FDMS86320 ON Semiconductor
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 459+ | 28.15 грн |
| 466+ | 27.71 грн |
| 474+ | 27.27 грн |
| 482+ | 25.87 грн |
| 500+ | 23.56 грн |
| 1000+ | 22.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS86320 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 80V 10.5A/22A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 40 V.
Інші пропозиції FDMS86320 за ціною від 41.76 грн до 185.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMS86320 | Виробник : onsemi / Fairchild |
 MOSFETs N-Chan PowerTrench MOSFET 80V, 22A |
на замовлення 7912 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMS86320 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 10.5A/22A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 40 V |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS86320 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 10.5A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS86320 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 10.5A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS86320 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 10.5A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS86320 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 10.5A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 2156 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS86320 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 10.5A/22A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 40 V |
на замовлення 30731 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS86320 | Виробник : onsemi |
MOSFETs N-Chan PowerTrench MOSFET 80V, 22A |
на замовлення 6884 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS86320 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 10.5A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FDMS86320 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 10.5A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |