Продукція > ONSEMI > FDMS86520L
FDMS86520L

FDMS86520L onsemi

fdms86520l-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N CH 60V 13.5A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4615 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+63.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86520L onsemi

Description: MOSFET N CH 60V 13.5A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 13.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4615 pF @ 30 V.

Інші пропозиції FDMS86520L за ціною від 60.16 грн до 205.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS86520L FDMS86520L Виробник : ON Semiconductor fdms86520l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
264+115.63 грн
500+103.46 грн
1000+95.81 грн
Мінімальне замовлення: 264
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520L FDMS86520L Виробник : ON Semiconductor fdms86520l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
264+115.63 грн
500+103.46 грн
1000+95.81 грн
Мінімальне замовлення: 264
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520L FDMS86520L Виробник : ON Semiconductor fdms86520l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+134.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520L FDMS86520L Виробник : ON Semiconductor fdms86520l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+145.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520L FDMS86520L Виробник : onsemi / Fairchild fdms86520l-d.pdf MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 16756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+180.33 грн
10+121.00 грн
100+76.19 грн
250+70.32 грн
500+62.12 грн
1000+60.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520L FDMS86520L Виробник : onsemi fdms86520l-d.pdf Description: MOSFET N CH 60V 13.5A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4615 pF @ 30 V
на замовлення 4582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+205.66 грн
10+128.05 грн
100+88.20 грн
500+66.76 грн
1000+61.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520L FDMS86520L Виробник : ON Semiconductor fdms86520l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520L FDMS86520L Виробник : ON Semiconductor fdms86520l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520L FDMS86520L Виробник : ON Semiconductor 3657927856460867fdms86520l.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520L Виробник : ONSEMI fdms86520l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; Idm: 60A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520L Виробник : ONSEMI fdms86520l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; Idm: 60A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.