
FDMS8D8N15C ON Semiconductor
на замовлення 942000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 124.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS8D8N15C ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 150V 12.2A/85A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta), 85A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 45A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 132W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 75 V.
Інші пропозиції FDMS8D8N15C за ціною від 96.36 грн до 313.38 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDMS8D8N15C | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 942000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMS8D8N15C | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMS8D8N15C | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMS8D8N15C | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta), 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 132W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 75 V |
на замовлення 2643 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDMS8D8N15C | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 992 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMS8D8N15C | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
FDMS8D8N15C | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
FDMS8D8N15C | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
FDMS8D8N15C | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
FDMS8D8N15C | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta), 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 132W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 75 V |
товару немає в наявності |