Продукція > ONSEMI > FDN302P
FDN302P

FDN302P onsemi

FDN302P-D.PDF Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 882 pF @ 10 V
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN302P onsemi

Description: ONSEMI - FDN302P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDN302P за ціною від 5.77 грн до 52.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDN302P FDN302P Виробник : ON Semiconductor 3658854106519508fdn302p.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P FDN302P Виробник : ON Semiconductor fdn302p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.80 грн
9000+9.56 грн
24000+9.23 грн
45000+8.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P FDN302P Виробник : ON Semiconductor fdn302p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.64 грн
9000+10.30 грн
24000+9.94 грн
45000+9.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P FDN302P Виробник : ON Semiconductor fdn302p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.97 грн
6000+11.71 грн
9000+11.53 грн
12000+10.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P FDN302P Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013339524-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDN302P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+16.83 грн
500+10.92 грн
1500+9.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P FDN302P Виробник : ON Semiconductor fdn302p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
449+27.34 грн
785+15.63 грн
793+15.46 грн
802+14.75 грн
1324+8.27 грн
Мінімальне замовлення: 449
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P FDN302P Виробник : ON Semiconductor fdn302p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+34.15 грн
26+23.67 грн
100+13.08 грн
1000+9.20 грн
3000+6.62 грн
9000+6.12 грн
24000+6.06 грн
45000+5.77 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P FDN302P Виробник : ON Semiconductor fdn302p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+36.72 грн
24+25.65 грн
25+25.39 грн
100+13.85 грн
250+12.70 грн
500+12.06 грн
1000+7.37 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P FDN302P Виробник : onsemi FDN302P-D.PDF Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 882 pF @ 10 V
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.74 грн
12+27.74 грн
100+15.31 грн
500+12.63 грн
1000+11.19 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P FDN302P Виробник : onsemi / Fairchild FDN302P_D-2312833.pdf MOSFETs SSOT-3 P-CH 2.5V
на замовлення 11924 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+41.52 грн
13+28.69 грн
100+13.47 грн
1000+10.26 грн
3000+9.26 грн
9000+8.19 грн
24000+7.96 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P FDN302P
Код товару: 31343
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : Fairchild FDN302P.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Id,A: 2,4 A
Rds(on),Om: 0,055 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 882/9
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+14.00 грн
10+12.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P FDN302P Виробник : ONSEMI FDN302P-D.PDF Description: ONSEMI - FDN302P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+52.63 грн
50+32.19 грн
100+15.71 грн
500+13.79 грн
1500+11.99 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P Виробник : ONSEMI FDN302P-D.PDF FDN302P SMD P channel transistors
на замовлення 2028 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.03 грн
79+14.16 грн
218+13.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P FDN302P Виробник : ON Semiconductor fdn302p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P FDN302P Виробник : ON Semiconductor fdn302p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P FDN302P Виробник : ON Semiconductor 3658854106519508fdn302p.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.