Продукція > ONSEMI > FDMS86310
FDMS86310

FDMS86310 onsemi

fdms86310-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 17A/50A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+72.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86310 onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 17A/50A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 40 V.

Інші пропозиції FDMS86310 за ціною від 75.47 грн до 254.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS86310 FDMS86310 Виробник : ON Semiconductor fdms86310-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+81.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310 FDMS86310 Виробник : ON Semiconductor 3657355315443124fdms86310.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+83.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310 FDMS86310 Виробник : ON Semiconductor fdms86310-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+84.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310 FDMS86310 Виробник : ON Semiconductor 3657355315443124fdms86310.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+85.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310 FDMS86310 Виробник : ON Semiconductor fdms86310-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+86.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310 FDMS86310 Виробник : ON Semiconductor fdms86310-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+86.73 грн
6000+84.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310 FDMS86310 Виробник : ON Semiconductor fdms86310-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+87.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310 FDMS86310 Виробник : ON Semiconductor 3657355315443124fdms86310.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+89.89 грн
6000+86.87 грн
9000+83.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310 FDMS86310 Виробник : onsemi fdms86310-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 17A/50A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 40 V
на замовлення 3673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+191.53 грн
10+142.34 грн
100+99.65 грн
500+80.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310 FDMS86310 Виробник : onsemi / Fairchild fdms86310-d.pdf MOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 10359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+254.83 грн
10+165.23 грн
100+100.87 грн
500+82.00 грн
1000+76.19 грн
3000+75.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310 FDMS86310 Виробник : ON Semiconductor fdms86310-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310 FDMS86310 Виробник : ON Semiconductor fdms86310-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310 Виробник : ONSEMI fdms86310-d.pdf FDMS86310 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.