FDMS86255ET150

FDMS86255ET150 ON Semiconductor


fdms86255et150-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin Power QFN EP T/R
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
75+167.18 грн
78+158.84 грн
79+157.28 грн
100+145.05 грн
250+132.98 грн
500+124.48 грн
1000+123.21 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86255ET150 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMS86255ET150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 63 A, 9500 µohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 63A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDMS86255ET150 за ціною від 192.45 грн до 568.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS86255ET150 FDMS86255ET150 Виробник : ON Semiconductor fdms86255et150-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+231.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150 FDMS86255ET150 Виробник : ON Semiconductor fdms86255et150-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+247.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150 FDMS86255ET150 Виробник : ON Semiconductor fdms86255et150-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin Power QFN EP T/R
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
98+316.66 грн
103+303.25 грн
500+290.87 грн
Мінімальне замовлення: 98
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150 FDMS86255ET150 Виробник : ON Semiconductor fdms86255et150-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin Power QFN EP T/R
на замовлення 1838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
98+316.66 грн
103+303.25 грн
500+290.87 грн
1000+264.57 грн
Мінімальне замовлення: 98
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150 FDMS86255ET150 Виробник : ON Semiconductor fdms86255et150-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin Power QFN EP T/R
на замовлення 2112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
98+316.66 грн
103+303.25 грн
500+290.87 грн
1000+264.57 грн
Мінімальне замовлення: 98
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150 FDMS86255ET150 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003584845-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS86255ET150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 63 A, 9500 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+336.68 грн
500+277.63 грн
1000+221.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150 FDMS86255ET150 Виробник : onsemi fdms86255et150-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 10A/63A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4480 pF @ 75 V
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+525.39 грн
10+335.86 грн
100+246.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150 FDMS86255ET150 Виробник : onsemi / Fairchild FDMS86255ET150-D.pdf MOSFETs N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET
на замовлення 5743 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+530.12 грн
10+382.91 грн
100+269.58 грн
500+239.03 грн
1000+206.96 грн
3000+192.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150 FDMS86255ET150 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003584845-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS86255ET150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 63 A, 9500 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+568.84 грн
10+416.35 грн
100+336.68 грн
500+277.63 грн
1000+221.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150 FDMS86255ET150 Виробник : ON Semiconductor fdms86255et150jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin Power QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150 FDMS86255ET150 Виробник : ON Semiconductor fdms86255et150-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150 FDMS86255ET150 Виробник : onsemi fdms86255et150-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 10A/63A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4480 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150 Виробник : ONSEMI fdms86255et150-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 44A; Idm: 276A; 136W; Power56
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: Power56
Gate charge: 63nC
On-state resistance: 25mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 44A
Power dissipation: 136W
Drain-source voltage: 150V
Pulsed drain current: 276A
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.