Продукція > ONSEMI > FDMS86350ET80

FDMS86350ET80 onsemi


fdms86350et80-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 25A/198A POWER56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 198A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8030 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+229.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86350ET80 onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 25A/198A POWER56, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 198A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8030 pF @ 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Vgs (Max): ±20V.

Інші пропозиції FDMS86350ET80 за ціною від 198.06 грн до 547.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS86350ET80 FDMS86350ET80 onsemi / Fairchild FDMS86350ET80-D.pdf MOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 2887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+368.39 грн
10+288.56 грн
100+217.79 грн
1000+214.27 грн
3000+198.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ET80 FDMS86350ET80 onsemi fdms86350et80-d.pdf MOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 2752 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+456.37 грн
10+316.92 грн
100+232.59 грн
1000+214.97 грн
3000+198.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ET80 FDMS86350ET80 onsemi fdms86350et80-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 25A/198A POWER56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8030 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 198A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 21887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+547.12 грн
10+357.12 грн
100+260.92 грн
500+207.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ET80 ONN fdms86350et80-d.pdf
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ET80 FDMS86350ET80-D.pdf
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 2887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+368.39 грн
10+288.56 грн
100+217.79 грн
1000+214.27 грн
3000+198.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ET80 fdms86350et80-d.pdf
Виробник: onsemi
MOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 2752 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+456.37 грн
10+316.92 грн
100+232.59 грн
1000+214.97 грн
3000+198.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ET80 fdms86350et80-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 25A/198A POWER56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8030 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 198A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 21887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+547.12 грн
10+357.12 грн
100+260.92 грн
500+207.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ET80 fdms86350et80-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.