
FDMS86520 ON Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 46.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS86520 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 14A/42A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 30 V.
Інші пропозиції FDMS86520 за ціною від 46.31 грн до 169.89 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDMS86520 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 30 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDMS86520 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDMS86520 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDMS86520 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 4638 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDMS86520 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1572 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDMS86520 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDMS86520 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 30 V |
на замовлення 11807 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDMS86520 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
![]() |
FDMS86520 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
![]() |
FDMS86520 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
![]() |
FDMS86520 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
FDMS86520 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
FDMS86520 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; Idm: 80A; 69W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 42A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 69W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
FDMS86520 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; Idm: 80A; 69W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 42A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 69W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |