Продукція > EVVO > FDN337N-EV
FDN337N-EV

FDN337N-EV EVVO


5272_FDN337N-EV.pdf
Виробник: EVVO
Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT-23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2574 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+7.82 грн
58+5.27 грн
65+4.64 грн
100+3.65 грн
250+3.33 грн
500+3.13 грн
1000+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN337N-EV EVVO

Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT-23, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±8V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Supplier Device Package: SOT-23, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції FDN337N-EV

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDN337N-EV FDN337N-EV Виробник : EVVO 5272_FDN337N-EV.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT-23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.