Продукція > ONSEMI > FDMS86550
FDMS86550

FDMS86550 onsemi

fdms86550-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 32A/155A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 155A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11530 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+216.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86550 onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 32A/155A POWER56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 155A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 32A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11530 pF @ 30 V.

Інші пропозиції FDMS86550 за ціною від 220.22 грн до 549.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDMS86550 FDMS86550 onsemi fdms86550-d.pdf MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 3541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+504.98 грн
10+397.74 грн
100+280.28 грн
500+248.52 грн
1000+220.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550 FDMS86550 onsemi fdms86550-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 32A/155A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 155A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11530 pF @ 30 V
на замовлення 4347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+549.08 грн
10+358.68 грн
100+262.50 грн
500+240.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550 fdms86550-d.pdf
FDMS86550
Виробник: onsemi
MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 3541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+504.98 грн
10+397.74 грн
100+280.28 грн
500+248.52 грн
1000+220.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550 fdms86550-d.pdf
FDMS86550
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 32A/155A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 155A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11530 pF @ 30 V
на замовлення 4347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+549.08 грн
10+358.68 грн
100+262.50 грн
500+240.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.