Продукція > ONSEMI > FDMS86350ET80
FDMS86350ET80

FDMS86350ET80 onsemi


fdms86350et80-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 25A/198A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8030 pF @ 40 V
на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+230.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86350ET80 onsemi

Description: ONSEMI - FDMS86350ET80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 198 A, 0.002 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 198A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 187W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції FDMS86350ET80 за ціною від 208.18 грн до 574.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS86350ET80 FDMS86350ET80 Виробник : ON Semiconductor fdms86350et80jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin Power QFN EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+291.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ET80 FDMS86350ET80 Виробник : ON Semiconductor fdms86350et80jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin Power QFN EP T/R
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+391.08 грн
38+321.21 грн
100+264.33 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ET80 FDMS86350ET80 Виробник : ONSEMI 2907379.pdf Description: ONSEMI - FDMS86350ET80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 198 A, 0.002 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+400.26 грн
50+321.86 грн
100+250.41 грн
250+245.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ET80 FDMS86350ET80 Виробник : onsemi fdms86350et80-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 25A/198A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8030 pF @ 40 V
на замовлення 21887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+549.11 грн
10+358.41 грн
100+261.86 грн
500+208.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ET80 FDMS86350ET80 Виробник : onsemi / Fairchild FDMS86350ET80_D-1808414.pdf MOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 3380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+552.74 грн
10+386.64 грн
100+251.60 грн
500+228.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ET80 FDMS86350ET80 Виробник : ONSEMI 2907379.pdf Description: ONSEMI - FDMS86350ET80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 198 A, 0.002 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+574.40 грн
5+487.74 грн
10+400.26 грн
50+321.86 грн
100+250.41 грн
250+245.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ET80 FDMS86350ET80 Виробник : ON Semiconductor fdms86350et80jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin Power QFN EP T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ET80 FDMS86350ET80 Виробник : ON Semiconductor fdms86350et80jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin Power QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ET80 FDMS86350ET80 Виробник : ON Semiconductor fdms86350et80jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin Power QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ET80 Виробник : ONSEMI fdms86350et80-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 140A; 187W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 140A
Power dissipation: 187W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ET80 Виробник : ONSEMI fdms86350et80-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 140A; 187W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 140A
Power dissipation: 187W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.