Продукція > ONSEMI > FDMS86320
FDMS86320

FDMS86320 onsemi

fdms86320-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 10.5A/22A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 40 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+51.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86320 onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 10.5A/22A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 40 V.

Інші пропозиції FDMS86320 за ціною від 44.43 грн до 177.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS86320 FDMS86320 Виробник : ON Semiconductor fdms86320-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 10.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+56.12 грн
25+55.26 грн
100+52.46 грн
250+47.81 грн
500+45.16 грн
1000+44.43 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320 FDMS86320 Виробник : ON Semiconductor fdms86320-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 10.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
202+60.44 грн
205+59.51 грн
208+58.59 грн
250+55.60 грн
500+50.66 грн
1000+47.84 грн
Мінімальне замовлення: 202
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320 FDMS86320 Виробник : ON Semiconductor fdms86320-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 10.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+62.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320 FDMS86320 Виробник : ON Semiconductor fdms86320-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 10.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
331+92.14 грн
Мінімальне замовлення: 331
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320 FDMS86320 Виробник : onsemi / Fairchild fdms86320-d.pdf MOSFETs N-Chan PowerTrench MOSFET 80V, 22A
на замовлення 8297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.28 грн
10+94.53 грн
100+61.72 грн
250+60.91 грн
500+53.43 грн
1000+49.61 грн
3000+48.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320 FDMS86320 Виробник : onsemi fdms86320-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 10.5A/22A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 40 V
на замовлення 30731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+177.04 грн
10+109.25 грн
100+74.48 грн
500+55.95 грн
1000+51.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320 FDMS86320 Виробник : ON Semiconductor 3656385330547644fdms86320.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 10.5A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320 FDMS86320 Виробник : ON Semiconductor fdms86320-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 10.5A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320 FDMS86320 Виробник : ON Semiconductor fdms86320-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 10.5A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320 Виробник : ONSEMI fdms86320-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 44A; Idm: 160A; 69W; Power56
Case: Power56
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 44A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 41nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320 Виробник : ONSEMI fdms86320-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 44A; Idm: 160A; 69W; Power56
Case: Power56
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 44A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 41nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.