FDMT800100DC ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMT800100DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 162 A, 2300 µohm, Dual Cool 88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: Dual Cool 88
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 342.67 грн |
| 50+ | 298.31 грн |
| 100+ | 256.27 грн |
| 250+ | 251.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMT800100DC ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMT800100DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 162 A, 2300 µohm, Dual Cool 88, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 162A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: Dual Cool 88, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDMT800100DC за ціною від 251.13 грн до 513.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDMT800100DC | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMT800100DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 162 A, 2300 µohm, Dual Cool 88, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 162A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: Dual Cool 88 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMT800100DC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 24A 8-Pin TDFNW EP T/R |
на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMT800100DC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 24A 8-Pin TDFNW EP T/R |
на замовлення 171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMT800100DC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 24A 8-Pin TDFNW EP T/R |
на замовлення 171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMT800100DC | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 24A/162A 8DUAL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 162A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.95mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7835 pF @ 50 V |
на замовлення 2346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMT800100DC | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs N-Channel Dual Cool 88 PowerTrench MOSFET 100 V, 162 A, 2.95 mO |
на замовлення 2251 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMT800100DC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 24A 8-Pin QFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FDMT800100DC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 24A 8-Pin TDFNW EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FDMT800100DC | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 24A/162A 8DUAL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 162A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.95mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7835 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| FDMT800100DC | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 102A; Idm: 989A; 156W; DFNW8 Case: DFNW8 Kind of package: reel; tape Gate charge: 111nC On-state resistance: 5.39mΩ Power dissipation: 156W Drain current: 102A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Pulsed drain current: 989A Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar |
товару немає в наявності |