Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS86350 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMS86350 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 130 A, 0.0024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 130A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, Verlustleistung: 156W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm.
Інші пропозиції FDMS86350 за ціною від 128.17 грн до 483.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDMS86350 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS86350 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 1700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS86350 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 1056 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS86350 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 1700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS86350 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS86350 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS86350 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 25A/130A POWER56Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10680 pF @ 40 V |
на замовлення 1157 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS86350 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS86350 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS86350 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS86350 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS86350 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86350 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 130 A, 0.0024 ohm, Power 56, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V Verlustleistung: 156W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm |
на замовлення 2380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
FDMS86350 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 5216 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
FDMS86350 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
FDMS86350 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86350 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 130 A, 0.0024 ohm, Power 56, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V Verlustleistung: 156W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm |
на замовлення 2380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDMS86350 | ONN |
|
на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDMS86350 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 171.73 грн |
| FDMS86350 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 65+ | 216.35 грн |
| 68+ | 206.99 грн |
| 100+ | 174.21 грн |
| 200+ | 157.15 грн |
| 500+ | 140.49 грн |
| FDMS86350 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 53+ | 268.62 грн |
| FDMS86350 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 51+ | 280.04 грн |
| 62+ | 227.59 грн |
| 200+ | 172.33 грн |
| 500+ | 164.31 грн |
| FDMS86350 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 283.32 грн |
| 10+ | 230.50 грн |
| 25+ | 178.80 грн |
| FDMS86350 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 291.78 грн |
| FDMS86350 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 25A/130A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10680 pF @ 40 V
Description: MOSFET N-CH 80V 25A/130A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10680 pF @ 40 V
на замовлення 1157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 342.53 грн |
| 10+ | 218.66 грн |
| 100+ | 155.47 грн |
| 500+ | 128.17 грн |
| FDMS86350 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 405.65 грн |
| 10+ | 283.30 грн |
| 100+ | 209.72 грн |
| 500+ | 187.55 грн |
| FDMS86350 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 35+ | 405.65 грн |
| 50+ | 283.30 грн |
| 100+ | 209.72 грн |
| 500+ | 187.55 грн |
| FDMS86350 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 483.26 грн |
| 10+ | 320.42 грн |
| FDMS86350 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 483.26 грн |
| FDMS86350 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86350 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 130 A, 0.0024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
Description: ONSEMI - FDMS86350 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 130 A, 0.0024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDMS86350 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
MOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 5216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FDMS86350 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDMS86350 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86350 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 130 A, 0.0024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
Description: ONSEMI - FDMS86350 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 130 A, 0.0024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





