Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDN302P
FDN302P

FDN302P ON Semiconductor

fdn302p-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.89 грн
6000+11.63 грн
9000+11.45 грн
12000+10.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN302P ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDN302P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDN302P за ціною від 6.61 грн до 44.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDN302P FDN302P Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013339524-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDN302P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+16.71 грн
500+10.84 грн
1500+9.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P FDN302P Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF7F8CFD145E28&compId=FDN302P.pdf?ci_sign=a191bb28b9401e300ad30df3fd6e3e98f6c3ba9a Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 84mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 14nC
Technology: PowerTrench®
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+36.65 грн
15+27.86 грн
17+24.69 грн
50+18.05 грн
79+11.79 грн
218+11.16 грн
1000+10.68 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P FDN302P Виробник : ONSEMI FDN302P-D.PDF Description: ONSEMI - FDN302P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+44.92 грн
50+27.28 грн
100+19.01 грн
500+14.88 грн
1500+11.76 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P FDN302P
Код товару: 31343
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : Fairchild FDN302P.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Id,A: 2,4 A
Rds(on),Om: 0,055 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 882/9
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+20.00 грн
10+12.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P FDN302P Виробник : onsemi FDN302P-D.PDF Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 882 pF @ 10 V
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P FDN302P Виробник : ON Semiconductor 3658854106519508fdn302p.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P FDN302P Виробник : ON Semiconductor fdn302p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.55 грн
9000+10.22 грн
24000+9.87 грн
45000+9.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P FDN302P Виробник : ON Semiconductor fdn302p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.37 грн
9000+10.95 грн
24000+10.57 грн
45000+9.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P FDN302P Виробник : ON Semiconductor fdn302p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
449+27.14 грн
785+15.51 грн
793+15.35 грн
802+14.65 грн
1324+8.21 грн
Мінімальне замовлення: 449
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P FDN302P Виробник : ON Semiconductor fdn302p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+39.12 грн
26+27.12 грн
100+14.98 грн
1000+10.54 грн
3000+7.58 грн
9000+7.01 грн
24000+6.94 грн
45000+6.61 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P FDN302P Виробник : onsemi FDN302P-D.PDF Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 882 pF @ 10 V
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.45 грн
12+27.54 грн
100+15.20 грн
500+12.54 грн
1000+11.11 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P FDN302P Виробник : onsemi / Fairchild FDN302P_D-2312833.pdf MOSFETs SSOT-3 P-CH 2.5V
на замовлення 11924 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+41.22 грн
13+28.49 грн
100+13.37 грн
1000+10.18 грн
3000+9.19 грн
9000+8.13 грн
24000+7.90 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P FDN302P Виробник : ON Semiconductor fdn302p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+42.06 грн
24+29.39 грн
25+29.08 грн
100+15.87 грн
250+14.55 грн
500+13.82 грн
1000+8.44 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P FDN302P Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF7F8CFD145E28&compId=FDN302P.pdf?ci_sign=a191bb28b9401e300ad30df3fd6e3e98f6c3ba9a Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 84mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 14nC
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+43.98 грн
9+34.72 грн
10+29.63 грн
50+21.65 грн
79+14.15 грн
218+13.39 грн
1000+12.82 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P FDN302P Виробник : ON Semiconductor 3658854106519508fdn302p.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P FDN302P Виробник : ON Semiconductor fdn302p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P FDN302P Виробник : ON Semiconductor fdn302p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.