Продукція > ONSEMI > FDMS86350
FDMS86350

FDMS86350 onsemi

fdms86350-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 25A/130A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10680 pF @ 40 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+123.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86350 onsemi

Description: ONSEMI - FDMS86350 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 130 A, 0.002 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 130A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції FDMS86350 за ціною від 119.20 грн до 385.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS86350 FDMS86350 Виробник : ON Semiconductor fdms86350-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+136.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350 FDMS86350 Виробник : ON Semiconductor fdms86350-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+146.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350 FDMS86350 Виробник : ONSEMI 4130790.pdf Description: ONSEMI - FDMS86350 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 130 A, 0.002 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+175.71 грн
500+135.32 грн
1000+119.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350 FDMS86350 Виробник : ON Semiconductor fdms86350-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+224.24 грн
10+181.44 грн
25+174.05 грн
100+141.25 грн
250+129.91 грн
500+123.87 грн
1000+121.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350 FDMS86350 Виробник : ON Semiconductor fdms86350-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
53+231.26 грн
65+187.44 грн
100+179.33 грн
200+152.31 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350 FDMS86350 Виробник : ON Semiconductor fdms86350-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
53+232.72 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350 FDMS86350 Виробник : ON Semiconductor fdms86350-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
51+241.48 грн
63+195.39 грн
65+187.44 грн
100+152.11 грн
250+139.90 грн
500+133.40 грн
1000+130.62 грн
Мінімальне замовлення: 51
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350 FDMS86350 Виробник : ON Semiconductor fdms86350-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+252.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350 FDMS86350 Виробник : onsemi fdms86350-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 25A/130A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10680 pF @ 40 V
на замовлення 13526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+336.46 грн
10+215.67 грн
100+153.26 грн
500+136.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350 FDMS86350 Виробник : ONSEMI 4130790.pdf Description: ONSEMI - FDMS86350 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 130 A, 0.002 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+372.24 грн
10+247.33 грн
100+175.71 грн
500+135.32 грн
1000+119.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350 FDMS86350 Виробник : onsemi / Fairchild fdms86350-d.pdf MOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 5216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+385.40 грн
10+251.84 грн
100+155.89 грн
500+138.08 грн
1000+135.11 грн
3000+128.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350 FDMS86350 Виробник : ON Semiconductor fdms86350-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin Power 56 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350 FDMS86350 Виробник : ON Semiconductor fdms86350-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350 Виробник : ONSEMI fdms86350-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 130A; 156W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 130A
Power dissipation: 156W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350 Виробник : ONSEMI fdms86350-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 130A; 156W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 130A
Power dissipation: 156W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.