Продукція > ONSEMI > FDMT80080DC
FDMT80080DC

FDMT80080DC ONSEMI

fdmt80080dc-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMT80080DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 254 A, 1350 µohm, Dual Cool 88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 254A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: Dual Cool 88
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+233.83 грн
500+209.51 грн
1500+189.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMT80080DC ONSEMI

Description: ONSEMI - FDMT80080DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 254 A, 1350 µohm, Dual Cool 88, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 254A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: Dual Cool 88, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDMT80080DC за ціною від 146.28 грн до 495.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMT80080DC FDMT80080DC onsemi / Fairchild FDMT80080DC-D.pdf MOSFETs 80V N ch Dual Cool Power Trench MOSFET
на замовлення 4046 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+271.57 грн
10+224.02 грн
100+170.89 грн
500+169.48 грн
1000+163.16 грн
3000+146.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80080DC FDMT80080DC ONSEMI fdmt80080dc-d.pdf Description: ONSEMI - FDMT80080DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 254 A, 1350 µohm, Dual Cool 88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 254A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: Dual Cool 88
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+319.98 грн
50+266.65 грн
100+233.83 грн
500+209.51 грн
1500+189.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80080DC FDMT80080DC onsemi fdmt80080dc-d.pdf MOSFETs 80V N ch Dual Cool Power Trench MOSFET
на замовлення 2426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+495.56 грн
10+320.26 грн
100+205.35 грн
500+182.85 грн
1000+171.59 грн
3000+161.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80080DC ONN fdmt80080dc-d.pdf
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80080DC FDMT80080DC-D.pdf
FDMT80080DC
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 80V N ch Dual Cool Power Trench MOSFET
на замовлення 4046 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+271.57 грн
10+224.02 грн
100+170.89 грн
500+169.48 грн
1000+163.16 грн
3000+146.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80080DC fdmt80080dc-d.pdf
FDMT80080DC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMT80080DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 254 A, 1350 µohm, Dual Cool 88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 254A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: Dual Cool 88
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+319.98 грн
50+266.65 грн
100+233.83 грн
500+209.51 грн
1500+189.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80080DC fdmt80080dc-d.pdf
FDMT80080DC
Виробник: onsemi
MOSFETs 80V N ch Dual Cool Power Trench MOSFET
на замовлення 2426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+495.56 грн
10+320.26 грн
100+205.35 грн
500+182.85 грн
1000+171.59 грн
3000+161.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80080DC fdmt80080dc-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.