Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDN304PZ ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDN304PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, Verlustleistung: 500mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm.
Інші пропозиції FDN304PZ за ціною від 8.03 грн до 64.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDN304PZ | onsemi |
 Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDN304PZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDN304PZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDN304PZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDN304PZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDN304PZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2086 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDN304PZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDN304PZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 14400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDN304PZ | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SuperSOT-3 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.4A Power dissipation: 0.5W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 2087 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDN304PZ | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3 Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) |
на замовлення 31724 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDN304PZ | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN304PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm |
на замовлення 4109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
FDN304PZ | onsemi |
MOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 1.8V |
на замовлення 6194 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
FDN304PZ | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN304PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm |
на замовлення 4109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| FDN304PZ |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 14.55 грн |
| 6000+ | 12.88 грн |
| FDN304PZ |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 18.17 грн |
| FDN304PZ |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 18.17 грн |
| FDN304PZ |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 20.56 грн |
| 6000+ | 18.91 грн |
| FDN304PZ |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 20.62 грн |
| 6000+ | 18.97 грн |
| FDN304PZ |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1551+ | 22.66 грн |
| FDN304PZ |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 520+ | 27.05 грн |
| 1000+ | 24.57 грн |
| FDN304PZ |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 19+ | 40.18 грн |
| 31+ | 24.33 грн |
| 100+ | 14.99 грн |
| 500+ | 11.87 грн |
| 1000+ | 10.88 грн |
| 3000+ | 8.57 грн |
| 6000+ | 8.03 грн |
| FDN304PZ |
|
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2087 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 60.31 грн |
| 13+ | 32.37 грн |
| 50+ | 23.88 грн |
| 100+ | 21.17 грн |
| 500+ | 17.38 грн |
| FDN304PZ |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 31724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 64.66 грн |
| 10+ | 38.69 грн |
| 100+ | 25.12 грн |
| 500+ | 18.09 грн |
| 1000+ | 16.32 грн |
| FDN304PZ |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN304PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
Description: ONSEMI - FDN304PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
на замовлення 4109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDN304PZ |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 1.8V
MOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 1.8V
на замовлення 6194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FDN304PZ |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN304PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
Description: ONSEMI - FDN304PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
на замовлення 4109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)