Продукція > ONSEMI > FDMS86322
FDMS86322

FDMS86322 onsemi

fdms86322-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 13A/60A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.65mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+69.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86322 onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 13A/60A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.65mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V.

Інші пропозиції FDMS86322 за ціною від 74.60 грн до 221.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS86322 FDMS86322 Виробник : ON Semiconductor fdms86322-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+90.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86322 FDMS86322 Виробник : ON Semiconductor fdms86322-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
128+100.92 грн
130+99.36 грн
132+97.81 грн
135+92.81 грн
250+84.55 грн
500+79.83 грн
1000+78.50 грн
Мінімальне замовлення: 128
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86322 FDMS86322 Виробник : ON Semiconductor fdms86322-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
601+102.02 грн
Мінімальне замовлення: 601
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86322 FDMS86322 Виробник : ON Semiconductor fdms86322-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+106.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86322 FDMS86322 Виробник : ON Semiconductor fdms86322-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+108.13 грн
10+106.46 грн
25+104.79 грн
100+99.44 грн
250+90.58 грн
500+85.53 грн
1000+84.11 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86322 FDMS86322 Виробник : ON Semiconductor fdms86322-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+113.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86322 FDMS86322 Виробник : ON Semiconductor fdms86322-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
90+143.45 грн
Мінімальне замовлення: 90
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86322 FDMS86322 Виробник : onsemi / Fairchild fdms86322-d.pdf MOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 1586 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+181.40 грн
10+134.71 грн
100+89.25 грн
500+79.48 грн
1000+74.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86322 FDMS86322 Виробник : onsemi fdms86322-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 13A/60A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.65mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
на замовлення 7184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+221.20 грн
10+138.38 грн
100+96.16 грн
500+77.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86322 FDMS86322 Виробник : ON Semiconductor fdms86322-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.