Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDN304PZ
FDN304PZ

FDN304PZ ON Semiconductor

fdn304pz-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 14100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+9.74 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN304PZ ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDN304PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, Verlustleistung: 500mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm.

Інші пропозиції FDN304PZ за ціною від 8.70 грн до 71.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDN304PZ FDN304PZ ON Semiconductor fdn304pz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 135000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZ FDN304PZ onsemi FDN304PZ-D.PDF Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.47 грн
6000+13.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZ FDN304PZ ON Semiconductor fdn304pz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 135000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.19 грн
6000+16.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZ FDN304PZ ON Semiconductor fdn304pz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1551+23.57 грн
Мінімальне замовлення: 1551 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZ FDN304PZ ON Semiconductor fdn304pz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 14100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+30.40 грн
37+21.14 грн
50+17.06 грн
100+12.82 грн
500+8.70 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZ FDN304PZ ON Semiconductor fdn304pz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
378+38.73 грн
1000+26.58 грн
Мінімальне замовлення: 378 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZ FDN304PZ ONSEMI FDN304PZ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2072 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+55.04 грн
16+26.89 грн
50+21.78 грн
100+19.77 грн
500+17.51 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZ FDN304PZ onsemi FDN304PZ-D.PDF Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.21 грн
10+38.45 грн
50+28.26 грн
100+23.43 грн
500+17.97 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZ FDN304PZ onsemi FDN304PZ-D.PDF MOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 1.8V
на замовлення 5144 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
5+71.54 грн
10+32.19 грн
100+24.72 грн
500+18.93 грн
1000+16.93 грн
3000+14.40 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZ FDN304PZ ONSEMI ONSM-S-A0003584384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDN304PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
на замовлення 5689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZ FDN304PZ ONSEMI ONSM-S-A0003584384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDN304PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
на замовлення 5689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZ fdn304pz-d.pdf
FDN304PZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 135000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZ FDN304PZ-D.PDF
FDN304PZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.47 грн
6000+13.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZ fdn304pz-d.pdf
FDN304PZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 135000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+19.19 грн
6000+16.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZ fdn304pz-d.pdf
FDN304PZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1551+23.57 грн
Мінімальне замовлення: 1551 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZ fdn304pz-d.pdf
FDN304PZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 14100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
26+30.40 грн
37+21.14 грн
50+17.06 грн
100+12.82 грн
500+8.70 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZ fdn304pz-d.pdf
FDN304PZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
378+38.73 грн
1000+26.58 грн
Мінімальне замовлення: 378 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZ FDN304PZ.pdf
FDN304PZ
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2072 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+55.04 грн
16+26.89 грн
50+21.78 грн
100+19.77 грн
500+17.51 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZ FDN304PZ-D.PDF
FDN304PZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+64.21 грн
10+38.45 грн
50+28.26 грн
100+23.43 грн
500+17.97 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZ FDN304PZ-D.PDF
FDN304PZ
Виробник: onsemi
MOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 1.8V
на замовлення 5144 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+71.54 грн
10+32.19 грн
100+24.72 грн
500+18.93 грн
1000+16.93 грн
3000+14.40 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZ ONSM-S-A0003584384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDN304PZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN304PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
на замовлення 5689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZ ONSM-S-A0003584384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDN304PZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN304PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
на замовлення 5689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.