Продукція > ONSEMI > FDN308P
FDN308P

FDN308P onsemi

fdn308p-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A SUPERSOT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 341 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+14.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN308P onsemi

Description: ONSEMI - FDN308P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.125 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 500mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm.

Інші пропозиції FDN308P за ціною від 10.92 грн до 59.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDN308P FDN308P ON Semiconductor fdn308p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2192+16.10 грн
Мінімальне замовлення: 2192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN308P FDN308P ON Semiconductor fdn308p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
371+38.07 грн
560+25.22 грн
602+23.44 грн
763+17.84 грн
1000+15.46 грн
3000+10.92 грн
Мінімальне замовлення: 371 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN308P FDN308P ON Semiconductor fdn308p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+58.56 грн
20+38.46 грн
25+38.07 грн
100+24.32 грн
250+20.93 грн
500+15.85 грн
1000+14.85 грн
3000+10.92 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN308P FDN308P onsemi fdn308p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A SUPERSOT3
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 341 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
на замовлення 3767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.44 грн
10+35.47 грн
100+22.89 грн
500+16.40 грн
1000+14.77 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN308P FDN308P onsemi / Fairchild FDN308P_D-2313024.pdf MOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 2.5V
на замовлення 6119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN308P FDN308P ONSEMI fdn308p-d.pdf Description: ONSEMI - FDN308P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.125 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
на замовлення 2064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN308P FDN308P ONSEMI fdn308p-d.pdf Description: ONSEMI - FDN308P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.125 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
на замовлення 2064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN308P fdn308p-d.pdf
FDN308P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2192+16.10 грн
Мінімальне замовлення: 2192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN308P fdn308p-d.pdf
FDN308P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
371+38.07 грн
560+25.22 грн
602+23.44 грн
763+17.84 грн
1000+15.46 грн
3000+10.92 грн
Мінімальне замовлення: 371 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN308P fdn308p-d.pdf
FDN308P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+58.56 грн
20+38.46 грн
25+38.07 грн
100+24.32 грн
250+20.93 грн
500+15.85 грн
1000+14.85 грн
3000+10.92 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN308P fdn308p-d.pdf
FDN308P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A SUPERSOT3
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 341 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
на замовлення 3767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+59.44 грн
10+35.47 грн
100+22.89 грн
500+16.40 грн
1000+14.77 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN308P FDN308P_D-2313024.pdf
FDN308P
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 2.5V
на замовлення 6119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN308P fdn308p-d.pdf
FDN308P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN308P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.125 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
на замовлення 2064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN308P fdn308p-d.pdf
FDN308P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN308P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.125 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
на замовлення 2064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.