Продукція > ONSEMI > FDMS86300DC

FDMS86300DC onsemi


fdms86300dc-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 24A/76A DLCOOL56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7005 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+83.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86300DC onsemi

Description: ONSEMI - FDMS86300DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 76 A, 2600 µohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 76A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, Verlustleistung: 125W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm.

Інші пропозиції FDMS86300DC за ціною від 91.92 грн до 251.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDMS86300DC FDMS86300DC ON Semiconductor fdms86300dc-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 24A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+111.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300DC FDMS86300DC ON Semiconductor fdms86300dc-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 24A 8-Pin Power 56 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+112.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300DC FDMS86300DC ON Semiconductor fdms86300dc-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 24A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+113.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300DC FDMS86300DC ON Semiconductor fdms86300dc-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 24A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+114.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300DC FDMS86300DC onsemi fdms86300dc-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 24A/76A DLCOOL56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7005 pF @ 40 V
на замовлення 4941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+251.04 грн
10+158.30 грн
100+110.87 грн
500+91.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300DC FDMS86300DC ONSEMI 2303865.pdf Description: ONSEMI - FDMS86300DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 76 A, 2600 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
на замовлення 3319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300DC FDMS86300DC onsemi fdms86300dc-d.pdf MOSFETs 80V N-Ch Dual Cool PowerTrench MOSFET
на замовлення 35658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300DC FDMS86300DC onsemi / Fairchild FDMS86300DC-D.PDF MOSFETs 80V N-Ch Dual Cool PowerTrench MOSFET
на замовлення 43377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300DC ONN fdms86300dc-d.pdf
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300DC fdms86300dc-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 24A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+111.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300DC fdms86300dc-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 24A 8-Pin Power 56 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+112.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300DC fdms86300dc-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 24A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+113.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300DC fdms86300dc-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 24A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+114.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300DC fdms86300dc-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 24A/76A DLCOOL56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7005 pF @ 40 V
на замовлення 4941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+251.04 грн
10+158.30 грн
100+110.87 грн
500+91.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300DC 2303865.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86300DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 76 A, 2600 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
на замовлення 3319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300DC fdms86300dc-d.pdf
Виробник: onsemi
MOSFETs 80V N-Ch Dual Cool PowerTrench MOSFET
на замовлення 35658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300DC FDMS86300DC-D.PDF
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 80V N-Ch Dual Cool PowerTrench MOSFET
на замовлення 43377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300DC fdms86300dc-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.