FDMS8672S Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 17A/35A 8PQFN
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2515 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 381+ | 59.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS8672S Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 17A/35A 8PQFN, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 35A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Bulk, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2515 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V.
Інші пропозиції FDMS8672S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| FDMS8672S | Виробник : FAIRCHILD |
1010+ POWER56 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |