на замовлення 761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 543+ | 22.83 грн |
| 551+ | 22.47 грн |
| 560+ | 22.11 грн |
| 570+ | 20.97 грн |
| 579+ | 19.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS86540 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMS86540 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 129 A, 2700 µohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 129A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDMS86540 за ціною від 19.63 грн до 186.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMS86540 | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 60V 20A/50A 8PQFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6435 pF @ 30 V |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86540 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 761 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86540 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86540 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 761 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS86540 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86540 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 129 A, 2700 µohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 129A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 4879 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86540 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 1128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86540 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86540 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 129 A, 2700 µohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 129A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 4879 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS86540 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 6648 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86540 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 20A/50A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6435 pF @ 30 V |
на замовлення 27443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDMS86540 | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 2980 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
FDMS86540 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
FDMS86540 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| FDMS86540 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 82A; Idm: 642A; 96W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 82A Pulsed drain current: 642A Power dissipation: 96W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 90nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |