Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMS86550
FDMS86550

FDMS86550 ON Semiconductor

fdms86550cn-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
93+328.63 грн
100+312.40 грн
500+296.18 грн
1000+268.97 грн
Мінімальне замовлення: 93
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86550 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 60V 32A/155A POWER56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 155A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 32A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11530 pF @ 30 V.

Інші пропозиції FDMS86550 за ціною від 210.47 грн до 559.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS86550 FDMS86550 Виробник : onsemi fdms86550-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 32A/155A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 155A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11530 pF @ 30 V
на замовлення 2682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+518.63 грн
10+338.04 грн
100+255.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550 FDMS86550 Виробник : ON Semiconductor fdms86550cn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+522.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550 FDMS86550 Виробник : onsemi / Fairchild FDMS86550-D.pdf MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 2148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+551.37 грн
10+360.87 грн
100+247.70 грн
500+246.94 грн
1000+227.18 грн
3000+210.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550 FDMS86550 Виробник : ON Semiconductor fdms86550cn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+559.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550 FDMS86550 Виробник : ON Semiconductor 3904698080595250fdms86550.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550 FDMS86550 Виробник : ON Semiconductor fdms86550cn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550 FDMS86550 Виробник : ON Semiconductor fdms86550cn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550 Виробник : ONSEMI fdms86550-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 148A; Idm: 1021A; 156W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 148A
Pulsed drain current: 1021A
Power dissipation: 156W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 154nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550 FDMS86550 Виробник : onsemi fdms86550-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 32A/155A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 155A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11530 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550 Виробник : ONSEMI fdms86550-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 148A; Idm: 1021A; 156W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 148A
Pulsed drain current: 1021A
Power dissipation: 156W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 154nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.