Продукція > ONSEMI > FDMS86520L

FDMS86520L onsemi


fdms86520l-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N CH 60V 13.5A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4615 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 13.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+62.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86520L onsemi

Description: MOSFET N CH 60V 13.5A 8PQFN, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4615 pF @ 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 13.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 22A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції FDMS86520L за ціною від 60.83 грн до 203.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDMS86520L FDMS86520L ON Semiconductor fdms86520l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+84.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520L FDMS86520L ON Semiconductor fdms86520l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+141.44 грн
500+127.29 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520L FDMS86520L ON Semiconductor fdms86520l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+141.44 грн
500+127.29 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520L FDMS86520L ONSEMI fdms86520l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; Idm: 60A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2927 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+150.01 грн
5+114.42 грн
10+101.98 грн
25+87.06 грн
100+79.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520L FDMS86520L ON Semiconductor fdms86520l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+181.48 грн
10+132.51 грн
100+103.45 грн
500+90.03 грн
1000+81.50 грн
3000+69.06 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520L FDMS86520L onsemi fdms86520l-d.pdf Description: MOSFET N CH 60V 13.5A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4615 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 13.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+203.03 грн
10+126.41 грн
100+87.07 грн
500+65.91 грн
1000+60.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520L FDMS86520L onsemi fdms86520l-d.pdf MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 16160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520L FDMS86520L onsemi / Fairchild FDMS86520L-D.pdf MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 16488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520L fdms86520l-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+84.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520L fdms86520l-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
250+141.44 грн
500+127.29 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520L fdms86520l-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
250+141.44 грн
500+127.29 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520L fdms86520l-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; Idm: 60A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2927 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+150.01 грн
5+114.42 грн
10+101.98 грн
25+87.06 грн
100+79.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520L fdms86520l-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+181.48 грн
10+132.51 грн
100+103.45 грн
500+90.03 грн
1000+81.50 грн
3000+69.06 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520L fdms86520l-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N CH 60V 13.5A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4615 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 13.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+203.03 грн
10+126.41 грн
100+87.07 грн
500+65.91 грн
1000+60.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520L fdms86520l-d.pdf
Виробник: onsemi
MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 16160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520L FDMS86520L-D.pdf
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 16488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.