FDMS86320 ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 30.21 грн |
| 26+ | 29.74 грн |
| 100+ | 28.22 грн |
| 250+ | 25.71 грн |
| 500+ | 24.27 грн |
| 1000+ | 23.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS86320 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 80V 10.5A/22A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 40 V.
Інші пропозиції FDMS86320 за ціною від 23.87 грн до 172.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDMS86320 | ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH Si 80V 10.5A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDMS86320 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 10.5A/22A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 40 V |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMS86320 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 10.5A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMS86320 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 10.5A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 2156 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMS86320 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 10.5A/22A 8PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 22A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 30731 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDMS86320 | onsemi |
MOSFETs N-Chan PowerTrench MOSFET 80V, 22A |
на замовлення 6608 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
FDMS86320 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs N-Chan PowerTrench MOSFET 80V, 22A |
на замовлення 7912 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDMS86320 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 80V 10.5A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 80V 10.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 469+ | 30.21 грн |
| 476+ | 29.74 грн |
| 484+ | 29.27 грн |
| 492+ | 27.77 грн |
| 500+ | 25.28 грн |
| 1000+ | 23.87 грн |
| FDMS86320 |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 10.5A/22A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 40 V
Description: MOSFET N-CH 80V 10.5A/22A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 40 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 49.85 грн |
| FDMS86320 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 80V 10.5A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 80V 10.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 66.80 грн |
| FDMS86320 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 80V 10.5A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 80V 10.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 314+ | 112.69 грн |
| 500+ | 101.42 грн |
| 1000+ | 93.54 грн |
| FDMS86320 |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 10.5A/22A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 80V 10.5A/22A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 30731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 172.80 грн |
| 10+ | 106.63 грн |
| 100+ | 72.70 грн |
| 500+ | 54.62 грн |
| 1000+ | 50.24 грн |
| FDMS86320 |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Chan PowerTrench MOSFET 80V, 22A
MOSFETs N-Chan PowerTrench MOSFET 80V, 22A
на замовлення 6608 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FDMS86320 |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Chan PowerTrench MOSFET 80V, 22A
MOSFETs N-Chan PowerTrench MOSFET 80V, 22A
на замовлення 7912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)