FDMS86550

FDMS86550 onsemi


fdms86550-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 32A/155A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 155A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11530 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+219.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86550 onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 32A/155A POWER56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 155A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 32A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11530 pF @ 30 V.

Інші пропозиції FDMS86550 за ціною від 222.92 грн до 555.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS86550 FDMS86550 Виробник : ON Semiconductor fdms86550cn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+279.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550 FDMS86550 Виробник : ON Semiconductor fdms86550cn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+299.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550 FDMS86550 Виробник : ON Semiconductor fdms86550cn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
93+349.27 грн
100+332.02 грн
500+314.78 грн
1000+285.86 грн
Мінімальне замовлення: 93
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550 FDMS86550 Виробник : onsemi fdms86550-d.pdf MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 3541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+511.19 грн
10+402.63 грн
100+283.72 грн
500+251.58 грн
1000+222.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550 FDMS86550 Виробник : onsemi fdms86550-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 32A/155A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 155A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11530 pF @ 30 V
на замовлення 4347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+555.83 грн
10+363.09 грн
100+265.73 грн
500+242.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550 FDMS86550 Виробник : ON Semiconductor fdms86550cn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550 FDMS86550 Виробник : ON Semiconductor fdms86550cn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550 Виробник : ONSEMI fdms86550-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 148A; Idm: 1021A; 156W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Case: Power56
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 154nC
On-state resistance: 2.6mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 148A
Power dissipation: 156W
Pulsed drain current: 1021A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.