Продукція > ONSEMI > FDMS9600S
FDMS9600S

FDMS9600S ONSEMI

2859354.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS9600S - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 32 A, 32 A, 0.007 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.007ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.007ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+130.08 грн
500+91.74 грн
1000+82.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS9600S ONSEMI

Description: ONSEMI - FDMS9600S - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 32 A, 32 A, 0.007 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 32A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.007ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.007ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції FDMS9600S за ціною від 78.53 грн до 198.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS9600S FDMS9600S Виробник : ONSEMI 2859354.pdf Description: ONSEMI - FDMS9600S - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 32 A, 32 A, 0.007 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.007ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.007ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+195.94 грн
10+163.01 грн
100+130.08 грн
500+91.74 грн
1000+82.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9600S FDMS9600S Виробник : onsemi / Fairchild FDMS9600S_D-2312559.pdf MOSFET 30V PowerTrench
на замовлення 3420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+198.64 грн
10+162.89 грн
100+112.29 грн
250+107.88 грн
500+94.67 грн
1000+80.73 грн
3000+78.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9600S Виробник : Fairchild fdms9600s-d.pdf
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9600S FDMS9600S Виробник : ON Semiconductor 3664033705638942fdms9600s.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 12A/16A 8-Pin MLP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9600S FDMS9600S Виробник : ON Semiconductor 3664033705638942fdms9600s.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 12A/16A 8-Pin MLP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9600S Виробник : ONSEMI fdms9600s-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 32/30A; Idm: 60A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 32/30A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 13/8.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13/29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9600S FDMS9600S Виробник : onsemi fdms9600s-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A 8MLP PWR56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1705pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9600S Виробник : ONSEMI fdms9600s-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 32/30A; Idm: 60A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 32/30A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 13/8.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13/29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.