FDMS86520L onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N CH 60V 13.5A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4615 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 13.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS86520L onsemi
Description: MOSFET N CH 60V 13.5A 8PQFN, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4615 pF @ 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 13.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 22A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції FDMS86520L за ціною від 60.83 грн до 203.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDMS86520L | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDMS86520L | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 501 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDMS86520L | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDMS86520L | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; Idm: 60A; 69W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 22A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 69W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 63nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2927 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDMS86520L | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDMS86520L | onsemi |
Description: MOSFET N CH 60V 13.5A 8PQFNInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4615 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 13.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 22A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 4582 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMS86520L | onsemi |
MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 16160 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
FDMS86520L | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 16488 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDMS86520L |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 84.17 грн |
| FDMS86520L |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 141.44 грн |
| 500+ | 127.29 грн |
| FDMS86520L |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 141.44 грн |
| 500+ | 127.29 грн |
| FDMS86520L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; Idm: 60A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; Idm: 60A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2927 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 150.01 грн |
| 5+ | 114.42 грн |
| 10+ | 101.98 грн |
| 25+ | 87.06 грн |
| 100+ | 79.60 грн |
| FDMS86520L |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 181.48 грн |
| 10+ | 132.51 грн |
| 100+ | 103.45 грн |
| 500+ | 90.03 грн |
| 1000+ | 81.50 грн |
| 3000+ | 69.06 грн |
| FDMS86520L |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N CH 60V 13.5A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4615 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 13.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N CH 60V 13.5A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4615 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 13.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 203.03 грн |
| 10+ | 126.41 грн |
| 100+ | 87.07 грн |
| 500+ | 65.91 грн |
| 1000+ | 60.83 грн |
| FDMS86520L |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 16160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FDMS86520L |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 16488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)




