 
FDMS86520L onsemi
 Виробник: onsemi
                                                Виробник: onsemiDescription: MOSFET N CH 60V 13.5A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4615 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 3000+ | 66.57 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS86520L onsemi
Description: MOSFET N CH 60V 13.5A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 13.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4615 pF @ 30 V. 
Інші пропозиції FDMS86520L за ціною від 57.35 грн до 216.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | FDMS86520L | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 3000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | FDMS86520L | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 3000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | FDMS86520L | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 1306 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | FDMS86520L | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 1249 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | FDMS86520L | Виробник : onsemi / Fairchild |  MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench MOSFET | на замовлення 16488 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | FDMS86520L | Виробник : onsemi |  Description: MOSFET N CH 60V 13.5A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 13.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4615 pF @ 30 V | на замовлення 4582 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
| FDMS86520L | Виробник : ONSEMI |  Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; Idm: 60A; 69W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 22A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 69W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 63nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 2930 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | |||||||||||||||
| FDMS86520L | Виробник : ONSEMI |  Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; Idm: 60A; 69W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 22A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 69W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 63nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2930 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | |||||||||||||||
|   | FDMS86520L | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||
|   | FDMS86520L | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||
|   | FDMS86520L | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності |