Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > FDN302P Fairchild
FDN302P

FDN302P Fairchild

FDN302P.pdf
Код товару: 31343
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: Fairchild
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 20 В
Струм стоку Id, А: 2,4 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,055 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 882/9
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+20.00 грн
10+12.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDN302P за ціною від 3.11 грн до 46.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDN302P FDN302P ON Semiconductor fdn302p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2474+14.29 грн
10000+12.74 грн
Мінімальне замовлення: 2474 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P FDN302P FAIRCHILD 3658854106519508fdn302p.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2474+14.29 грн
Мінімальне замовлення: 2474 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P FDN302P ON Semiconductor fdn302p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
490+28.89 грн
633+22.37 грн
807+17.53 грн
1000+14.88 грн
Мінімальне замовлення: 490 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P FDN302P ON Semiconductor fdn302p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+28.90 грн
100+22.38 грн
500+17.53 грн
1000+14.88 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P FDN302P ONSEMI FDN302P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 84mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1302 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+43.75 грн
13+33.83 грн
15+29.52 грн
50+20.23 грн
100+17.08 грн
500+12.02 грн
1000+11.11 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P FDN302P ONSEMI ONSM-S-A0013339524-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDN302P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 5776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P FDN302P ONSEMI 2298614.pdf Description: ONSEMI - FDN302P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P FDN302P Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. FDN302P%20SOT-23.PDF Description: 20V 2.4A 55M@4.5V,2.4A 500MW 1.5
на замовлення 2061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+13.95 грн
36+8.36 грн
100+5.16 грн
500+3.53 грн
1000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P FDN302P UMW 4e77983add2cde205dc3c42f929accf9.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT23
на замовлення 1261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.12 грн
19+15.97 грн
100+10.01 грн
500+6.97 грн
1000+6.19 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P FDN302P onsemi FDN302P-D.PDF Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 882 pF @ 10 V
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.49 грн
11+27.76 грн
100+17.74 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P FDN302P ON Semiconductor fdn302p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P FDN302P onsemi FDN302P-D.PDF FDN302P%20SOT-23.PDF 4e77983add2cde205dc3c42f929accf9.pdf MOSFETs SSOT-3 P-CH 2.5V
на замовлення 6878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P FDN302P ONSEMI ONSM-S-A0013339524-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDN302P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 5776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P fdn302p-d.pdf
FDN302P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2474+14.29 грн
10000+12.74 грн
Мінімальне замовлення: 2474 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P 3658854106519508fdn302p.pdf
FDN302P
Виробник: FAIRCHILD
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2474+14.29 грн
Мінімальне замовлення: 2474 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P fdn302p-d.pdf
FDN302P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
490+28.89 грн
633+22.37 грн
807+17.53 грн
1000+14.88 грн
Мінімальне замовлення: 490 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P fdn302p-d.pdf
FDN302P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+28.90 грн
100+22.38 грн
500+17.53 грн
1000+14.88 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P FDN302P.pdf
FDN302P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 84mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1302 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+43.75 грн
13+33.83 грн
15+29.52 грн
50+20.23 грн
100+17.08 грн
500+12.02 грн
1000+11.11 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P ONSM-S-A0013339524-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDN302P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN302P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 5776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P 2298614.pdf
FDN302P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN302P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P FDN302P%20SOT-23.PDF
FDN302P
Виробник: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Description: 20V 2.4A 55M@4.5V,2.4A 500MW 1.5
на замовлення 2061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+13.95 грн
36+8.36 грн
100+5.16 грн
500+3.53 грн
1000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P 4e77983add2cde205dc3c42f929accf9.pdf
FDN302P
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT23
на замовлення 1261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.12 грн
19+15.97 грн
100+10.01 грн
500+6.97 грн
1000+6.19 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P FDN302P-D.PDF
FDN302P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 882 pF @ 10 V
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+46.49 грн
11+27.76 грн
100+17.74 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P fdn302p-d.pdf
FDN302P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P FDN302P-D.PDF FDN302P%20SOT-23.PDF 4e77983add2cde205dc3c42f929accf9.pdf
FDN302P
Виробник: onsemi
MOSFETs SSOT-3 P-CH 2.5V
на замовлення 6878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P ONSM-S-A0013339524-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDN302P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN302P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 5776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.