FDMS86540 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A/50A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6435 pF @ 30 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 48.63 грн |
| 6000+ | 45.07 грн |
| 9000+ | 43.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS86540 onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 20A/50A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6435 pF @ 30 V.
Інші пропозиції FDMS86540 за ціною від 39.54 грн до 118.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMS86540 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86540 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 786 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86540 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 786 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS86540 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86540 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 129 A, 0.0027 ohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 129A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm |
на замовлення 7270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS86540 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 60V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 10544 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86540 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 20A/50A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6435 pF @ 30 V |
на замовлення 29939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86540 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86540 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 129 A, 0.0027 ohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 129A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm |
на замовлення 7270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDMS86540 | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 2980 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
FDMS86540 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin PQFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FDMS86540 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin PQFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| FDMS86540 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 82A; Idm: 642A; 96W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 82A Pulsed drain current: 642A Power dissipation: 96W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 90nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| FDMS86540 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 82A; Idm: 642A; 96W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 82A Pulsed drain current: 642A Power dissipation: 96W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 90nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |