Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMS86300
FDMS86300

FDMS86300 ON Semiconductor

fdms86300-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 80V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 261000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+54.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86300 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 80V 19A/80A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 19A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7082 pF @ 40 V.

Інші пропозиції FDMS86300 за ціною від 39.88 грн до 215.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS86300 FDMS86300 Виробник : ON Semiconductor fdms86300-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+55.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300 FDMS86300 Виробник : onsemi fdms86300-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 19A/80A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7082 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+67.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300 FDMS86300 Виробник : ON Semiconductor fdms86300-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+78.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300 FDMS86300 Виробник : ON Semiconductor fdms86300-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+87.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300 FDMS86300 Виробник : ON Semiconductor fdms86300-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+93.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300 FDMS86300 Виробник : ON Semiconductor fdms86300-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+100.91 грн
16+47.06 грн
25+44.93 грн
100+39.88 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300 FDMS86300 Виробник : onsemi / Fairchild FDMS86300-D.pdf MOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 2573 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.91 грн
10+105.84 грн
100+68.33 грн
500+67.14 грн
3000+62.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300 FDMS86300 Виробник : ON Semiconductor fdms86300-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
91+142.39 грн
Мінімальне замовлення: 91
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300 FDMS86300 Виробник : onsemi fdms86300-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 19A/80A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7082 pF @ 40 V
на замовлення 3547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+215.71 грн
10+134.98 грн
100+93.65 грн
500+74.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300 FDMS86300 Виробник : ON Semiconductor fdms86300-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300 Виробник : ONN fdms86300-d.pdf
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300 FDMS86300 Виробник : ON Semiconductor fdms86300-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300 FDMS86300 Виробник : ONSEMI FDMS86300.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 122A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 122A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.