FDMS86300 ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 61.80 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS86300 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 80V 19A/80A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 19A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7082 pF @ 40 V.
Інші пропозиції FDMS86300 за ціною від 42.15 грн до 282.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDMS86300 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 19A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDMS86300 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 19A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDMS86300 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 19A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDMS86300 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 19A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDMS86300 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 19A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 129 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMS86300 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 2573 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDMS86300 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 19A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDMS86300 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 19A/80A 8PQFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7082 pF @ 40 V |
на замовлення 1522 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMS86300 | onsemi |
MOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 1784 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDMS86300 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 19A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 129 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. |
| FDMS86300 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 80V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 80V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 62.34 грн |
| FDMS86300 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 80V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 80V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 88.76 грн |
| FDMS86300 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 80V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 80V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 95.06 грн |
| FDMS86300 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 80V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 80V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 95.59 грн |
| FDMS86300 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 80V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 80V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 106.66 грн |
| 16+ | 49.74 грн |
| 25+ | 47.49 грн |
| 100+ | 42.15 грн |
| FDMS86300 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
MOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 2573 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 150.65 грн |
| 10+ | 113.96 грн |
| 100+ | 73.57 грн |
| 500+ | 72.30 грн |
| 3000+ | 67.12 грн |
| FDMS86300 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 80V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 80V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 91+ | 161.24 грн |
| FDMS86300 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 19A/80A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7082 pF @ 40 V
Description: MOSFET N-CH 80V 19A/80A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7082 pF @ 40 V
на замовлення 1522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 245.46 грн |
| 10+ | 154.10 грн |
| 50+ | 118.53 грн |
| 100+ | 100.49 грн |
| 500+ | 81.66 грн |
| FDMS86300 |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
MOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 1784 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 282.03 грн |
| 10+ | 180.44 грн |
| 100+ | 110.36 грн |
| 500+ | 92.34 грн |
| 1000+ | 85.58 грн |
| 3000+ | 81.08 грн |
| FDMS86300 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 80V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 80V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




