 
FDMS86322 ON Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 3000+ | 86.82 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS86322 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 80V 13A/60A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.65mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V. 
Інші пропозиції FDMS86322 за ціною від 75.28 грн до 198.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | FDMS86322 | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH Si 80V 13A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 1453 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | FDMS86322 | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH Si 80V 13A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 3000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | FDMS86322 | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH Si 80V 13A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 1453 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | FDMS86322 | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH Si 80V 13A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 3000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | FDMS86322 | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH Si 80V 13A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 1453 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | FDMS86322 | Виробник : onsemi |  Description: MOSFET N-CH 80V 13A/60A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.65mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V | на замовлення 2204 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | FDMS86322 | Виробник : onsemi / Fairchild |  MOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET | на замовлення 1586 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | FDMS86322 | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH Si 80V 13A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
|   | FDMS86322 | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH Si 80V 13A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
|   | FDMS86322 | Виробник : onsemi |  Description: MOSFET N-CH 80V 13A/60A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.65mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V | товару немає в наявності |