Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMS86350
FDMS86350

FDMS86350 ON Semiconductor

fdms86350d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+172.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86350 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMS86350 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 130 A, 0.0024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 130A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, Verlustleistung: 156W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm.

Інші пропозиції FDMS86350 за ціною від 130.52 грн до 486.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDMS86350 FDMS86350 ON Semiconductor fdms86350d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+172.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350 FDMS86350 ON Semiconductor fdms86350-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+217.81 грн
68+208.38 грн
100+175.38 грн
200+158.21 грн
500+141.44 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350 FDMS86350 ON Semiconductor fdms86350-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+270.42 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350 FDMS86350 ON Semiconductor fdms86350d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+281.93 грн
62+229.12 грн
200+173.49 грн
500+165.42 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350 FDMS86350 ON Semiconductor fdms86350d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+285.23 грн
10+232.05 грн
25+180.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350 FDMS86350 ON Semiconductor fdms86350-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+293.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350 FDMS86350 onsemi fdms86350-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 25A/130A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10680 pF @ 40 V
на замовлення 1157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+348.80 грн
10+222.66 грн
100+158.32 грн
500+130.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350 FDMS86350 ON Semiconductor fdms86350d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+408.38 грн
10+285.21 грн
100+211.13 грн
500+188.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350 FDMS86350 ON Semiconductor fdms86350d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+408.38 грн
50+285.21 грн
100+211.13 грн
500+188.81 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350 FDMS86350 ON Semiconductor fdms86350d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+486.51 грн
10+322.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350 FDMS86350 ON Semiconductor fdms86350d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+486.51 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350 FDMS86350 ONSEMI fdms86350-d.pdf Description: ONSEMI - FDMS86350 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 130 A, 0.0024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350 FDMS86350 onsemi / Fairchild fdms86350-d.pdf MOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 5216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350 FDMS86350 ON Semiconductor fdms86350d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350 FDMS86350 ONSEMI fdms86350-d.pdf Description: ONSEMI - FDMS86350 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 130 A, 0.0024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350 fdms86350d.pdf
FDMS86350
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+172.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350 fdms86350-d.pdf
FDMS86350
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
65+217.81 грн
68+208.38 грн
100+175.38 грн
200+158.21 грн
500+141.44 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350 fdms86350-d.pdf
FDMS86350
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
53+270.42 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350 fdms86350d.pdf
FDMS86350
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
51+281.93 грн
62+229.12 грн
200+173.49 грн
500+165.42 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350 fdms86350d.pdf
FDMS86350
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+285.23 грн
10+232.05 грн
25+180.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350 fdms86350-d.pdf
FDMS86350
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+293.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350 fdms86350-d.pdf
FDMS86350
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 25A/130A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10680 pF @ 40 V
на замовлення 1157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+348.80 грн
10+222.66 грн
100+158.32 грн
500+130.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350 fdms86350d.pdf
FDMS86350
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+408.38 грн
10+285.21 грн
100+211.13 грн
500+188.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350 fdms86350d.pdf
FDMS86350
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
35+408.38 грн
50+285.21 грн
100+211.13 грн
500+188.81 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350 fdms86350d.pdf
FDMS86350
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+486.51 грн
10+322.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350 fdms86350d.pdf
FDMS86350
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+486.51 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350 fdms86350-d.pdf
FDMS86350
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86350 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 130 A, 0.0024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350 fdms86350-d.pdf
FDMS86350
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 5216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350 fdms86350d.pdf
FDMS86350
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350 fdms86350-d.pdf
FDMS86350
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86350 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 130 A, 0.0024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.