FDMS86350ET80 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 25A/198A POWER56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 198A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8030 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS86350ET80 onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 25A/198A POWER56, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 198A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8030 pF @ 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Vgs (Max): ±20V.
Інші пропозиції FDMS86350ET80 за ціною від 198.06 грн до 547.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDMS86350ET80 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 2887 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FDMS86350ET80 | onsemi |
MOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 2752 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS86350ET80 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 25A/198A POWER56Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8030 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 198A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 21887 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| FDMS86350ET80 | ONN |
|
на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDMS86350ET80 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
MOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 2887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 368.39 грн |
| 10+ | 288.56 грн |
| 100+ | 217.79 грн |
| 1000+ | 214.27 грн |
| 3000+ | 198.06 грн |
| FDMS86350ET80 |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
MOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 2752 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 456.37 грн |
| 10+ | 316.92 грн |
| 100+ | 232.59 грн |
| 1000+ | 214.97 грн |
| 3000+ | 198.06 грн |
| FDMS86350ET80 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 25A/198A POWER56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8030 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 198A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 80V 25A/198A POWER56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8030 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 198A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 21887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 547.12 грн |
| 10+ | 357.12 грн |
| 100+ | 260.92 грн |
| 500+ | 207.43 грн |
| FDMS86350ET80 |
![]() |
Виробник: ONN
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)


