Продукція > ONSEMI > FDMS86520L
FDMS86520L

FDMS86520L onsemi

fdms86520l-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N CH 60V 13.5A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4615 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+63.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86520L onsemi

Description: MOSFET N CH 60V 13.5A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 13.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4615 pF @ 30 V.

Інші пропозиції FDMS86520L за ціною від 56.50 грн до 207.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDMS86520L FDMS86520L ON Semiconductor fdms86520l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+85.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520L FDMS86520L ON Semiconductor fdms86520l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+87.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520L FDMS86520L ON Semiconductor fdms86520l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+146.48 грн
500+131.83 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520L FDMS86520L ON Semiconductor fdms86520l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+146.48 грн
500+131.83 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520L FDMS86520L ONSEMI fdms86520l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; Idm: 60A; 69W; Power56
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 69W
Gate charge: 63nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 22A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: Power56
On-state resistance: 11.8mΩ
на замовлення 2922 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+153.61 грн
5+117.16 грн
10+104.43 грн
25+89.15 грн
100+81.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520L FDMS86520L onsemi fdms86520l-d.pdf MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 16160 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+161.51 грн
10+113.34 грн
100+75.99 грн
500+66.66 грн
1000+63.50 грн
3000+59.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520L FDMS86520L onsemi / Fairchild FDMS86520L-D.pdf MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 16488 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+172.04 грн
10+116.80 грн
100+63.65 грн
500+62.67 грн
1000+61.54 грн
3000+56.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520L FDMS86520L ON Semiconductor fdms86520l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+187.95 грн
10+137.23 грн
100+107.14 грн
500+93.24 грн
1000+84.41 грн
3000+71.52 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520L FDMS86520L onsemi fdms86520l-d.pdf Description: MOSFET N CH 60V 13.5A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4615 pF @ 30 V
на замовлення 4582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.90 грн
10+129.44 грн
100+89.16 грн
500+67.49 грн
1000+62.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520L fdms86520l-d.pdf
FDMS86520L
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+85.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520L fdms86520l-d.pdf
FDMS86520L
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+87.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520L fdms86520l-d.pdf
FDMS86520L
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
250+146.48 грн
500+131.83 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520L fdms86520l-d.pdf
FDMS86520L
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
250+146.48 грн
500+131.83 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520L fdms86520l-d.pdf
FDMS86520L
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; Idm: 60A; 69W; Power56
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 69W
Gate charge: 63nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 22A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: Power56
On-state resistance: 11.8mΩ
на замовлення 2922 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+153.61 грн
5+117.16 грн
10+104.43 грн
25+89.15 грн
100+81.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520L fdms86520l-d.pdf
FDMS86520L
Виробник: onsemi
MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 16160 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+161.51 грн
10+113.34 грн
100+75.99 грн
500+66.66 грн
1000+63.50 грн
3000+59.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520L FDMS86520L-D.pdf
FDMS86520L
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 16488 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+172.04 грн
10+116.80 грн
100+63.65 грн
500+62.67 грн
1000+61.54 грн
3000+56.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520L fdms86520l-d.pdf
FDMS86520L
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+187.95 грн
10+137.23 грн
100+107.14 грн
500+93.24 грн
1000+84.41 грн
3000+71.52 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520L fdms86520l-d.pdf
FDMS86520L
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N CH 60V 13.5A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4615 pF @ 30 V
на замовлення 4582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+207.90 грн
10+129.44 грн
100+89.16 грн
500+67.49 грн
1000+62.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.