Продукція > ONSEMI > FDMS86322
FDMS86322

FDMS86322 onsemi

fdms86322-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 13A/60A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.65mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+79.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86322 onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 13A/60A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.65mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V.

Інші пропозиції FDMS86322 за ціною від 68.74 грн до 242.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS86322 FDMS86322 Виробник : ON Semiconductor fdms86322-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+80.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86322 FDMS86322 Виробник : ON Semiconductor fdms86322-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+86.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86322 FDMS86322 Виробник : ON Semiconductor fdms86322-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+125.62 грн
10+107.39 грн
25+106.31 грн
100+87.33 грн
250+79.26 грн
500+72.42 грн
1000+68.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86322 FDMS86322 Виробник : ON Semiconductor fdms86322-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
90+135.28 грн
106+115.65 грн
107+114.49 грн
125+94.04 грн
250+85.36 грн
500+77.99 грн
1000+74.03 грн
Мінімальне замовлення: 90
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86322 FDMS86322 Виробник : onsemi / Fairchild fdms86322-d.pdf MOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+205.49 грн
10+145.17 грн
100+91.00 грн
250+89.54 грн
500+82.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86322 FDMS86322 Виробник : onsemi fdms86322-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 13A/60A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.65mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
на замовлення 4246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+242.93 грн
10+152.29 грн
100+105.77 грн
500+80.63 грн
1000+74.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86322 FDMS86322 Виробник : ON Semiconductor 3675744193265277fdms86322.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86322 FDMS86322 Виробник : ON Semiconductor fdms86322-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86322 Виробник : ONSEMI fdms86322-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 60A; Idm: 200A; 104W; Power56
Case: Power56
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 60A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 104W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 55nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86322 Виробник : ONSEMI fdms86322-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 60A; Idm: 200A; 104W; Power56
Case: Power56
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 60A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 104W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 55nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.