Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMS86540
FDMS86540

FDMS86540 ON Semiconductor

fdms86540jp-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
25+30.33 грн
100+28.78 грн
250+26.21 грн
500+24.74 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86540 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMS86540 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 129 A, 2700 µohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 129A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V, Verlustleistung: 96W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm.

Інші пропозиції FDMS86540 за ціною від 25.77 грн до 180.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDMS86540 FDMS86540 ON Semiconductor fdms86540jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
459+30.82 грн
467+30.33 грн
474+29.84 грн
482+28.30 грн
500+25.77 грн
Мінімальне замовлення: 459 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86540 FDMS86540 onsemi fdms86540-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 20A/50A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6435 pF @ 30 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+50.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86540 FDMS86540 ONSEMI 2554402.pdf Description: ONSEMI - FDMS86540 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 129 A, 2700 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 96W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
на замовлення 3240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.93 грн
500+54.85 грн
1000+49.73 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86540 FDMS86540 ON Semiconductor fdms86540jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
323+109.76 грн
500+98.80 грн
1000+91.11 грн
Мінімальне замовлення: 323 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86540 FDMS86540 onsemi / Fairchild fdms86540-d.pdf MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 6648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.15 грн
10+88.72 грн
100+61.23 грн
250+61.10 грн
500+54.28 грн
1000+52.14 грн
3000+46.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86540 FDMS86540 ONSEMI 2554402.pdf Description: ONSEMI - FDMS86540 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 129 A, 2700 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 96W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
на замовлення 3240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+167.95 грн
10+108.49 грн
100+73.93 грн
500+54.85 грн
1000+49.73 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86540 FDMS86540 onsemi fdms86540-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 20A/50A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6435 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 27443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.13 грн
10+108.42 грн
100+74.00 грн
500+55.64 грн
1000+51.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86540 FDMS86540 onsemi fdms86540-d.pdf MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 4668 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+180.01 грн
10+114.07 грн
100+68.12 грн
500+54.14 грн
1000+49.80 грн
3000+46.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86540 ON Semiconductor fdms86540-d.pdf
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86540 fdms86540jp-d.pdf
FDMS86540
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
459+30.82 грн
467+30.33 грн
474+29.84 грн
482+28.30 грн
500+25.77 грн
Мінімальне замовлення: 459 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86540 fdms86540-d.pdf
FDMS86540
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 20A/50A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6435 pF @ 30 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+50.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86540 2554402.pdf
FDMS86540
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86540 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 129 A, 2700 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 96W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
на замовлення 3240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+73.93 грн
500+54.85 грн
1000+49.73 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86540 fdms86540jp-d.pdf
FDMS86540
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
323+109.76 грн
500+98.80 грн
1000+91.11 грн
Мінімальне замовлення: 323 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86540 fdms86540-d.pdf
FDMS86540
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 6648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+122.15 грн
10+88.72 грн
100+61.23 грн
250+61.10 грн
500+54.28 грн
1000+52.14 грн
3000+46.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86540 2554402.pdf
FDMS86540
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86540 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 129 A, 2700 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 96W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
на замовлення 3240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+167.95 грн
10+108.49 грн
100+73.93 грн
500+54.85 грн
1000+49.73 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86540 fdms86540-d.pdf
FDMS86540
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 20A/50A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6435 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 27443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+175.13 грн
10+108.42 грн
100+74.00 грн
500+55.64 грн
1000+51.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86540 fdms86540-d.pdf
FDMS86540
Виробник: onsemi
MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 4668 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+180.01 грн
10+114.07 грн
100+68.12 грн
500+54.14 грн
1000+49.80 грн
3000+46.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86540 fdms86540-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.