FDMT80080DC ON Semiconductor
на замовлення 1524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 57+ | 222.94 грн |
| 58+ | 219.47 грн |
| 59+ | 216.08 грн |
| 100+ | 205.02 грн |
| 250+ | 186.73 грн |
| 500+ | 176.36 грн |
| 1000+ | 173.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMT80080DC ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMT80080DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 254 A, 1350 µohm, Dual Cool 88, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 254A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: Dual Cool 88, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FDMT80080DC за ціною від 166.88 грн до 440.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDMT80080DC | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH Si 80V 36A 8-Pin QFN EP T/R |
на замовлення 1524 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMT80080DC | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMT80080DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 254 A, 1350 µohm, Dual Cool 88, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 254A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: Dual Cool 88 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 3849 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMT80080DC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 36A 8-Pin QFN EP T/R |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMT80080DC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 36A 8-Pin QFN EP T/R |
на замовлення 224220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMT80080DC | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 80V N ch Dual Cool Power Trench MOSFET |
на замовлення 4046 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMT80080DC | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMT80080DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 254 A, 1350 µohm, Dual Cool 88, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 254A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: Dual Cool 88 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 3849 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMT80080DC | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 36A/254A 8DUAL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 254A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 36A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20720 pF @ 40 V |
на замовлення 2631 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMT80080DC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 36A 8-Pin QFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
FDMT80080DC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 36A 8-Pin QFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
FDMT80080DC | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 36A/254A 8DUAL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 254A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 36A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20720 pF @ 40 V |
товару немає в наявності |