Продукція > ONSEMI > FDN028N20
FDN028N20

FDN028N20 onsemi

fdn028n20-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 6.1A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.20 грн
6000+11.25 грн
9000+10.67 грн
15000+9.71 грн
21000+9.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN028N20 onsemi

Description: MOSFET N-CH 20V 6.1A SUPERSOT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V.

Інші пропозиції FDN028N20 за ціною від 10.45 грн до 50.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDN028N20 FDN028N20 Виробник : onsemi / Fairchild FDN028N20_D-2312560.pdf MOSFET Gaming/DT/Notebook/ NVDC/Server
на замовлення 74820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+40.68 грн
10+34.69 грн
100+21.04 грн
500+16.41 грн
1000+13.32 грн
3000+11.26 грн
9000+10.45 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDN028N20 FDN028N20 Виробник : onsemi fdn028n20-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6.1A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V
на замовлення 34578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.93 грн
10+33.11 грн
100+21.91 грн
500+15.70 грн
1000+14.13 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN028N20 FDN028N20 Виробник : ON Semiconductor / Fairchild FDN028N20-1300538.pdf MOSFET Gaming/DT/Notebook/ NVDC/Server
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN028N20 Виробник : ONSEMI fdn028n20-d.pdf FDN028N20 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.