Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMT80040DC
FDMT80040DC

FDMT80040DC ON Semiconductor

fdmt80040dc-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 64A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
39+313.97 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMT80040DC ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMT80040DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 420 A, 440 µohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 420A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Dual Cool PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 440µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDMT80040DC за ціною від 286.00 грн до 654.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMT80040DC FDMT80040DC Виробник : ONSEMI 2907381.pdf Description: ONSEMI - FDMT80040DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 420 A, 440 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 420A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Dual Cool PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 440µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+358.12 грн
250+355.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80040DC FDMT80040DC Виробник : ON Semiconductor fdmt80040dc-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 64A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+417.62 грн
10+378.14 грн
25+374.31 грн
100+324.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80040DC FDMT80040DC Виробник : ONSEMI 2907381.pdf Description: ONSEMI - FDMT80040DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 420 A, 440 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 420A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Dual Cool PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 440µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+430.62 грн
5+427.21 грн
10+423.79 грн
50+391.14 грн
100+358.12 грн
250+355.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80040DC FDMT80040DC Виробник : onsemi fdmt80040dc-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 420A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 420A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.56mOhm @ 64A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 338 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26110 pF @ 20 V
на замовлення 1236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+530.59 грн
10+389.63 грн
100+314.79 грн
500+286.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80040DC FDMT80040DC Виробник : onsemi / Fairchild FDMT80040DC_D-1808230.pdf MOSFETs 40 V N-Channel Dual CoolTM 88 PowerTrench MOSFET
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+654.89 грн
10+484.37 грн
25+399.10 грн
100+321.42 грн
250+319.89 грн
500+303.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80040DC FDMT80040DC Виробник : ON Semiconductor fdmt80040dc-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 64A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80040DC FDMT80040DC Виробник : ON Semiconductor fdmt80040dc-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 64A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80040DC Виробник : ONSEMI fdmt80040dc-d.pdf FDMT80040DC SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80040DC FDMT80040DC Виробник : onsemi fdmt80040dc-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 420A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 420A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.56mOhm @ 64A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 338 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26110 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.