Продукція > ONSEMI > FDMS86581
FDMS86581

FDMS86581 onsemi

fdms86581-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 30A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 881 pF @ 30 V
на замовлення 30900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+111.41 грн
10+88.05 грн
100+68.48 грн
500+54.47 грн
1000+44.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86581 onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 30A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 881 pF @ 30 V.

Інші пропозиції FDMS86581 за ціною від 40.39 грн до 156.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS86581 FDMS86581 Виробник : onsemi FDMS86581_D-1808422.pdf MOSFETs NMOS PWR56 60V 15 M OHM
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+156.21 грн
10+104.91 грн
100+63.42 грн
500+50.47 грн
1000+45.39 грн
3000+42.74 грн
6000+40.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86581 Виробник : ONSEMI FDMS86581-D.PDF Description: ONSEMI - FDMS86581 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86581 Виробник : ON Semiconductor fdms86581-d.pdf N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86581 FDMS86581 Виробник : ON Semiconductor fdms86581-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86581 FDMS86581 Виробник : onsemi fdms86581-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 30A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 881 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.