Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMS86310
FDMS86310

FDMS86310 ON Semiconductor

fdms86310-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+86.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86310 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 80V 17A/50A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 40 V.

Інші пропозиції FDMS86310 за ціною від 79.07 грн до 219.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS86310 FDMS86310 Виробник : ON Semiconductor 3657355315443124fdms86310.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+87.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310 FDMS86310 Виробник : ON Semiconductor fdms86310-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+88.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310 FDMS86310 Виробник : ON Semiconductor fdms86310-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+88.83 грн
6000+86.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310 FDMS86310 Виробник : ON Semiconductor fdms86310-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+89.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310 FDMS86310 Виробник : ON Semiconductor 3657355315443124fdms86310.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+92.06 грн
6000+88.97 грн
9000+85.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310 FDMS86310 Виробник : ON Semiconductor fdms86310-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+96.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310 FDMS86310 Виробник : ON Semiconductor 3657355315443124fdms86310.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+100.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310 FDMS86310 Виробник : onsemi fdms86310-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 17A/50A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 40 V
на замовлення 3173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+196.56 грн
10+145.80 грн
100+102.04 грн
500+82.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310 FDMS86310 Виробник : onsemi / Fairchild FDMS86310-D.pdf MOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 5223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+219.09 грн
10+163.50 грн
100+98.84 грн
500+85.15 грн
1000+84.39 грн
3000+79.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310 FDMS86310 Виробник : ON Semiconductor fdms86310-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310 FDMS86310 Виробник : ON Semiconductor fdms86310-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310 FDMS86310 Виробник : onsemi fdms86310-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 17A/50A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310 Виробник : ONSEMI fdms86310-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 50A; Idm: 100A; 96W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Case: Power56
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Gate charge: 95nC
On-state resistance: 7.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 80V
Power dissipation: 96W
Pulsed drain current: 100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.