Продукція > ONSEMI > FDMT80040DC

FDMT80040DC onsemi


fdmt80040dc-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 420A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 420A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.56mOhm @ 64A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 338 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26110 pF @ 20 V
на замовлення 1236 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+505.90 грн
10+371.50 грн
100+300.14 грн
500+272.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMT80040DC onsemi

Description: MOSFET N-CH 40V 420A 8PQFN, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26110 pF @ 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 338 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 156W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.56mOhm @ 64A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 420A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerVDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції FDMT80040DC

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDMT80040DC ONN fdmt80040dc-d.pdf
на замовлення 895 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80040DC fdmt80040dc-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 895 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.