FDMS86520L onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N CH 60V 13.5A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4615 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 13.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 63.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS86520L onsemi
Description: MOSFET N CH 60V 13.5A 8PQFN, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4615 pF @ 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 13.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 22A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції FDMS86520L за ціною від 52.44 грн до 205.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMS86520L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS86520L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS86520L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 501 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS86520L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMS86520L | Виробник : onsemi |
MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 16160 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMS86520L | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; Idm: 60A; 69W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 22A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 69W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 63nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2927 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS86520L | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 16488 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS86520L | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N CH 60V 13.5A 8PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4615 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 13.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 22A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 4582 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|