Продукція > ONSEMI > FDMS86500DC
FDMS86500DC

FDMS86500DC onsemi


fdms86500dc-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 29A DLCOOL56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7680 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+113.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86500DC onsemi

Description: ONSEMI - FDMS86500DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 108 A, 0.0019 ohm, Dual Cool 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 108A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: Dual Cool 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FDMS86500DC за ціною від 103.62 грн до 272.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDMS86500DC FDMS86500DC Виробник : ON Semiconductor 3676939609231886fdms86500dc.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 29A 8-Pin Power 56 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+119.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS86500DC FDMS86500DC Виробник : ON Semiconductor fdms86500dc-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 29A 8-Pin Power 56 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+121.9 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS86500DC FDMS86500DC Виробник : ON Semiconductor fdms86500dc-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 29A 8-Pin Power 56 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+131.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS86500DC FDMS86500DC Виробник : ONSEMI 2572534.pdf Description: ONSEMI - FDMS86500DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 108 A, 0.0019 ohm, Dual Cool 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 108A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: Dual Cool 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+174.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDMS86500DC FDMS86500DC Виробник : onsemi / Fairchild FDMS86500DC_D-2312832.pdf MOSFET 60V/20V NCh DualCool PowerTrench MOSFET
на замовлення 9097 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+212.63 грн
10+ 184.26 грн
25+ 156.22 грн
100+ 137.53 грн
250+ 134.86 грн
500+ 127.51 грн
1000+ 112.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS86500DC FDMS86500DC Виробник : onsemi fdms86500dc-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 29A DLCOOL56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7680 pF @ 30 V
на замовлення 4396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+231.82 грн
10+ 187.77 грн
100+ 151.91 грн
500+ 126.72 грн
1000+ 108.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS86500DC FDMS86500DC Виробник : ON Semiconductor fdms86500dc-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 29A 8-Pin Power 56 T/R
на замовлення 2961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+248.46 грн
10+ 208.98 грн
25+ 183.84 грн
100+ 162.26 грн
250+ 141.51 грн
500+ 124.36 грн
1000+ 103.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDMS86500DC FDMS86500DC Виробник : ON Semiconductor fdms86500dc-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 29A 8-Pin Power 56 T/R
на замовлення 2961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
44+267.57 грн
52+ 225.05 грн
60+ 197.98 грн
100+ 174.74 грн
250+ 152.39 грн
500+ 133.93 грн
1000+ 111.6 грн
Мінімальне замовлення: 44
FDMS86500DC FDMS86500DC Виробник : ONSEMI 2572534.pdf Description: ONSEMI - FDMS86500DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 108 A, 0.0019 ohm, Dual Cool 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 108A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: Dual Cool 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
на замовлення 8956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+272.61 грн
10+ 192.47 грн
100+ 155.78 грн
500+ 136.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDMS86500DC FDMS86500DC Виробник : ON Semiconductor / Fairchild FDMS86500DC_D-2312832.pdf MOSFET 60V/20V NCh DualCool PowerTrench MOSFET
на замовлення 2229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDMS86500DC FDMS86500DC Виробник : ON Semiconductor fdms86500dc-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 29A 8-Pin Power 56 T/R
товар відсутній
FDMS86500DC Виробник : ONSEMI fdms86500dc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 108A; Idm: 200A; 125W; Power56
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 125W
Gate charge: 107nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 108A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: Power56
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMS86500DC Виробник : ONSEMI fdms86500dc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 108A; Idm: 200A; 125W; Power56
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 125W
Gate charge: 107nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 108A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: Power56
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
товар відсутній