Продукція > ONSEMI > FDN304PZ
FDN304PZ

FDN304PZ onsemi

FDN304PZ-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+14.77 грн
6000+13.08 грн
9000+12.49 грн
15000+11.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN304PZ onsemi

Description: ONSEMI - FDN304PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDN304PZ за ціною від 11.77 грн до 66.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDN304PZ FDN304PZ onsemi / Fairchild FDN304PZ-D.PDF MOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 1.8V
на замовлення 8308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+55.18 грн
10+38.26 грн
100+21.50 грн
500+16.63 грн
1000+14.80 грн
3000+11.91 грн
6000+11.77 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZ FDN304PZ onsemi FDN304PZ-D.PDF Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 20319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.06 грн
10+36.73 грн
100+23.83 грн
500+17.16 грн
1000+15.48 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZ FDN304PZ ONSEMI FDN304PZ-D.PDF Description: ONSEMI - FDN304PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+66.19 грн
22+37.99 грн
100+23.27 грн
500+17.71 грн
1000+14.87 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZ FDN304PZ-D.PDF
FDN304PZ
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 1.8V
на замовлення 8308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+55.18 грн
10+38.26 грн
100+21.50 грн
500+16.63 грн
1000+14.80 грн
3000+11.91 грн
6000+11.77 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZ FDN304PZ-D.PDF
FDN304PZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 20319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+61.06 грн
10+36.73 грн
100+23.83 грн
500+17.16 грн
1000+15.48 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZ FDN304PZ-D.PDF
FDN304PZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN304PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
13+66.19 грн
22+37.99 грн
100+23.27 грн
500+17.71 грн
1000+14.87 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.