FDMT800120DC ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMT800120DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 128 A, 3450 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3450µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 370.09 грн |
| 50+ | 325.36 грн |
| 100+ | 283.44 грн |
| 250+ | 277.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMT800120DC ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMT800120DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 128 A, 3450 µohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 128A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3450µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDMT800120DC за ціною від 228.34 грн до 502.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMT800120DC | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 120V NChnl Dual Cool PowerTrench MOSFET |
на замовлення 645 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMT800120DC | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMT800120DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 128 A, 3450 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 128A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3450µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1333 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMT800120DC | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 120V 20A 8DLCOOL88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 129A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.14mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7850 pF @ 60 V |
на замовлення 1077 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDMT800120DC | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 25990 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
 |
FDMT800120DC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 120V 20A 8-Pin QFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FDMT800120DC | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 120V 20A 8DLCOOL88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 129A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.14mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7850 pF @ 60 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| FDMT800120DC | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 81A; Idm: 767A; 156W; DFNW8 Case: DFNW8 Kind of package: reel; tape Gate charge: 107nC On-state resistance: 7.7mΩ Power dissipation: 156W Drain current: 81A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 120V Pulsed drain current: 767A Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar |
товару немає в наявності |