Продукція > ONSEMI > FDMS86350
FDMS86350

FDMS86350 onsemi

fdms86350-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 25A/130A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10680 pF @ 40 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+123.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86350 onsemi

Description: ONSEMI - FDMS86350 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 130 A, 2000 µohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 130A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDMS86350 за ціною від 123.77 грн до 396.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS86350 FDMS86350 Виробник : ON Semiconductor fdms86350d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+151.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350 FDMS86350 Виробник : ON Semiconductor fdms86350d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+161.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350 FDMS86350 Виробник : ONSEMI 4130790.pdf Description: ONSEMI - FDMS86350 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 130 A, 2000 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+185.90 грн
500+163.87 грн
1000+144.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350 FDMS86350 Виробник : ON Semiconductor fdms86350-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
65+190.61 грн
68+182.36 грн
100+153.48 грн
200+138.45 грн
500+123.77 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350 FDMS86350 Виробник : ON Semiconductor fdms86350-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
53+236.66 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350 FDMS86350 Виробник : ON Semiconductor fdms86350d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
51+246.72 грн
62+200.51 грн
200+152.12 грн
Мінімальне замовлення: 51
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350 FDMS86350 Виробник : ON Semiconductor fdms86350-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+257.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350 FDMS86350 Виробник : ON Semiconductor fdms86350d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+264.88 грн
10+215.54 грн
25+166.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350 FDMS86350 Виробник : onsemi fdms86350-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 25A/130A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10680 pF @ 40 V
на замовлення 15285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+342.00 грн
10+218.60 грн
100+155.42 грн
500+137.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350 FDMS86350 Виробник : ONSEMI 4130790.pdf Description: ONSEMI - FDMS86350 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 130 A, 2000 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+392.36 грн
10+261.29 грн
100+185.90 грн
500+163.87 грн
1000+144.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350 FDMS86350 Виробник : onsemi / Fairchild fdms86350-d.pdf MOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 5216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+396.47 грн
10+259.08 грн
100+160.37 грн
500+142.04 грн
1000+138.99 грн
3000+132.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350 FDMS86350 Виробник : ON Semiconductor fdms86350d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350 FDMS86350 Виробник : ON Semiconductor fdms86350-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin Power 56 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350 FDMS86350 Виробник : ON Semiconductor fdms86350d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350 Виробник : ONSEMI fdms86350-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 130A; 156W; PQFN8
Kind of package: reel; tape
Case: PQFN8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 3.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 130A
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.