FDMS9408L-F085

FDMS9408L-F085 ON Semiconductor / Fairchild


FDMS9408L_F085-1119570.pdf Виробник: ON Semiconductor / Fairchild
MOSFET 40V 80A NChnl Logic Level Power Trench
на замовлення 582 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS9408L-F085 ON Semiconductor / Fairchild

Description: MOSFET N-CH 40V 80A POWER56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 214W (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: Power56, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5750 pF @ 20 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції FDMS9408L-F085

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS9408L-F085 FDMS9408L-F085 Виробник : ON Semiconductor fdms9408l_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9408L_F085 FDMS9408L_F085 Виробник : Fairchild Semiconductor FDMS9408L_F085.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 80A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9408L_F085 FDMS9408L_F085 Виробник : Fairchild Semiconductor FDMS9408L_F085.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 80A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9408L_F085 FDMS9408L_F085 Виробник : Fairchild Semiconductor FDMS9408L_F085.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 80A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9408L-F085 FDMS9408L-F085 Виробник : onsemi fdms9408l_f085-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 80A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5750 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.