Продукція > ONSEMI > FDMT80060DC
FDMT80060DC

FDMT80060DC onsemi

fdmt80060dc-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 43A/292A 8DUAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 292A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20170 pF @ 30 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+571.89 грн
10+375.43 грн
100+293.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMT80060DC onsemi

Description: ONSEMI - FDMT80060DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 292 A, 870 µohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 292A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 870µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDMT80060DC за ціною від 295.37 грн до 580.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDMT80060DC FDMT80060DC ONSEMI fdmt80060dc-d.pdf Description: ONSEMI - FDMT80060DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 292 A, 870 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 292A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 870µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 5151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+580.85 грн
50+409.77 грн
100+351.12 грн
500+324.52 грн
1500+295.37 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80060DC FDMT80060DC ONSEMI fdmt80060dc-d.pdf Description: ONSEMI - FDMT80060DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 292 A, 870 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 292A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 870µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 5151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+580.85 грн
50+409.77 грн
100+351.12 грн
500+324.52 грн
1500+295.37 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80060DC ONN fdmt80060dc-d.pdf
на замовлення 8954 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80060DC fdmt80060dc-d.pdf
FDMT80060DC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMT80060DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 292 A, 870 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 292A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 870µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 5151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+580.85 грн
50+409.77 грн
100+351.12 грн
500+324.52 грн
1500+295.37 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80060DC fdmt80060dc-d.pdf
FDMT80060DC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMT80060DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 292 A, 870 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 292A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 870µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 5151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+580.85 грн
50+409.77 грн
100+351.12 грн
500+324.52 грн
1500+295.37 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80060DC fdmt80060dc-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 8954 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.