FDMS86350ET80 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 25A/198A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8030 pF @ 40 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 239.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS86350ET80 onsemi
Description: ONSEMI - FDMS86350ET80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 198 A, 2000 µohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 198A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 187W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDMS86350ET80 за ціною від 214.59 грн до 570.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMS86350ET80 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin Power QFN EP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMS86350ET80 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86350ET80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 198 A, 2000 µohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 198A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 187W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS86350ET80 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin Power QFN EP T/R |
на замовлення 191 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMS86350ET80 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 2887 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS86350ET80 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86350ET80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 198 A, 2000 µohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 198A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 187W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS86350ET80 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 25A/198A POWER56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 198A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8030 pF @ 40 V |
на замовлення 21887 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS86350ET80 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin Power QFN EP T/R |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
FDMS86350ET80 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin Power QFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FDMS86350ET80 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin Power QFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| FDMS86350ET80 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 140A; 187W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 140A Power dissipation: 187W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.8mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |