Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMS86300
FDMS86300

FDMS86300 ON Semiconductor

fdms86300-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 80V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 261000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+51.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86300 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 80V 19A/80A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 19A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7082 pF @ 40 V.

Інші пропозиції FDMS86300 за ціною від 52.04 грн до 226.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS86300 FDMS86300 Виробник : ON Semiconductor fdms86300-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+52.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300 FDMS86300 Виробник : onsemi fdms86300-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 19A/80A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7082 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+70.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300 FDMS86300 Виробник : ON Semiconductor fdms86300-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+74.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300 FDMS86300 Виробник : ON Semiconductor fdms86300-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+78.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300 FDMS86300 Виробник : ON Semiconductor fdms86300-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+83.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300 FDMS86300 Виробник : ON Semiconductor fdms86300-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+124.99 грн
10+104.62 грн
25+103.58 грн
100+74.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300 FDMS86300 Виробник : ON Semiconductor fdms86300-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
91+134.60 грн
109+112.67 грн
110+111.55 грн
Мінімальне замовлення: 91
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300 FDMS86300 Виробник : ON Semiconductor fdms86300-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
91+134.60 грн
Мінімальне замовлення: 91
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300 FDMS86300 Виробник : onsemi fdms86300-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 19A/80A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7082 pF @ 40 V
на замовлення 3682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+226.19 грн
10+141.77 грн
100+98.33 грн
500+78.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300 FDMS86300 Виробник : ON Semiconductor fdms86300-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300 FDMS86300 Виробник : ON Semiconductor 3664264316902352fdms86300.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300 FDMS86300 Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF7D293E93DE28&compId=FDMS86300.pdf?ci_sign=3c96ab2d5aa2a9cc68388eb336de708aebcc439f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 122A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 122A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300 FDMS86300 Виробник : onsemi / Fairchild fdms86300-d.pdf MOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300 FDMS86300 Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF7D293E93DE28&compId=FDMS86300.pdf?ci_sign=3c96ab2d5aa2a9cc68388eb336de708aebcc439f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 122A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 122A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.