Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDN308P
FDN308P

FDN308P ON Semiconductor

fdn308p-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2192+16.82 грн
Мінімальне замовлення: 2192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2192 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN308P ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDN308P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.125 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 500mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm.

Інші пропозиції FDN308P за ціною від 10.60 грн до 64.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDN308P FDN308P onsemi / Fairchild FDN308P_D-2313024.pdf MOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 2.5V
на замовлення 6119 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
10+34.54 грн
11+28.48 грн
100+18.48 грн
500+14.16 грн
1000+12.12 грн
3000+10.60 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN308P FDN308P ON Semiconductor fdn308p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
371+39.77 грн
560+26.35 грн
602+24.49 грн
763+18.63 грн
1000+16.15 грн
3000+11.41 грн
Мінімальне замовлення: 371 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN308P FDN308P onsemi fdn308p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 341 pF @ 10 V
на замовлення 2956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.90 грн
10+35.53 грн
50+26.02 грн
100+21.53 грн
500+16.44 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN308P FDN308P ON Semiconductor fdn308p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+61.17 грн
20+40.18 грн
25+39.77 грн
100+25.41 грн
250+21.87 грн
500+16.56 грн
1000+15.51 грн
3000+11.41 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN308P FDN308P onsemi fdn308p-d.pdf MOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 2.5V
на замовлення 4715 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
5+64.58 грн
11+28.91 грн
100+22.11 грн
500+16.96 грн
1000+16.81 грн
3000+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN308P FDN308P ONSEMI fdn308p-d.pdf Description: ONSEMI - FDN308P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.125 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN308P FDN308P ONSEMI fdn308p-d.pdf Description: ONSEMI - FDN308P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.125 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN308P FDN308P_D-2313024.pdf
FDN308P
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 2.5V
на замовлення 6119 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+34.54 грн
11+28.48 грн
100+18.48 грн
500+14.16 грн
1000+12.12 грн
3000+10.60 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN308P fdn308p-d.pdf
FDN308P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
371+39.77 грн
560+26.35 грн
602+24.49 грн
763+18.63 грн
1000+16.15 грн
3000+11.41 грн
Мінімальне замовлення: 371 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN308P fdn308p-d.pdf
FDN308P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 341 pF @ 10 V
на замовлення 2956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+59.90 грн
10+35.53 грн
50+26.02 грн
100+21.53 грн
500+16.44 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN308P fdn308p-d.pdf
FDN308P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+61.17 грн
20+40.18 грн
25+39.77 грн
100+25.41 грн
250+21.87 грн
500+16.56 грн
1000+15.51 грн
3000+11.41 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN308P fdn308p-d.pdf
FDN308P
Виробник: onsemi
MOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 2.5V
на замовлення 4715 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+64.58 грн
11+28.91 грн
100+22.11 грн
500+16.96 грн
1000+16.81 грн
3000+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN308P fdn308p-d.pdf
FDN308P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN308P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.125 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN308P fdn308p-d.pdf
FDN308P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN308P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.125 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.