на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 11.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDN304PZ ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDN304PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDN304PZ за ціною від 12.26 грн до 72.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDN304PZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
FDN304PZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
FDN304PZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
FDN304PZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
FDN304PZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
FDN304PZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN304PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
FDN304PZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 23900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
FDN304PZ | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SuperSOT-3 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.4A Power dissipation: 0.5W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 2094 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
FDN304PZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V |
на замовлення 10979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
FDN304PZ | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SuperSOT-3 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.4A Power dissipation: 0.5W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2094 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
FDN304PZ | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 1.8V |
на замовлення 8308 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
FDN304PZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN304PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
FDN304PZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 23900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
FDN304PZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
FDN304PZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
FDN304PZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |




