Продукція > ONSEMI > FDMS86310
FDMS86310

FDMS86310 onsemi

fdms86310-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 17A/50A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 40 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+71.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86310 onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 17A/50A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 40 V.

Інші пропозиції FDMS86310 за ціною від 78.62 грн до 284.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDMS86310 FDMS86310 ON Semiconductor fdms86310-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+101.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310 FDMS86310 ON Semiconductor fdms86310-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+103.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310 FDMS86310 ON Semiconductor fdms86310-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+104.15 грн
6000+101.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310 FDMS86310 ON Semiconductor fdms86310-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+105.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310 FDMS86310 ON Semiconductor fdms86310-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+105.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310 FDMS86310 ON Semiconductor 3657355315443124fdms86310.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+107.94 грн
6000+104.32 грн
9000+99.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310 FDMS86310 ON Semiconductor 3657355315443124fdms86310.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+110.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310 FDMS86310 onsemi fdms86310-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 17A/50A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 40 V
на замовлення 8175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.91 грн
10+150.44 грн
100+104.59 грн
500+79.78 грн
1000+78.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310 FDMS86310 onsemi fdms86310-d.pdf MOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 5308 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+284.66 грн
10+183.03 грн
100+115.61 грн
500+96.85 грн
1000+90.09 грн
3000+84.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310 fdms86310-d.pdf
FDMS86310
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+101.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310 fdms86310-d.pdf
FDMS86310
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+103.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310 fdms86310-d.pdf
FDMS86310
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+104.15 грн
6000+101.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310 fdms86310-d.pdf
FDMS86310
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+105.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310 fdms86310-d.pdf
FDMS86310
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+105.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310 3657355315443124fdms86310.pdf
FDMS86310
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+107.94 грн
6000+104.32 грн
9000+99.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310 3657355315443124fdms86310.pdf
FDMS86310
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+110.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310 fdms86310-d.pdf
FDMS86310
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 17A/50A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 40 V
на замовлення 8175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+239.91 грн
10+150.44 грн
100+104.59 грн
500+79.78 грн
1000+78.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310 fdms86310-d.pdf
FDMS86310
Виробник: onsemi
MOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 5308 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+284.66 грн
10+183.03 грн
100+115.61 грн
500+96.85 грн
1000+90.09 грн
3000+84.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.