Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMT80040DC ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMT80040DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 420 A, 440 µohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 420A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Dual Cool PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 440µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDMT80040DC за ціною від 224.30 грн до 495.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDMT80040DC | ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 40V 64A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 4197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMT80040DC | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 420A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 420A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.56mOhm @ 64A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 338 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26110 pF @ 20 V |
на замовлення 1236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMT80040DC | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMT80040DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 420 A, 440 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 420A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Dual Cool PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 440µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
FDMT80040DC | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMT80040DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 420 A, 440 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 420A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Dual Cool PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 440µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDMT80040DC | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 64A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 1660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDMT80040DC | ONN |
|
на замовлення 895 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDMT80040DC |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 64A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 64A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 448.82 грн |
| 10+ | 406.39 грн |
| 25+ | 402.27 грн |
| 100+ | 348.62 грн |
| FDMT80040DC |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 420A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 420A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.56mOhm @ 64A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 338 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26110 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 40V 420A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 420A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.56mOhm @ 64A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 338 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26110 pF @ 20 V
на замовлення 1236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 495.71 грн |
| 10+ | 364.01 грн |
| 100+ | 294.09 грн |
| 500+ | 267.20 грн |
| FDMT80040DC |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMT80040DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 420 A, 440 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 420A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Dual Cool PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 440µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDMT80040DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 420 A, 440 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 420A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Dual Cool PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 440µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDMT80040DC |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMT80040DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 420 A, 440 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 420A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Dual Cool PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 440µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDMT80040DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 420 A, 440 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 420A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Dual Cool PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 440µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDMT80040DC |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 64A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 64A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 492.93 грн |
| 10+ | 425.50 грн |
| 25+ | 418.00 грн |
| 100+ | 325.22 грн |
| 250+ | 282.49 грн |
| 500+ | 254.41 грн |
| 1000+ | 224.30 грн |
| FDMT80040DC |
|
Виробник: ONN
на замовлення 895 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)