Продукція > ONSEMI > FDMS86500DC

FDMS86500DC onsemi


fdms86500dc-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 29A DLCOOL56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7680 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+108.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86500DC onsemi

Description: ONSEMI - FDMS86500DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 108 A, 2300 µohm, Dual Cool 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 108A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, Verlustleistung: 125W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Dual Cool 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm.

Інші пропозиції FDMS86500DC за ціною від 100.57 грн до 342.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDMS86500DC FDMS86500DC ONSEMI 2572534.pdf Description: ONSEMI - FDMS86500DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 108 A, 2300 µohm, Dual Cool 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 108A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Dual Cool 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 4272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+164.74 грн
500+133.57 грн
1500+118.47 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500DC FDMS86500DC ON Semiconductor fdms86500dc-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 29A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+190.94 грн
500+181.51 грн
1000+170.90 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500DC FDMS86500DC ON Semiconductor fdms86500dc-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 29A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+273.29 грн
10+225.01 грн
100+178.73 грн
500+163.05 грн
1000+146.62 грн
3000+125.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500DC FDMS86500DC onsemi / Fairchild FDMS86500DC-D.PDF MOSFETs 60V/20V NCh DualCool PowerTrench MOSFET
на замовлення 1907 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+278.85 грн
10+198.03 грн
100+124.67 грн
500+118.47 грн
1000+112.28 грн
3000+100.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500DC FDMS86500DC onsemi fdms86500dc-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 29A DLCOOL56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7680 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+327.01 грн
10+207.97 грн
100+147.41 грн
500+119.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500DC FDMS86500DC ONSEMI 2572534.pdf Description: ONSEMI - FDMS86500DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 108 A, 2300 µohm, Dual Cool 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 108A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Dual Cool 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 4272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+342.34 грн
50+225.01 грн
100+164.74 грн
500+133.57 грн
1500+118.47 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500DC 2572534.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86500DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 108 A, 2300 µohm, Dual Cool 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 108A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Dual Cool 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 4272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+164.74 грн
500+133.57 грн
1500+118.47 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500DC fdms86500dc-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 29A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
186+190.94 грн
500+181.51 грн
1000+170.90 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500DC fdms86500dc-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 29A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+273.29 грн
10+225.01 грн
100+178.73 грн
500+163.05 грн
1000+146.62 грн
3000+125.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500DC FDMS86500DC-D.PDF
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 60V/20V NCh DualCool PowerTrench MOSFET
на замовлення 1907 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+278.85 грн
10+198.03 грн
100+124.67 грн
500+118.47 грн
1000+112.28 грн
3000+100.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500DC fdms86500dc-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 29A DLCOOL56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7680 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+327.01 грн
10+207.97 грн
100+147.41 грн
500+119.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500DC 2572534.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86500DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 108 A, 2300 µohm, Dual Cool 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 108A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Dual Cool 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 4272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+342.34 грн
50+225.01 грн
100+164.74 грн
500+133.57 грн
1500+118.47 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.