FDMS8D8N15C

FDMS8D8N15C ON Semiconductor


fdms8d8n15c-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 12.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 942000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+132.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS8D8N15C ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 150V 12.2A/85A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta), 85A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 45A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 132W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 75 V.

Інші пропозиції FDMS8D8N15C за ціною від 101.76 грн до 274.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS8D8N15C FDMS8D8N15C Виробник : ON Semiconductor fdms8d8n15c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 12.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 942000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+132.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8D8N15C FDMS8D8N15C Виробник : ON Semiconductor fdms8d8n15cd.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 12.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
80+162.50 грн
84+155.98 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8D8N15C FDMS8D8N15C Виробник : ON Semiconductor fdms8d8n15cd.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 12.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
80+162.93 грн
90+144.35 грн
100+133.46 грн
500+126.44 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8D8N15C FDMS8D8N15C Виробник : ON Semiconductor fdms8d8n15cd.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 12.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+174.57 грн
10+154.66 грн
100+142.99 грн
500+135.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8D8N15C FDMS8D8N15C Виробник : onsemi FDMS8D8N15C-D.PDF MOSFETs FET ENGR DEV-NOT REL
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+180.91 грн
10+142.50 грн
100+105.22 грн
3000+101.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8D8N15C FDMS8D8N15C Виробник : onsemi fdms8d8n15c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 12.2A/85A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 75 V
на замовлення 2573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+274.92 грн
10+191.01 грн
100+139.89 грн
500+124.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8D8N15C Виробник : ONN fdms8d8n15c-d.pdf
на замовлення 1224 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8D8N15C FDMS8D8N15C Виробник : ON Semiconductor fdms8d8n15cd.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 12.2A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8D8N15C FDMS8D8N15C Виробник : ON Semiconductor fdms8d8n15cd.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 12.2A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8D8N15C FDMS8D8N15C Виробник : onsemi fdms8d8n15c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 12.2A/85A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.