Продукція > ONSEMI > FDMS86255ET150
FDMS86255ET150

FDMS86255ET150 ONSEMI

ONSM-S-A0003584845-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86255ET150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 63 A, 0.0124 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+418.81 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86255ET150 ONSEMI

Description: ONSEMI - FDMS86255ET150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 63 A, 0.0124 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 63A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 136W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm.

Інші пропозиції FDMS86255ET150 за ціною від 173.97 грн до 625.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDMS86255ET150 FDMS86255ET150 onsemi / Fairchild FDMS86255ET150-D.pdf MOSFETs N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET
на замовлення 4739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+477.60 грн
10+318.35 грн
100+205.03 грн
1000+195.37 грн
3000+173.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150 FDMS86255ET150 onsemi fdms86255et150-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 10A/63A POWER56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4480 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 63A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+493.94 грн
10+315.75 грн
100+232.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150 FDMS86255ET150 onsemi fdms86255et150-d.pdf MOSFETs N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+554.11 грн
10+365.19 грн
100+255.43 грн
500+227.12 грн
1000+202.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150 FDMS86255ET150 ONSEMI ONSM-S-A0003584845-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS86255ET150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 63 A, 0.0124 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+625.79 грн
10+418.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150 FDMS86255ET150-D.pdf
FDMS86255ET150
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET
на замовлення 4739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+477.60 грн
10+318.35 грн
100+205.03 грн
1000+195.37 грн
3000+173.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150 fdms86255et150-d.pdf
FDMS86255ET150
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 10A/63A POWER56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4480 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 63A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+493.94 грн
10+315.75 грн
100+232.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150 fdms86255et150-d.pdf
FDMS86255ET150
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+554.11 грн
10+365.19 грн
100+255.43 грн
500+227.12 грн
1000+202.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150 ONSM-S-A0003584845-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDMS86255ET150
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86255ET150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 63 A, 0.0124 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+625.79 грн
10+418.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.