Продукція > ONSEMI > FDMT80080DC
FDMT80080DC

FDMT80080DC onsemi

fdmt80080dc-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 36A/254A 8DUAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 254A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20720 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+170.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMT80080DC onsemi

Description: ONSEMI - FDMT80080DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 254 A, 0.00135 ohm, Dual Cool 88, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 254A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: Dual Cool 88, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00135ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDMT80080DC за ціною від 154.11 грн до 417.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMT80080DC FDMT80080DC Виробник : ON Semiconductor fdmt80080dc-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 36A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 1524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+198.39 грн
10+195.30 грн
25+192.29 грн
100+182.44 грн
250+166.17 грн
500+156.94 грн
1000+154.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80080DC FDMT80080DC Виробник : ON Semiconductor fdmt80080dc-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 36A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 1524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
57+213.65 грн
58+210.33 грн
59+207.08 грн
100+196.48 грн
250+178.95 грн
500+169.01 грн
1000+166.16 грн
Мінімальне замовлення: 57
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80080DC FDMT80080DC Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003584475-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMT80080DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 254 A, 0.00135 ohm, Dual Cool 88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 254A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: Dual Cool 88
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00135ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+235.46 грн
500+209.47 грн
1500+183.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80080DC FDMT80080DC Виробник : ON Semiconductor fdmt80080dc-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 36A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
123+247.49 грн
Мінімальне замовлення: 123
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80080DC FDMT80080DC Виробник : ON Semiconductor fdmt80080dc-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 36A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 224220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
123+247.49 грн
Мінімальне замовлення: 123
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80080DC FDMT80080DC Виробник : onsemi fdmt80080dc-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 36A/254A 8DUAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 254A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20720 pF @ 40 V
на замовлення 6938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+288.18 грн
10+227.28 грн
100+189.88 грн
500+154.65 грн
1000+154.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80080DC FDMT80080DC Виробник : onsemi / Fairchild FDMT80080DC_D-2312528.pdf MOSFETs 80V N ch Dual Cool Power Trench MOSFET
на замовлення 2594 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+345.06 грн
10+250.67 грн
100+172.47 грн
500+165.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80080DC FDMT80080DC Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003584475-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMT80080DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 254 A, 0.00135 ohm, Dual Cool 88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 254A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: Dual Cool 88
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00135ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+417.41 грн
50+302.15 грн
100+235.46 грн
500+209.47 грн
1500+183.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80080DC FDMT80080DC Виробник : ON Semiconductor 3663403802257979fdmt80080dc.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 36A 8-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80080DC FDMT80080DC Виробник : ON Semiconductor fdmt80080dc-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 36A 8-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80080DC Виробник : ONSEMI fdmt80080dc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 160A; Idm: 1453A; 156W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 160A
Pulsed drain current: 1453A
Power dissipation: 156W
Case: DFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 273nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80080DC Виробник : ONSEMI fdmt80080dc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 160A; Idm: 1453A; 156W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 160A
Pulsed drain current: 1453A
Power dissipation: 156W
Case: DFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 273nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.