
FDMT800152DC onsemi / Fairchild
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 478.63 грн |
10+ | 404.27 грн |
25+ | 319.25 грн |
100+ | 292.83 грн |
250+ | 275.95 грн |
500+ | 258.34 грн |
1000+ | 222.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMT800152DC onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 150V 8 DUAL COOL88, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 72A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 113W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 75 V.
Інші пропозиції FDMT800152DC за ціною від 206.26 грн до 531.91 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDMT800152DC | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 72A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 75 V |
на замовлення 2694 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
FDMT800152DC | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
FDMT800152DC | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 45A; Idm: 413A; 113W; DFNW8 Mounting: SMD Case: DFNW8 Drain-source voltage: 150V Drain current: 45A On-state resistance: 19mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 113W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 83nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 413A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
![]() |
FDMT800152DC | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 72A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 75 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||
FDMT800152DC | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 45A; Idm: 413A; 113W; DFNW8 Mounting: SMD Case: DFNW8 Drain-source voltage: 150V Drain current: 45A On-state resistance: 19mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 113W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 83nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 413A |
товару немає в наявності |