FDMS86300DC onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 24A/76A DLCOOL56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7005 pF @ 40 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 84.31 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS86300DC onsemi
Description: ONSEMI - FDMS86300DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 76 A, 2600 µohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 76A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, Verlustleistung: 125W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm.
Інші пропозиції FDMS86300DC за ціною від 83.51 грн до 326.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMS86300DC | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 24A 8-Pin DFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMS86300DC | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 24A 8-Pin Power 56 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMS86300DC | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 24A 8-Pin DFN EP T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMS86300DC | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 24A 8-Pin DFN EP T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDMS86300DC | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 80V N-Ch Dual Cool PowerTrench MOSFET |
на замовлення 43377 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMS86300DC | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 24A/76A DLCOOL56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7005 pF @ 40 V |
на замовлення 4941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMS86300DC | onsemi |
MOSFETs 80V N-Ch Dual Cool PowerTrench MOSFET |
на замовлення 34925 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDMS86300DC | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86300DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 76 A, 2600 µohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 76A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V Verlustleistung: 125W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm |
на замовлення 2134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDMS86300DC |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 24A 8-Pin DFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 24A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 116.20 грн |
| FDMS86300DC |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 24A 8-Pin Power 56 T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 24A 8-Pin Power 56 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 117.08 грн |
| FDMS86300DC |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 24A 8-Pin DFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 24A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 118.23 грн |
| FDMS86300DC |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 24A 8-Pin DFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 24A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 118.90 грн |
| FDMS86300DC |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 80V N-Ch Dual Cool PowerTrench MOSFET
MOSFETs 80V N-Ch Dual Cool PowerTrench MOSFET
на замовлення 43377 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 236.12 грн |
| 10+ | 166.99 грн |
| 100+ | 97.05 грн |
| 500+ | 92.54 грн |
| 1000+ | 90.28 грн |
| 3000+ | 83.51 грн |
| FDMS86300DC |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 24A/76A DLCOOL56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7005 pF @ 40 V
Description: MOSFET N-CH 80V 24A/76A DLCOOL56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7005 pF @ 40 V
на замовлення 4941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 254.71 грн |
| 10+ | 160.62 грн |
| 100+ | 112.49 грн |
| 500+ | 93.26 грн |
| FDMS86300DC |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs 80V N-Ch Dual Cool PowerTrench MOSFET
MOSFETs 80V N-Ch Dual Cool PowerTrench MOSFET
на замовлення 34925 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 326.52 грн |
| 10+ | 211.11 грн |
| 100+ | 136.93 грн |
| 500+ | 115.11 грн |
| 1000+ | 106.84 грн |
| 3000+ | 100.06 грн |
| FDMS86300DC |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86300DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 76 A, 2600 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
Description: ONSEMI - FDMS86300DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 76 A, 2600 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
на замовлення 2134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)