FDMT800152DC

FDMT800152DC onsemi / Fairchild


FDMT800152DC_D-2312687.pdf Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET N-Channel Dual Cool 88 PowerTrench MOSFET 150 V, 72 A, 9.0 mO
на замовлення 2985 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+478.63 грн
10+404.27 грн
25+319.25 грн
100+292.83 грн
250+275.95 грн
500+258.34 грн
1000+222.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMT800152DC onsemi / Fairchild

Description: MOSFET N-CH 150V 8 DUAL COOL88, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 72A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 113W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 75 V.

Інші пропозиції FDMT800152DC за ціною від 206.26 грн до 531.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMT800152DC FDMT800152DC Виробник : onsemi fdmt800152dc-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 8 DUAL COOL88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 75 V
на замовлення 2694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+531.91 грн
10+347.15 грн
100+253.49 грн
500+206.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800152DC FDMT800152DC Виробник : ON Semiconductor 3673302593202966fdmt800152dc.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 13A 8-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800152DC Виробник : ONSEMI fdmt800152dc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 45A; Idm: 413A; 113W; DFNW8
Mounting: SMD
Case: DFNW8
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 45A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 113W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 83nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 413A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800152DC FDMT800152DC Виробник : onsemi fdmt800152dc-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 8 DUAL COOL88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800152DC Виробник : ONSEMI fdmt800152dc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 45A; Idm: 413A; 113W; DFNW8
Mounting: SMD
Case: DFNW8
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 45A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 113W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 83nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 413A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.