FDN327N

FDN327N Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.


fdn327n-d.pdf b76c3fc21b1ec8f89a17f22aa73d224d.pdf Виробник: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Description: 20V 2A 500MW 70M@4.5V,2A 1.5V@25
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 222 pF @ 10 V
на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.96 грн
6000+1.68 грн
9000+1.57 грн
15000+1.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN327N Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.

Description: ONSEMI - FDN327N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDN327N за ціною від 2.17 грн до 50.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDN327N FDN327N Виробник : onsemi fdn327n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 423 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N FDN327N Виробник : ON Semiconductor fdn327n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
44+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N FDN327N Виробник : ON Semiconductor fdn327n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N FDN327N Виробник : ON Semiconductor fdn327n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.75 грн
6000+8.56 грн
12000+8.37 грн
24000+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N FDN327N Виробник : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. fdn327n-d.pdf b76c3fc21b1ec8f89a17f22aa73d224d.pdf Description: 20V 2A 500MW 70M@4.5V,2A 1.5V@25
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 222 pF @ 10 V
на замовлення 2364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+9.80 грн
53+5.97 грн
100+3.66 грн
500+2.48 грн
1000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N FDN327N Виробник : FAIRCHILD fdn327n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2167+11.29 грн
10000+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 2167
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N FDN327N Виробник : ON Semiconductor fdn327n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2167+11.29 грн
10000+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 2167
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N FDN327N Виробник : ON Semiconductor fdn327n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2167+11.29 грн
Мінімальне замовлення: 2167
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N FDN327N Виробник : ONSEMI 2304103.pdf Description: ONSEMI - FDN327N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 70609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.46 грн
500+12.03 грн
1500+10.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N FDN327N Виробник : UMW b76c3fc21b1ec8f89a17f22aa73d224d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.86 грн
24+13.44 грн
100+8.38 грн
500+5.81 грн
1000+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N FDN327N Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF875E74E87E28&compId=FDN327N.pdf?ci_sign=647dba67650dcc6217d7c8ab71a22b7dc59b804a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 524 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+33.86 грн
18+22.80 грн
21+19.42 грн
50+13.36 грн
85+10.85 грн
233+10.30 грн
500+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N FDN327N Виробник : onsemi fdn327n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 423 pF @ 10 V
на замовлення 3755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.55 грн
16+19.65 грн
100+11.46 грн
500+10.60 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N
Код товару: 176408
Додати до обраних Обраний товар

fdn327n-d.pdf b76c3fc21b1ec8f89a17f22aa73d224d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N FDN327N Виробник : onsemi / Fairchild fdn327n-d.pdf b76c3fc21b1ec8f89a17f22aa73d224d.pdf MOSFETs N-Ch PowerTrench 1.8 VGS Spec
на замовлення 26251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+37.86 грн
18+19.87 грн
100+11.09 грн
500+10.56 грн
1000+9.96 грн
3000+6.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N FDN327N Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF875E74E87E28&compId=FDN327N.pdf?ci_sign=647dba67650dcc6217d7c8ab71a22b7dc59b804a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 524 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.63 грн
11+28.41 грн
13+23.30 грн
50+16.04 грн
85+13.02 грн
233+12.36 грн
500+11.89 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N FDN327N Виробник : ON Semiconductor fdn327n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
301+40.69 грн
Мінімальне замовлення: 301
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N FDN327N Виробник : ONSEMI 2304103.pdf Description: ONSEMI - FDN327N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 70609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+41.23 грн
50+24.21 грн
100+13.46 грн
500+12.03 грн
1500+10.67 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N FDN327N Виробник : ON Semiconductor fdn327n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+43.59 грн
28+25.54 грн
100+15.95 грн
500+13.79 грн
1000+11.36 грн
3000+8.70 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N FDN327N Виробник : ON Semiconductor fdn327n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+50.53 грн
24+29.61 грн
100+18.49 грн
500+15.99 грн
1000+13.17 грн
3000+9.18 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N Виробник : Fairchild/ON Semiconductor fdn327n-d.pdf b76c3fc21b1ec8f89a17f22aa73d224d.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 2 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 423 @ 10; Qg, нКл = 6,3; Rds = 70 мОм; Ugs(th) = 1,5 В; Р, Вт = 0,5; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = SMD; SSOT-3
на замовлення 2973 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N FDN327N Виробник : UMW b76c3fc21b1ec8f89a17f22aa73d224d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N FDN327N Виробник : ON Semiconductor fdn327n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.