FDMS86320 ON Semiconductor


fdms86320-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 80V 10.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+31.22 грн
26+30.73 грн
100+29.17 грн
250+26.57 грн
500+25.08 грн
1000+24.66 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 25 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86320 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 80V 10.5A/22A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 40 V.

Інші пропозиції FDMS86320 за ціною від 24.66 грн до 199.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDMS86320 FDMS86320 ON Semiconductor fdms86320-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 10.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
469+31.22 грн
476+30.73 грн
484+30.25 грн
492+28.70 грн
500+26.13 грн
1000+24.66 грн
Мінімальне замовлення: 469 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320 FDMS86320 onsemi fdms86320-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 10.5A/22A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 40 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+50.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320 FDMS86320 onsemi / Fairchild FDMS86320-D.pdf MOSFETs N-Chan PowerTrench MOSFET 80V, 22A
на замовлення 7912 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
6+52.73 грн
10+51.71 грн
3000+44.97 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320 FDMS86320 ON Semiconductor fdms86320-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 10.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
218+67.22 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320 FDMS86320 ON Semiconductor fdms86320-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 10.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+69.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320 FDMS86320 ON Semiconductor fdms86320-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 10.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
314+116.45 грн
500+104.81 грн
1000+96.66 грн
Мінімальне замовлення: 314 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320 FDMS86320 onsemi fdms86320-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 10.5A/22A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 40 V
на замовлення 30731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.57 грн
10+108.96 грн
100+74.28 грн
500+55.81 грн
1000+51.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320 FDMS86320 onsemi fdms86320-d.pdf MOSFETs N-Chan PowerTrench MOSFET 80V, 22A
на замовлення 6608 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+199.70 грн
10+126.91 грн
100+75.82 грн
500+60.28 грн
1000+53.08 грн
3000+52.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320 fdms86320-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 80V 10.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
469+31.22 грн
476+30.73 грн
484+30.25 грн
492+28.70 грн
500+26.13 грн
1000+24.66 грн
Мінімальне замовлення: 469 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320 fdms86320-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 10.5A/22A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 40 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+50.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320 FDMS86320-D.pdf
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Chan PowerTrench MOSFET 80V, 22A
на замовлення 7912 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+52.73 грн
10+51.71 грн
3000+44.97 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320 fdms86320-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 80V 10.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
218+67.22 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320 fdms86320-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 80V 10.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+69.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320 fdms86320-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 80V 10.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
314+116.45 грн
500+104.81 грн
1000+96.66 грн
Мінімальне замовлення: 314 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320 fdms86320-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 10.5A/22A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 40 V
на замовлення 30731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+176.57 грн
10+108.96 грн
100+74.28 грн
500+55.81 грн
1000+51.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320 fdms86320-d.pdf
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Chan PowerTrench MOSFET 80V, 22A
на замовлення 6608 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+199.70 грн
10+126.91 грн
100+75.82 грн
500+60.28 грн
1000+53.08 грн
3000+52.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.