Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMT800100DC
FDMT800100DC

FDMT800100DC ON Semiconductor

fdmt800100dc-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 24A 8-Pin TDFNW EP T/R
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
68+448.32 грн
100+426.01 грн
Мінімальне замовлення: 68
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMT800100DC ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 100V 24A/162A 8DUAL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 162A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.95mOhm @ 24A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7835 pF @ 50 V.

Інші пропозиції FDMT800100DC за ціною від 286.45 грн до 536.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMT800100DC FDMT800100DC Виробник : ON Semiconductor fdmt800100dc-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 24A 8-Pin TDFNW EP T/R
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+448.56 грн
32+380.48 грн
100+337.79 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800100DC FDMT800100DC Виробник : ON Semiconductor fdmt800100dc-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 24A 8-Pin TDFNW EP T/R
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+480.60 грн
10+412.70 грн
25+407.66 грн
100+361.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800100DC FDMT800100DC Виробник : onsemi fdmt800100dc-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 24A/162A 8DUAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.95mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7835 pF @ 50 V
на замовлення 2346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+509.59 грн
10+375.63 грн
100+347.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800100DC FDMT800100DC Виробник : onsemi / Fairchild FDMT800100DC-D.PDF MOSFETs N-Channel Dual Cool 88 PowerTrench MOSFET 100 V, 162 A, 2.95 mO
на замовлення 2286 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+536.30 грн
10+407.18 грн
100+306.96 грн
1000+296.33 грн
3000+286.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800100DC FDMT800100DC Виробник : ON Semiconductor fdmt800100dc-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 24A 8-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800100DC FDMT800100DC Виробник : ON Semiconductor fdmt800100dc-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 24A 8-Pin TDFNW EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800100DC Виробник : ONSEMI fdmt800100dc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 102A; Idm: 989A; 156W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 102A
Pulsed drain current: 989A
Power dissipation: 156W
Case: DFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 111nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800100DC FDMT800100DC Виробник : onsemi fdmt800100dc-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 24A/162A 8DUAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.95mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7835 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800100DC Виробник : ONSEMI fdmt800100dc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 102A; Idm: 989A; 156W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 102A
Pulsed drain current: 989A
Power dissipation: 156W
Case: DFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 111nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.