FDMT80080DC ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMT80080DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 254 A, 1350 µohm, Dual Cool 88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 254A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: Dual Cool 88
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 231.22 грн |
| 500+ | 207.17 грн |
| 1500+ | 187.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMT80080DC ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMT80080DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 254 A, 1350 µohm, Dual Cool 88, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 254A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: Dual Cool 88, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FDMT80080DC за ціною від 144.64 грн до 316.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDMT80080DC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 36A 8-Pin QFN EP T/R |
на замовлення 1524 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDMT80080DC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 36A 8-Pin QFN EP T/R |
на замовлення 1524 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMT80080DC | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 80V N ch Dual Cool Power Trench MOSFET |
на замовлення 4046 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDMT80080DC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 36A 8-Pin QFN EP T/R |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDMT80080DC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 36A 8-Pin QFN EP T/R |
на замовлення 224220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDMT80080DC | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMT80080DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 254 A, 1350 µohm, Dual Cool 88, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 254A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: Dual Cool 88 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 3849 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDMT80080DC | Виробник : ONN |
|
на замовлення 2900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
FDMT80080DC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 36A 8-Pin QFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| FDMT80080DC | Виробник : Fairchild/ON Semiconductor |
N-канальний ПТ, Udss, В = 80, Id = 36 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 20720 @ 40, Qg, нКл = 273 @ 10 В, Rds = 1,35 мОм @ 36 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,2, 156, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Id2 = 254 A,... Група товару: Транзистори Корпкількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
FDMT80080DC | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 36A/254A 8DUALPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 254A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 36A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20720 pF @ 40 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
FDMT80080DC | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 36A/254A 8DUALPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 254A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 36A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20720 pF @ 40 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| FDMT80080DC | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 160A; Idm: 1453A; 156W; DFNW8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 160A Pulsed drain current: 1453A Power dissipation: 156W Case: DFNW8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.22mΩ Mounting: SMD Gate charge: 273nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |

