Продукція > ONSEMI > FDMT80080DC
FDMT80080DC

FDMT80080DC onsemi


fdmt80080dc-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 36A/254A 8DUAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 254A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20720 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+165.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMT80080DC onsemi

Description: ONSEMI - FDMT80080DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 254 A, 1350 µohm, Dual Cool 88, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 254A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: Dual Cool 88, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDMT80080DC за ціною від 158.84 грн до 316.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMT80080DC FDMT80080DC Виробник : ON Semiconductor fdmt80080dc-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 36A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 1524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
57+217.26 грн
58+213.88 грн
59+210.58 грн
100+199.80 грн
250+181.98 грн
500+171.87 грн
1000+168.97 грн
Мінімальне замовлення: 57
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80080DC FDMT80080DC Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003584475-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMT80080DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 254 A, 1350 µohm, Dual Cool 88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 254A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: Dual Cool 88
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+232.16 грн
500+213.99 грн
1500+190.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80080DC FDMT80080DC Виробник : ON Semiconductor fdmt80080dc-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 36A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 1524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+232.78 грн
10+229.16 грн
25+225.62 грн
100+214.07 грн
250+194.98 грн
500+184.15 грн
1000+181.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80080DC FDMT80080DC Виробник : ON Semiconductor fdmt80080dc-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 36A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
123+251.67 грн
Мінімальне замовлення: 123
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80080DC FDMT80080DC Виробник : ON Semiconductor fdmt80080dc-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 36A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 224220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
123+251.67 грн
Мінімальне замовлення: 123
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80080DC FDMT80080DC Виробник : onsemi fdmt80080dc-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 36A/254A 8DUAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 254A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20720 pF @ 40 V
на замовлення 6007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+278.39 грн
10+224.09 грн
100+196.28 грн
500+182.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80080DC FDMT80080DC Виробник : onsemi / Fairchild FDMT80080DC-D.pdf MOSFETs 80V N ch Dual Cool Power Trench MOSFET
на замовлення 4046 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+294.91 грн
10+243.27 грн
100+185.57 грн
500+184.05 грн
1000+177.17 грн
3000+158.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80080DC FDMT80080DC Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003584475-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMT80080DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 254 A, 1350 µohm, Dual Cool 88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 254A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: Dual Cool 88
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+316.12 грн
50+264.72 грн
100+232.16 грн
500+213.99 грн
1500+190.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80080DC FDMT80080DC Виробник : ON Semiconductor 3663403802257979fdmt80080dc.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 36A 8-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80080DC FDMT80080DC Виробник : ON Semiconductor fdmt80080dc-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 36A 8-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80080DC Виробник : ONSEMI fdmt80080dc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 160A; Idm: 1453A; 156W; DFNW8
Case: DFNW8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 273nC
On-state resistance: 2.22mΩ
Power dissipation: 156W
Drain current: 160A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Pulsed drain current: 1453A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.