03 грн |
100+ | 142.99 грн |
250+ | 131.09 грн |
500+ | 122.71 грн |
1000+ | 121.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS86255ET150 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMS86255ET150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 63 A, 0.0095 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 63A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції FDMS86255ET150 за ціною від 112.78 грн до 506.13 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDMS86255ET150 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDMS86255ET150 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDMS86255ET150 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDMS86255ET150 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDMS86255ET150 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDMS86255ET150 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDMS86255ET150 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 628 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDMS86255ET150 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4480 pF @ 75 V |
на замовлення 257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDMS86255ET150 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
FDMS86255ET150 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
FDMS86255ET150 | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
![]() |
FDMS86255ET150 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4480 pF @ 75 V |
товару немає в наявності |