Продукція > ONSEMI > FDMT800100DC
FDMT800100DC

FDMT800100DC onsemi

fdmt800100dc-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 24A/162A 8DUAL
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7835 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.95mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 162A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+485.97 грн
10+358.22 грн
100+331.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMT800100DC onsemi

Description: ONSEMI - FDMT800100DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 162 A, 2300 µohm, Dual Cool 88, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 162A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, Verlustleistung: 156W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Dual Cool 88, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm.

Інші пропозиції FDMT800100DC за ціною від 392.51 грн до 521.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDMT800100DC FDMT800100DC ON Semiconductor fdmt800100dc-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 24A 8-Pin TDFNW EP T/R
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+520.95 грн
100+495.02 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800100DC FDMT800100DC ON Semiconductor fdmt800100dc-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 24A 8-Pin TDFNW EP T/R
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+521.24 грн
10+447.59 грн
25+442.13 грн
100+392.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800100DC FDMT800100DC ON Semiconductor fdmt800100dc-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 24A 8-Pin TDFNW EP T/R
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+521.24 грн
32+442.13 грн
100+392.51 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800100DC FDMT800100DC onsemi fdmt800100dc-d.pdf MOSFETs N-Channel Dual Cool 88 PowerTrench MOSFET 100 V, 162 A, 2.95 mO
на замовлення 1521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800100DC FDMT800100DC onsemi / Fairchild FDMT800100DC-D.PDF MOSFETs N-Channel Dual Cool 88 PowerTrench MOSFET 100 V, 162 A, 2.95 mO
на замовлення 2251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800100DC FDMT800100DC ONSEMI 2608788.pdf Description: ONSEMI - FDMT800100DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 162 A, 2300 µohm, Dual Cool 88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Dual Cool 88
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800100DC FDMT800100DC ONSEMI 2608788.pdf Description: ONSEMI - FDMT800100DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 162 A, 2300 µohm, Dual Cool 88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Dual Cool 88
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800100DC fdmt800100dc-d.pdf
FDMT800100DC
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 24A 8-Pin TDFNW EP T/R
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
68+520.95 грн
100+495.02 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800100DC fdmt800100dc-d.pdf
FDMT800100DC
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 24A 8-Pin TDFNW EP T/R
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+521.24 грн
10+447.59 грн
25+442.13 грн
100+392.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800100DC fdmt800100dc-d.pdf
FDMT800100DC
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 24A 8-Pin TDFNW EP T/R
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+521.24 грн
32+442.13 грн
100+392.51 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800100DC fdmt800100dc-d.pdf
FDMT800100DC
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Channel Dual Cool 88 PowerTrench MOSFET 100 V, 162 A, 2.95 mO
на замовлення 1521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800100DC FDMT800100DC-D.PDF
FDMT800100DC
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Channel Dual Cool 88 PowerTrench MOSFET 100 V, 162 A, 2.95 mO
на замовлення 2251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800100DC 2608788.pdf
FDMT800100DC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMT800100DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 162 A, 2300 µohm, Dual Cool 88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Dual Cool 88
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800100DC 2608788.pdf
FDMT800100DC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMT800100DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 162 A, 2300 µohm, Dual Cool 88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Dual Cool 88
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.