FDMS8820 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 28A/116A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5315 pF @ 15 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 34.89 грн |
| 6000+ | 32.03 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS8820 onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 28A/116A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 116A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 28A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5315 pF @ 15 V.
Інші пропозиції FDMS8820 за ціною від 34.53 грн до 148.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDMS8820 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 28A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDMS8820 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 28A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDMS8820 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 28A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMS8820 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs NCh 30V 116A 2.4mOhm |
на замовлення 17199 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDMS8820 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 28A/116A 8PQFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 116A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5315 pF @ 15 V |
на замовлення 21741 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMS8820 | onsemi |
MOSFETs NCh 30V 116A 2.4mOhm |
на замовлення 2800 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| FDMS8820 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 28A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 28A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 48.12 грн |
| FDMS8820 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 28A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 28A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 79.12 грн |
| FDMS8820 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 28A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 28A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 84.11 грн |
| FDMS8820 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs NCh 30V 116A 2.4mOhm
MOSFETs NCh 30V 116A 2.4mOhm
на замовлення 17199 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 100.72 грн |
| 10+ | 76.49 грн |
| 100+ | 45.57 грн |
| 500+ | 39.94 грн |
| 1000+ | 35.74 грн |
| 3000+ | 34.53 грн |
| FDMS8820 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 28A/116A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5315 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 28A/116A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5315 pF @ 15 V
на замовлення 21741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 128.27 грн |
| 10+ | 78.31 грн |
| 100+ | 52.64 грн |
| 500+ | 39.08 грн |
| 1000+ | 35.76 грн |



