Продукція > ONSEMI > FDMS86322
FDMS86322

FDMS86322 onsemi

fdms86322-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 13A/60A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.65mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+77.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86322 onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 13A/60A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.65mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V.

Інші пропозиції FDMS86322 за ціною від 77.07 грн до 245.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS86322 FDMS86322 Виробник : ON Semiconductor fdms86322-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+88.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86322 FDMS86322 Виробник : ON Semiconductor fdms86322-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
128+99.08 грн
130+97.55 грн
132+96.02 грн
135+91.12 грн
250+83.01 грн
500+78.37 грн
1000+77.07 грн
Мінімальне замовлення: 128
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86322 FDMS86322 Виробник : ON Semiconductor fdms86322-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
601+100.16 грн
Мінімальне замовлення: 601
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86322 FDMS86322 Виробник : ON Semiconductor fdms86322-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+104.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86322 FDMS86322 Виробник : ON Semiconductor fdms86322-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+106.16 грн
10+104.52 грн
25+102.88 грн
100+97.63 грн
250+88.93 грн
500+83.97 грн
1000+82.58 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86322 FDMS86322 Виробник : ON Semiconductor fdms86322-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+111.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86322 FDMS86322 Виробник : ON Semiconductor fdms86322-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
90+140.84 грн
Мінімальне замовлення: 90
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86322 FDMS86322 Виробник : onsemi / Fairchild fdms86322-d.pdf MOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 1586 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+208.24 грн
10+154.64 грн
100+102.45 грн
500+91.25 грн
1000+85.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86322 FDMS86322 Виробник : onsemi fdms86322-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 13A/60A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.65mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
на замовлення 4294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+245.90 грн
10+154.08 грн
100+107.07 грн
500+85.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86322 FDMS86322 Виробник : ON Semiconductor 3675744193265277fdms86322.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86322 FDMS86322 Виробник : ON Semiconductor fdms86322-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.