Продукція > SHENZHEN SLKORMICRO SEMICON CO., LTD. > FDN327N

FDN327N Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.

Name: FDN327N
Brand: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
SKU: 72933303-3
Price: 5910 UAH
Availability: InStock

Виробник: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Description: 20V 2A 500MW 70M@4.5V,2A 1.5V@25
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 222 pF @ 10 V

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	1.97 грн
6000+	1.68 грн
9000+	1.57 грн
15000+	1.36 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис FDN327N Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.

Description: ONSEMI - FDN327N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDN327N за ціною від 2.17 грн до 41.31 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

FDN327N

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2249 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
112+	6.23 грн
121+	5.74 грн

Мінімальне замовлення: 112

В кошику од. на суму грн.

FDN327N

Виробник : onsemi

Description: MOSFET N-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 423 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	7.93 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN327N

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 7990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
44+	8.14 грн

Мінімальне замовлення: 44

В кошику од. на суму грн.

FDN327N

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	8.14 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN327N

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	9.75 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN327N

Виробник : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.

Description: 20V 2A 500MW 70M@4.5V,2A 1.5V@25
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 222 pF @ 10 V

на замовлення 2364 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
34+	9.82 грн
53+	5.99 грн
100+	3.66 грн
500+	2.49 грн
1000+	2.17 грн

Мінімальне замовлення: 34

В кошику од. на суму грн.

FDN327N

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 27098 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2708+	11.18 грн
10000+	9.97 грн

Мінімальне замовлення: 2708

В кошику од. на суму грн.

FDN327N

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 21985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2708+	11.18 грн
10000+	9.97 грн

Мінімальне замовлення: 2708

В кошику од. на суму грн.

FDN327N

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 4964 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2708+	11.18 грн

Мінімальне замовлення: 2708

В кошику од. на суму грн.

FDN327N

Виробник : ONSEMI

Description: ONSEMI - FDN327N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 70609 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	13.49 грн
500+	12.05 грн
1500+	10.69 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDN327N

Виробник : UMW

Description: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 2133 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
15+	22.90 грн
24+	13.47 грн
100+	8.40 грн
500+	5.82 грн
1000+	5.15 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

FDN327N

Виробник : ONSEMI

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level

на замовлення 423 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
13+	33.08 грн
18+	22.37 грн
21+	18.98 грн
50+	13.15 грн
85+	10.95 грн
233+	10.40 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

FDN327N
Код товару: 176408

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN327N

Виробник : onsemi / Fairchild

MOSFETs N-Ch PowerTrench 1.8 VGS Spec

на замовлення 25443 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
10+	35.64 грн
19+	18.70 грн
100+	10.74 грн
500+	10.28 грн
1000+	9.98 грн
3000+	6.65 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

FDN327N

Виробник : onsemi

Description: MOSFET N-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 423 pF @ 10 V

на замовлення 3755 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
9+	37.63 грн
16+	19.69 грн
100+	11.48 грн
500+	10.62 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

FDN327N

Виробник : ONSEMI

на замовлення 423 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

Кількість	Ціна
8+	39.70 грн
11+	27.88 грн
13+	22.78 грн
50+	15.78 грн
85+	13.14 грн
233+	12.48 грн
500+	11.91 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

FDN327N

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
17+	40.96 грн
33+	21.13 грн
100+	13.80 грн
500+	12.71 грн
1000+	11.40 грн
3000+	7.07 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

FDN327N

Виробник : ONSEMI

на замовлення 70609 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
21+	41.31 грн
50+	24.26 грн
100+	13.49 грн
500+	12.05 грн
1500+	10.69 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

FDN327N

Виробник : Fairchild/ON Semiconductor

N-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 2 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 423 @ 10; Qg, нКл = 6,3; Rds = 70 мОм; Ugs(th) = 1,5 В; Р, Вт = 0,5; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = SMD; SSOT-3

на замовлення 2973 шт:

термін постачання 3 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN327N

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN327N

Виробник : UMW

Description: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN327N

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.