FDN327N

FDN327N Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.


fdn327n-d.pdf b76c3fc21b1ec8f89a17f22aa73d224d.pdf Виробник: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Description: 20V 2A 500MW 70M@4.5V,2A 1.5V@25
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 222 pF @ 10 V
на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.91 грн
6000+1.63 грн
9000+1.53 грн
15000+1.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN327N Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.

Description: ONSEMI - FDN327N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDN327N за ціною від 2.11 грн до 40.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDN327N FDN327N Виробник : ON Semiconductor fdn327n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
81+7.49 грн
140+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 81
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N FDN327N Виробник : onsemi fdn327n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 423 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N FDN327N Виробник : ON Semiconductor fdn327n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.87 грн
9000+7.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N FDN327N Виробник : ON Semiconductor fdn327n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
44+7.90 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N FDN327N Виробник : ON Semiconductor fdn327n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N FDN327N Виробник : ON Semiconductor fdn327n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.39 грн
9000+8.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N FDN327N Виробник : ON Semiconductor fdn327n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.03 грн
6000+8.84 грн
9000+8.80 грн
12000+8.35 грн
27000+7.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N FDN327N Виробник : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. fdn327n-d.pdf b76c3fc21b1ec8f89a17f22aa73d224d.pdf Description: 20V 2A 500MW 70M@4.5V,2A 1.5V@25
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 222 pF @ 10 V
на замовлення 2364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+9.53 грн
53+5.81 грн
100+3.55 грн
500+2.41 грн
1000+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N FDN327N Виробник : ONSEMI 2304103.pdf Description: ONSEMI - FDN327N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 70609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.09 грн
500+11.70 грн
1500+10.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N FDN327N Виробник : ON Semiconductor fdn327n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2248+13.54 грн
Мінімальне замовлення: 2248
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N FDN327N Виробник : ON Semiconductor fdn327n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2248+13.54 грн
Мінімальне замовлення: 2248
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N FDN327N Виробник : FAIRCHILD fdn327n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2248+13.54 грн
Мінімальне замовлення: 2248
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N FDN327N Виробник : ON Semiconductor fdn327n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
560+21.77 грн
949+12.83 грн
984+12.37 грн
1039+11.31 грн
1436+7.57 грн
Мінімальне замовлення: 560
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N FDN327N Виробник : UMW b76c3fc21b1ec8f89a17f22aa73d224d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.23 грн
24+13.07 грн
100+8.15 грн
500+5.65 грн
1000+5.00 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N FDN327N Виробник : ONSEMI FDN327N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+28.82 грн
18+21.25 грн
22+17.43 грн
50+13.91 грн
85+10.63 грн
100+9.63 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N FDN327N Виробник : ON Semiconductor fdn327n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+34.55 грн
30+20.22 грн
100+11.49 грн
250+10.26 грн
500+9.33 грн
1000+6.75 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N
Код товару: 176408
Додати до обраних Обраний товар

fdn327n-d.pdf b76c3fc21b1ec8f89a17f22aa73d224d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N FDN327N Виробник : ONSEMI FDN327N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 742 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+34.58 грн
11+26.48 грн
14+20.92 грн
50+16.70 грн
85+12.75 грн
100+11.56 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N FDN327N Виробник : onsemi fdn327n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 423 pF @ 10 V
на замовлення 3755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.52 грн
16+19.11 грн
100+11.15 грн
500+10.31 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N FDN327N Виробник : onsemi / Fairchild fdn327n-d.pdf b76c3fc21b1ec8f89a17f22aa73d224d.pdf MOSFETs N-Ch PowerTrench 1.8 VGS Spec
на замовлення 3349 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.90 грн
15+23.13 грн
100+11.16 грн
1000+10.20 грн
3000+7.41 грн
9000+7.19 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N FDN327N Виробник : ONSEMI 2304103.pdf Description: ONSEMI - FDN327N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 70609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+40.09 грн
50+23.55 грн
100+13.09 грн
500+11.70 грн
1500+10.37 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N Виробник : Fairchild/ON Semiconductor fdn327n-d.pdf b76c3fc21b1ec8f89a17f22aa73d224d.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 2 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 423 @ 10; Qg, нКл = 6,3; Rds = 70 мОм; Ugs(th) = 1,5 В; Р, Вт = 0,5; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = SMD; SSOT-3
на замовлення 2973 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N FDN327N Виробник : UMW b76c3fc21b1ec8f89a17f22aa73d224d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N FDN327N Виробник : ON Semiconductor fdn327n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.