FDMS86310 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 17A/50A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 40 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS86310 onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 17A/50A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 40 V.
Інші пропозиції FDMS86310 за ціною від 77.66 грн до 236.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDMS86310 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS86310 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS86310 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS86310 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS86310 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS86310 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS86310 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS86310 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 17A/50A 8PQFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 40 V |
на замовлення 8175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FDMS86310 | onsemi |
MOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 6604 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
FDMS86310 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 5223 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDMS86310 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 98.40 грн |
| FDMS86310 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 100.20 грн |
| FDMS86310 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 100.56 грн |
| 6000+ | 97.70 грн |
| FDMS86310 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 101.58 грн |
| FDMS86310 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 101.79 грн |
| FDMS86310 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 104.22 грн |
| 6000+ | 100.72 грн |
| 9000+ | 96.26 грн |
| FDMS86310 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 106.42 грн |
| FDMS86310 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 17A/50A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 40 V
Description: MOSFET N-CH 80V 17A/50A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 40 V
на замовлення 8175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 236.97 грн |
| 10+ | 148.59 грн |
| 100+ | 103.30 грн |
| 500+ | 78.80 грн |
| 1000+ | 77.66 грн |
| FDMS86310 |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
MOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 6604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FDMS86310 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
MOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 5223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)



