Продукція > ONSEMI > FDN028N20
FDN028N20

FDN028N20 onsemi

fdn028n20-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 6.1A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.49 грн
6000+11.51 грн
9000+10.92 грн
15000+9.94 грн
21000+9.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN028N20 onsemi

Description: MOSFET N-CH 20V 6.1A SUPERSOT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V.

Інші пропозиції FDN028N20 за ціною від 10.09 грн до 52.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDN028N20 FDN028N20 Виробник : onsemi / Fairchild FDN028N20-D.PDF MOSFETs Gaming/DT/Notebook/ NVDC/Server
на замовлення 27055 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+32.51 грн
15+23.21 грн
100+15.14 грн
500+13.63 грн
1000+12.65 грн
3000+10.39 грн
6000+10.09 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDN028N20 FDN028N20 Виробник : onsemi fdn028n20-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6.1A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V
на замовлення 34578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.14 грн
10+33.89 грн
100+22.43 грн
500+16.07 грн
1000+14.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN028N20 FDN028N20 Виробник : ON Semiconductor / Fairchild FDN028N20-1300538.pdf MOSFET Gaming/DT/Notebook/ NVDC/Server
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN028N20 Виробник : ONSEMI fdn028n20-d.pdf FDN028N20 SMD N channel transistors
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+45.01 грн
62+17.98 грн
170+17.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.