FDMT80080DC onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 36A/254A 8DUAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 254A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20720 pF @ 40 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 175.53 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMT80080DC onsemi
Description: ONSEMI - FDMT80080DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 254 A, 1350 µohm, Dual Cool 88, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 254A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 156W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Dual Cool 88, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm.
Інші пропозиції FDMT80080DC за ціною від 152.12 грн до 541.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMT80080DC | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 36A 8-Pin QFN EP T/R |
на замовлення 1524 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMT80080DC | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 36A 8-Pin QFN EP T/R |
на замовлення 1524 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMT80080DC | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 80V N ch Dual Cool Power Trench MOSFET |
на замовлення 4046 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMT80080DC | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 36A 8-Pin QFN EP T/R |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMT80080DC | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 36A 8-Pin QFN EP T/R |
на замовлення 224220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMT80080DC | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 36A/254A 8DUAL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 254A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 36A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20720 pF @ 40 V |
на замовлення 14890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMT80080DC | onsemi |
MOSFETs 80V N ch Dual Cool Power Trench MOSFET |
на замовлення 2328 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMT80080DC | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMT80080DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 254 A, 1350 µohm, Dual Cool 88, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 254A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 156W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Dual Cool 88 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm |
на замовлення 84 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
FDMT80080DC | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMT80080DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 254 A, 1350 µohm, Dual Cool 88, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 254A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 156W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Dual Cool 88 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm |
на замовлення 84 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 84 шт В кошику од. на суму грн. |
| FDMT80080DC |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 80V 36A 8-Pin QFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 80V 36A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 1524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 249.92 грн |
| 10+ | 246.03 грн |
| 25+ | 242.24 грн |
| 100+ | 229.83 грн |
| 250+ | 209.33 грн |
| 500+ | 197.70 грн |
| 1000+ | 194.37 грн |
| FDMT80080DC |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 80V 36A 8-Pin QFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 80V 36A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 1524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 57+ | 249.92 грн |
| 58+ | 246.03 грн |
| 59+ | 242.24 грн |
| 100+ | 229.83 грн |
| 250+ | 209.33 грн |
| 500+ | 197.70 грн |
| 1000+ | 194.37 грн |
| FDMT80080DC |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 80V N ch Dual Cool Power Trench MOSFET
MOSFETs 80V N ch Dual Cool Power Trench MOSFET
на замовлення 4046 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 282.41 грн |
| 10+ | 232.96 грн |
| 100+ | 177.71 грн |
| 500+ | 176.25 грн |
| 1000+ | 169.67 грн |
| 3000+ | 152.12 грн |
| FDMT80080DC |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 80V 36A 8-Pin QFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 80V 36A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 123+ | 289.51 грн |
| FDMT80080DC |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 80V 36A 8-Pin QFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 80V 36A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 224220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 123+ | 289.51 грн |
| FDMT80080DC |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 36A/254A 8DUAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 254A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20720 pF @ 40 V
Description: MOSFET N-CH 80V 36A/254A 8DUAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 254A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20720 pF @ 40 V
на замовлення 14890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 476.68 грн |
| 10+ | 307.95 грн |
| 50+ | 243.19 грн |
| 100+ | 208.69 грн |
| 500+ | 194.16 грн |
| FDMT80080DC |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs 80V N ch Dual Cool Power Trench MOSFET
MOSFETs 80V N ch Dual Cool Power Trench MOSFET
на замовлення 2328 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 541.79 грн |
| 10+ | 349.03 грн |
| 100+ | 223.79 грн |
| FDMT80080DC |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMT80080DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 254 A, 1350 µohm, Dual Cool 88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 254A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Dual Cool 88
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
Description: ONSEMI - FDMT80080DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 254 A, 1350 µohm, Dual Cool 88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 254A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Dual Cool 88
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDMT80080DC |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMT80080DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 254 A, 1350 µohm, Dual Cool 88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 254A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Dual Cool 88
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
Description: ONSEMI - FDMT80080DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 254 A, 1350 µohm, Dual Cool 88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 254A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Dual Cool 88
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)