Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMS86320
FDMS86320

FDMS86320 ON Semiconductor

fdms86320-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 80V 10.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
405+30.10 грн
411+29.63 грн
418+29.16 грн
425+27.66 грн
500+25.19 грн
1000+23.78 грн
Мінімальне замовлення: 405
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86320 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 80V 10.5A/22A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 40 V.

Інші пропозиції FDMS86320 за ціною від 25.48 грн до 183.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS86320 FDMS86320 Виробник : onsemi fdms86320-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 10.5A/22A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 40 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+52.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320 FDMS86320 Виробник : onsemi / Fairchild FDMS86320-D.pdf MOSFETs N-Chan PowerTrench MOSFET 80V, 22A
на замовлення 8014 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.36 грн
10+52.34 грн
3000+45.51 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320 FDMS86320 Виробник : ON Semiconductor fdms86320-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 10.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+54.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320 FDMS86320 Виробник : ON Semiconductor fdms86320-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 10.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
218+55.98 грн
Мінімальне замовлення: 218
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320 FDMS86320 Виробник : ON Semiconductor fdms86320-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 10.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+59.98 грн
22+32.25 грн
25+30.62 грн
100+27.89 грн
250+26.34 грн
500+25.91 грн
1000+25.48 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320 FDMS86320 Виробник : ON Semiconductor fdms86320-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 10.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
331+92.14 грн
500+82.93 грн
1000+76.48 грн
Мінімальне замовлення: 331
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320 FDMS86320 Виробник : onsemi fdms86320-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 10.5A/22A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 40 V
на замовлення 30731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+183.29 грн
10+113.10 грн
100+77.11 грн
500+57.93 грн
1000+53.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320 FDMS86320 Виробник : ON Semiconductor 3656385330547644fdms86320.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 10.5A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320 FDMS86320 Виробник : ON Semiconductor fdms86320-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 10.5A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320 FDMS86320 Виробник : ON Semiconductor fdms86320-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 10.5A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320 Виробник : ONSEMI fdms86320-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 44A; Idm: 160A; 69W; Power56
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41nC
On-state resistance: 19mΩ
Drain current: 44A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 69W
Pulsed drain current: 160A
Drain-source voltage: 80V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320 Виробник : ONSEMI fdms86320-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 44A; Idm: 160A; 69W; Power56
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41nC
On-state resistance: 19mΩ
Drain current: 44A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 69W
Pulsed drain current: 160A
Drain-source voltage: 80V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.