Інші пропозиції FDN327N за ціною від 1.51 грн до 46.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDN327N | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. |
Description: 20V 2A 500MW 70M@4.5V,2A 1.5V@25 |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDN327N | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. |
Description: 20V 2A 500MW 70M@4.5V,2A 1.5V@25 |
на замовлення 926 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDN327N | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDN327N | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 4964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDN327N | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 21985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDN327N | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 27863 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDN327N | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.5W; SuperSOT-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2A Power dissipation: 0.5W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 6.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Technology: PowerTrench® |
на замовлення 1556 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDN327N | onsemi |
MOSFETs N-Ch PowerTrench 1.8 VGS Spec |
на замовлення 52925 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDN327N | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN327N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SuperSOT, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm |
на замовлення 42215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
FDN327N | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN327N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SuperSOT, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 49767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDN327N | Fairchild/ON Semiconductor |
N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 2 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 423 @ 10, Qg, нКл = 6,3, Rds = 70 мОм, Ugs(th) = 1,5 В, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SSOT-3 Од. вим: шткількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 2973 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
| FDN327N |
![]() |
Виробник: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Description: 20V 2A 500MW 70M@4.5V,2A 1.5V@25
Description: 20V 2A 500MW 70M@4.5V,2A 1.5V@25
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 1.89 грн |
| 9000+ | 1.51 грн |
| FDN327N |
![]() |
Виробник: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Description: 20V 2A 500MW 70M@4.5V,2A 1.5V@25
Description: 20V 2A 500MW 70M@4.5V,2A 1.5V@25
на замовлення 926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 34+ | 9.26 грн |
| 52+ | 5.72 грн |
| 73+ | 4.07 грн |
| 100+ | 3.30 грн |
| 500+ | 2.39 грн |
| FDN327N |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 11.75 грн |
| 6000+ | 11.57 грн |
| 9000+ | 11.31 грн |
| 12000+ | 10.65 грн |
| 27000+ | 9.71 грн |
| FDN327N |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2698+ | 13.19 грн |
| FDN327N |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2698+ | 13.19 грн |
| 10000+ | 11.77 грн |
| FDN327N |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2698+ | 13.19 грн |
| 10000+ | 11.77 грн |
| FDN327N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: PowerTrench®
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: PowerTrench®
на замовлення 1556 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 39.99 грн |
| 16+ | 25.91 грн |
| 18+ | 23.03 грн |
| 50+ | 17.83 грн |
| 100+ | 15.85 грн |
| 500+ | 11.55 грн |
| 1000+ | 9.82 грн |
| 1500+ | 8.91 грн |
| FDN327N |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Ch PowerTrench 1.8 VGS Spec
MOSFETs N-Ch PowerTrench 1.8 VGS Spec
на замовлення 52925 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 46.93 грн |
| 15+ | 20.94 грн |
| 100+ | 15.94 грн |
| 500+ | 12.07 грн |
| 3000+ | 8.34 грн |
| FDN327N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN327N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
Description: ONSEMI - FDN327N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 42215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDN327N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN327N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - FDN327N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 49767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDN327N |
![]() |
Виробник: Fairchild/ON Semiconductor
N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 2 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 423 @ 10, Qg, нКл = 6,3, Rds = 70 мОм, Ugs(th) = 1,5 В, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SSOT-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 2 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 423 @ 10, Qg, нКл = 6,3, Rds = 70 мОм, Ugs(th) = 1,5 В, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SSOT-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2973 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.76 грн |






