Продукція > ONSEMI > FDMS8820
FDMS8820

FDMS8820 onsemi

fdms8820-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 28A/116A 8PQFN
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5315 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 28A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 116A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+34.46 грн
6000+31.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS8820 onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 28A/116A 8PQFN, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5315 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 28A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 116A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount.

Інші пропозиції FDMS8820 за ціною від 35.32 грн до 126.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDMS8820 FDMS8820 ON Semiconductor 3654158962523565fdms8820.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 28A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+46.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8820 FDMS8820 ON Semiconductor 3654158962523565fdms8820.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 28A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+76.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8820 FDMS8820 ON Semiconductor 3654158962523565fdms8820.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 28A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+81.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8820 FDMS8820 onsemi fdms8820-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 28A/116A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5315 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 28A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 116A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 21741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.70 грн
10+77.34 грн
100+51.99 грн
500+38.60 грн
1000+35.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8820 FDMS8820 onsemi / Fairchild FDMS8820-D.pdf MOSFETs NCh 30V 116A 2.4mOhm
на замовлення 17199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8820 ON Semiconductor fdms8820-d.pdf
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8820 3654158962523565fdms8820.pdf
FDMS8820
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 28A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+46.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8820 3654158962523565fdms8820.pdf
FDMS8820
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 28A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+76.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8820 3654158962523565fdms8820.pdf
FDMS8820
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 28A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+81.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8820 fdms8820-d.pdf
FDMS8820
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 28A/116A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5315 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 28A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 116A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 21741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+126.70 грн
10+77.34 грн
100+51.99 грн
500+38.60 грн
1000+35.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8820 FDMS8820-D.pdf
FDMS8820
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs NCh 30V 116A 2.4mOhm
на замовлення 17199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8820 fdms8820-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.