Продукція > ONSEMI > FDMS86320
FDMS86320

FDMS86320 onsemi

fdms86320-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 10.5A/22A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 40 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+50.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86320 onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 10.5A/22A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 40 V.

Інші пропозиції FDMS86320 за ціною від 25.08 грн до 175.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS86320 FDMS86320 Виробник : ON Semiconductor fdms86320-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 10.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+51.98 грн
20+30.79 грн
25+29.40 грн
100+26.95 грн
250+25.61 грн
500+25.34 грн
1000+25.08 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320 FDMS86320 Виробник : ON Semiconductor fdms86320-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 10.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+54.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320 FDMS86320 Виробник : ON Semiconductor fdms86320-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 10.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
218+55.98 грн
Мінімальне замовлення: 218
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320 FDMS86320 Виробник : ON Semiconductor fdms86320-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 10.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
216+56.48 грн
217+56.22 грн
250+54.08 грн
500+49.95 грн
1000+47.84 грн
Мінімальне замовлення: 216
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320 FDMS86320 Виробник : ON Semiconductor fdms86320-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 10.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
331+92.14 грн
500+82.93 грн
1000+76.48 грн
Мінімальне замовлення: 331
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320 FDMS86320 Виробник : onsemi / Fairchild fdms86320-d.pdf MOSFETs N-Chan PowerTrench MOSFET 80V, 22A
на замовлення 8297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.67 грн
10+58.00 грн
100+50.36 грн
1000+49.85 грн
3000+48.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320 FDMS86320 Виробник : onsemi fdms86320-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 10.5A/22A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 40 V
на замовлення 30731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+175.05 грн
10+108.02 грн
100+73.64 грн
500+55.32 грн
1000+50.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320 FDMS86320 Виробник : ON Semiconductor 3656385330547644fdms86320.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 10.5A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320 FDMS86320 Виробник : ON Semiconductor fdms86320-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 10.5A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320 FDMS86320 Виробник : ON Semiconductor fdms86320-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 10.5A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320 Виробник : ONSEMI fdms86320-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 44A; Idm: 160A; 69W; Power56
Case: Power56
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 44A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 41nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320 Виробник : ONSEMI fdms86320-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 44A; Idm: 160A; 69W; Power56
Case: Power56
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 44A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 41nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.