Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FDN327N

FDN327N

fdn327n-d.pdf
Код товару: 176408
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDN327N за ціною від 6.14 грн до 47.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDN327N FDN327N onsemi fdn327n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 423 pF @ 10 V
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.03 грн
6000+7.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N FDN327N ON Semiconductor fdn327nd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.70 грн
6000+11.52 грн
9000+11.26 грн
12000+10.61 грн
27000+9.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N FDN327N ON Semiconductor fdn327nd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2698+13.14 грн
10000+11.72 грн
Мінімальне замовлення: 2698 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N FDN327N ON Semiconductor fdn327nd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2698+13.14 грн
Мінімальне замовлення: 2698 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N FDN327N ON Semiconductor fdn327nd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2698+13.14 грн
10000+11.72 грн
Мінімальне замовлення: 2698 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N FDN327N ONSEMI fdn327n-d.pdf Description: ONSEMI - FDN327N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 49767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.67 грн
500+13.16 грн
1500+10.98 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N FDN327N ONSEMI FDN327N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: PowerTrench®
Gate charge: 6.3nC
на замовлення 1836 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+37.59 грн
15+28.42 грн
17+24.68 грн
50+16.95 грн
100+14.46 грн
500+10.39 грн
1000+9.22 грн
1500+8.64 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N FDN327N onsemi fdn327n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 423 pF @ 10 V
на замовлення 65003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.94 грн
12+25.28 грн
100+16.15 грн
500+11.45 грн
1000+10.25 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N FDN327N onsemi FDN327N-D.PDF MOSFETs N-Ch PowerTrench 1.8 VGS Spec
на замовлення 3631 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.93 грн
13+25.96 грн
100+14.43 грн
500+10.91 грн
1000+9.80 грн
3000+6.70 грн
6000+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N FDN327N ONSEMI fdn327n-d.pdf Description: ONSEMI - FDN327N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 49767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+47.76 грн
50+26.26 грн
100+16.67 грн
500+13.16 грн
1500+10.98 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N Fairchild/ON Semiconductor FDN327N.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 2 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 423 @ 10, Qg, нКл = 6,3, Rds = 70 мОм, Ugs(th) = 1,5 В, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SSOT-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2973 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+8.76 грн
Мінімальне замовлення: 2973 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N fdn327n-d.pdf
FDN327N
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 423 pF @ 10 V
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+9.03 грн
6000+7.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N fdn327nd.pdf
FDN327N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+11.70 грн
6000+11.52 грн
9000+11.26 грн
12000+10.61 грн
27000+9.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N fdn327nd.pdf
FDN327N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2698+13.14 грн
10000+11.72 грн
Мінімальне замовлення: 2698 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N fdn327nd.pdf
FDN327N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2698+13.14 грн
Мінімальне замовлення: 2698 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N fdn327nd.pdf
FDN327N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2698+13.14 грн
10000+11.72 грн
Мінімальне замовлення: 2698 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N fdn327n-d.pdf
FDN327N
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN327N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 49767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+16.67 грн
500+13.16 грн
1500+10.98 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N FDN327N.pdf
FDN327N
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: PowerTrench®
Gate charge: 6.3nC
на замовлення 1836 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
12+37.59 грн
15+28.42 грн
17+24.68 грн
50+16.95 грн
100+14.46 грн
500+10.39 грн
1000+9.22 грн
1500+8.64 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N fdn327n-d.pdf
FDN327N
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 423 pF @ 10 V
на замовлення 65003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+41.94 грн
12+25.28 грн
100+16.15 грн
500+11.45 грн
1000+10.25 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N FDN327N-D.PDF
FDN327N
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Ch PowerTrench 1.8 VGS Spec
на замовлення 3631 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
8+42.93 грн
13+25.96 грн
100+14.43 грн
500+10.91 грн
1000+9.80 грн
3000+6.70 грн
6000+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N fdn327n-d.pdf
FDN327N
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN327N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 49767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
17+47.76 грн
50+26.26 грн
100+16.67 грн
500+13.16 грн
1500+10.98 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N FDN327N.pdf
Виробник: Fairchild/ON Semiconductor
N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 2 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 423 @ 10, Qg, нКл = 6,3, Rds = 70 мОм, Ugs(th) = 1,5 В, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SSOT-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2973 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+8.76 грн
Мінімальне замовлення: 2973 шт
В кошику  од. на суму  грн.