Продукція > ONSEMI > FDMT800100DC
FDMT800100DC

FDMT800100DC onsemi

fdmt800100dc-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 24A/162A 8DUAL
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7835 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.95mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 162A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+484.88 грн
10+357.42 грн
100+330.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMT800100DC onsemi

Description: ONSEMI - FDMT800100DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 162 A, 2300 µohm, Dual Cool 88, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 162A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: Dual Cool 88, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDMT800100DC за ціною від 391.64 грн до 520.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDMT800100DC FDMT800100DC ON Semiconductor fdmt800100dc-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 24A 8-Pin TDFNW EP T/R
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+519.79 грн
100+493.92 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800100DC FDMT800100DC ON Semiconductor fdmt800100dc-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 24A 8-Pin TDFNW EP T/R
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+520.07 грн
10+446.60 грн
25+441.14 грн
100+391.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800100DC FDMT800100DC ON Semiconductor fdmt800100dc-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 24A 8-Pin TDFNW EP T/R
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+520.07 грн
32+441.14 грн
100+391.64 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800100DC FDMT800100DC onsemi / Fairchild FDMT800100DC-D.PDF MOSFETs N-Channel Dual Cool 88 PowerTrench MOSFET 100 V, 162 A, 2.95 mO
на замовлення 2251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800100DC FDMT800100DC ONSEMI 2608788.pdf Description: ONSEMI - FDMT800100DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 162 A, 2300 µohm, Dual Cool 88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: Dual Cool 88
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800100DC FDMT800100DC ONSEMI 2608788.pdf Description: ONSEMI - FDMT800100DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 162 A, 2300 µohm, Dual Cool 88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: Dual Cool 88
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800100DC ONN fdmt800100dc-d.pdf
на замовлення 2530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800100DC fdmt800100dc-d.pdf
FDMT800100DC
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 24A 8-Pin TDFNW EP T/R
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
68+519.79 грн
100+493.92 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800100DC fdmt800100dc-d.pdf
FDMT800100DC
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 24A 8-Pin TDFNW EP T/R
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+520.07 грн
10+446.60 грн
25+441.14 грн
100+391.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800100DC fdmt800100dc-d.pdf
FDMT800100DC
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 24A 8-Pin TDFNW EP T/R
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+520.07 грн
32+441.14 грн
100+391.64 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800100DC FDMT800100DC-D.PDF
FDMT800100DC
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Channel Dual Cool 88 PowerTrench MOSFET 100 V, 162 A, 2.95 mO
на замовлення 2251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800100DC 2608788.pdf
FDMT800100DC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMT800100DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 162 A, 2300 µohm, Dual Cool 88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: Dual Cool 88
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800100DC 2608788.pdf
FDMT800100DC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMT800100DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 162 A, 2300 µohm, Dual Cool 88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: Dual Cool 88
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800100DC fdmt800100dc-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 2530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.