Продукція > ONSEMI > FDMT800120DC
FDMT800120DC

FDMT800120DC onsemi

fdmt800120dc-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 120V 20A 8DLCOOL88
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7850 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.14mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 129A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+226.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMT800120DC onsemi

Description: MOSFET N-CH 120V 20A 8DLCOOL88, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7850 pF @ 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.14mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 129A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerVDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції FDMT800120DC за ціною від 208.40 грн до 609.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMT800120DC FDMT800120DC Виробник : onsemi / Fairchild FDMT800120DC-D.pdf MOSFETs 120V NChnl Dual Cool PowerTrench MOSFET
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+406.57 грн
10+299.77 грн
100+250.21 грн
1000+217.46 грн
3000+208.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800120DC FDMT800120DC Виробник : onsemi fdmt800120dc-d.pdf Description: MOSFET N-CH 120V 20A 8DLCOOL88
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7850 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.14mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 129A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+531.62 грн
10+347.55 грн
100+266.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800120DC FDMT800120DC Виробник : onsemi fdmt800120dc-d.pdf MOSFETs 120V NChnl Dual Cool PowerTrench MOSFET
на замовлення 2188 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+609.04 грн
10+408.78 грн
100+261.37 грн
500+257.88 грн
1000+240.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800120DC Виробник : ON Semiconductor fdmt800120dc-d.pdf
на замовлення 25990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800120DC Виробник : ONSEMI fdmt800120dc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 81A; Idm: 767A; 156W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 81A
Pulsed drain current: 767A
Power dissipation: 156W
Case: DFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 107nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.