Продукція > SHENZHEN SLKORMICRO SEMICON CO., LTD. > FDN327N
FDN327N

FDN327N Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.

5399_FDN327N%20SOT-23.pdf Виробник: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Description: 20V 2A 500MW 70M@4.5V,2A 1.5V@25
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 222 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.91 грн
6000+1.63 грн
9000+1.53 грн
15000+1.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN327N Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.

Description: ONSEMI - FDN327N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDN327N за ціною від 2.11 грн до 49.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDN327N FDN327N Виробник : ON Semiconductor fdn327n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
44+8.60 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N FDN327N Виробник : ON Semiconductor fdn327n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N FDN327N Виробник : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. 5399_FDN327N%20SOT-23.pdf Description: 20V 2A 500MW 70M@4.5V,2A 1.5V@25
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 222 pF @ 10 V
на замовлення 1341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+9.50 грн
58+5.82 грн
100+3.55 грн
500+2.41 грн
1000+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N FDN327N Виробник : ON Semiconductor fdn327nd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.43 грн
6000+10.27 грн
9000+10.05 грн
12000+9.46 грн
27000+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N FDN327N Виробник : ON Semiconductor fdn327nd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2698+11.71 грн
Мінімальне замовлення: 2698
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N FDN327N Виробник : ON Semiconductor fdn327nd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2698+11.71 грн
10000+10.45 грн
Мінімальне замовлення: 2698
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N FDN327N Виробник : ON Semiconductor fdn327nd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2698+11.71 грн
10000+10.45 грн
Мінімальне замовлення: 2698
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N FDN327N Виробник : ONSEMI 2304103.pdf Description: ONSEMI - FDN327N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 52199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+14.60 грн
500+13.06 грн
1500+11.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N FDN327N Виробник : UMW b76c3fc21b1ec8f89a17f22aa73d224d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+21.60 грн
26+13.06 грн
100+8.15 грн
500+5.65 грн
1000+5.00 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N FDN327N Виробник : ONSEMI FDN327N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+31.35 грн
20+21.63 грн
23+18.38 грн
50+12.64 грн
100+11.06 грн
500+8.65 грн
1000+8.15 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N FDN327N Виробник : ONSEMI FDN327N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2305 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.62 грн
12+26.95 грн
14+22.06 грн
50+15.17 грн
100+13.28 грн
500+10.38 грн
1000+9.78 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N FDN327N Виробник : ONSEMI 2304103.pdf Description: ONSEMI - FDN327N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 52199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+41.75 грн
50+22.22 грн
100+14.60 грн
500+13.06 грн
1500+11.67 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N FDN327N Виробник : onsemi FDN327N-D.PDF MOSFETs N-Ch PowerTrench 1.8 VGS Spec
на замовлення 3631 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+49.66 грн
13+30.03 грн
100+16.69 грн
500+12.62 грн
1000+11.34 грн
3000+7.75 грн
6000+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N Виробник : Fairchild/ON Semiconductor fdn327n-d.pdf 5399_FDN327N%20SOT-23.pdf b76c3fc21b1ec8f89a17f22aa73d224d.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 2 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 423 @ 10; Qg, нКл = 6,3; Rds = 70 мОм; Ugs(th) = 1,5 В; Р, Вт = 0,5; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = SMD; SSOT-3
на замовлення 2973 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N
Код товару: 176408
Додати до обраних Обраний товар

fdn327n-d.pdf 5399_FDN327N%20SOT-23.pdf b76c3fc21b1ec8f89a17f22aa73d224d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N FDN327N Виробник : onsemi fdn327n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 423 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N FDN327N Виробник : UMW b76c3fc21b1ec8f89a17f22aa73d224d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N FDN327N Виробник : onsemi fdn327n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 423 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N FDN327N Виробник : ON Semiconductor fdn327nd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.