Продукція > ONSEMI > FDMS86550
FDMS86550

FDMS86550 onsemi

fdms86550-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 32A/155A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 155A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11530 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+218.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86550 onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 32A/155A POWER56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 155A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 32A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11530 pF @ 30 V.

Інші пропозиції FDMS86550 за ціною від 241.69 грн до 552.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDMS86550 FDMS86550 ON Semiconductor fdms86550cn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+304.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550 FDMS86550 ON Semiconductor fdms86550d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+350.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550 FDMS86550 ON Semiconductor fdms86550d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
88+403.37 грн
100+383.38 грн
500+363.38 грн
1000+331.13 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550 FDMS86550 ON Semiconductor fdms86550d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+526.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550 FDMS86550 onsemi fdms86550-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 32A/155A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 155A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11530 pF @ 30 V
на замовлення 4347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+552.92 грн
10+361.19 грн
100+264.34 грн
500+241.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550 FDMS86550 onsemi fdms86550-d.pdf MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 3541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550 fdms86550cn-d.pdf
FDMS86550
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+304.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550 fdms86550d.pdf
FDMS86550
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+350.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550 fdms86550d.pdf
FDMS86550
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
88+403.37 грн
100+383.38 грн
500+363.38 грн
1000+331.13 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550 fdms86550d.pdf
FDMS86550
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+526.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550 fdms86550-d.pdf
FDMS86550
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 32A/155A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 155A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11530 pF @ 30 V
на замовлення 4347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+552.92 грн
10+361.19 грн
100+264.34 грн
500+241.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550 fdms86550-d.pdf
FDMS86550
Виробник: onsemi
MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 3541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.