Продукція > JSMICRO SEMICONDUCTOR > FDN338P
FDN338P

FDN338P JSMicro Semiconductor

TFDN338p_JSM_JSMICRO_0001.pdf
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 210mOhm; 1,6A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN338P Onsemi; FDN338P JSMICRO TFDN338p JSM
кількість в упаковці: 370 шт
на замовлення 740 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
370+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 370 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN338P JSMicro Semiconductor

Description: ONSEMI - FDN338P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.115 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDN338P за ціною від 2.26 грн до 56.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDN338P FDN338P JSMicro Semiconductor TFDN338p_JSM_JSMICRO_0001.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 210mOhm; 1,6A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN338P Onsemi; FDN338P JSMICRO TFDN338p JSM
кількість в упаковці: 260 шт
на замовлення 260 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
260+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P HUASHUO TFDN338p_HUA_0001.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; REPLACEMENT: AT2301MSA; FDN338P SOT23-3 HUASHUO TFDN338p HUA
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2191 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P HUASHUO TFDN338p_HUA_0001.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; REPLACEMENT: AT2301MSA; FDN338P SOT23-3 HUASHUO TFDN338p HUA
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 809 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P MSKSEMI TFDN338p_MSK_MSKSEMI_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 150mOhm; 2A; 1,56W; -55°C ~ 150°C; FDN338P SOT23 MSKSEMI TFDN338p MSK
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P onsemi fdn338p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 451 pF @ 10 V
на замовлення 19200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.65 грн
6000+9.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P ON Semiconductor fdn338p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 198000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.32 грн
6000+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P ON Semiconductor fdn338p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 198000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.32 грн
6000+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P ONSEMI ONSM-S-A0003584551-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDN338P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.115 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.12 грн
500+15.58 грн
1500+12.90 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P ON Semiconductor fdn338p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+23.57 грн
1114+12.70 грн
3000+12.46 грн
6000+11.89 грн
9000+10.78 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P onsemi / Fairchild FDN338P-D.pdf MOSFETs SSOT-3 P-CH -20V
на замовлення 47820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.69 грн
12+27.56 грн
100+16.49 грн
500+12.48 грн
1000+11.07 грн
3000+8.67 грн
6000+8.32 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P ONSEMI FDN338P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1092 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+43.86 грн
15+29.61 грн
50+20.79 грн
100+17.73 грн
500+12.73 грн
1000+11.28 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P onsemi fdn338p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 451 pF @ 10 V
на замовлення 19431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.16 грн
11+29.32 грн
100+18.84 грн
500+13.42 грн
1000+12.05 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P onsemi fdn338p-d.pdf MOSFETs SSOT-3 P-CH -20V
на замовлення 5209 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.64 грн
11+31.53 грн
100+17.62 грн
500+13.39 грн
1000+11.98 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P ONSEMI fdn338p-d.pdf Description: ONSEMI - FDN338P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.115 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+55.26 грн
50+34.37 грн
100+22.12 грн
500+15.58 грн
1500+12.90 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P ON Semiconductor fdn338p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+56.80 грн
21+36.08 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P ON Semiconductor fdn338p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P TFDN338p_JSM_JSMICRO_0001.pdf
FDN338P
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 210mOhm; 1,6A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN338P Onsemi; FDN338P JSMICRO TFDN338p JSM
кількість в упаковці: 260 шт
на замовлення 260 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
260+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P TFDN338p_HUA_0001.pdf
FDN338P
Виробник: HUASHUO
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; REPLACEMENT: AT2301MSA; FDN338P SOT23-3 HUASHUO TFDN338p HUA
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2191 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
300+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P TFDN338p_HUA_0001.pdf
FDN338P
Виробник: HUASHUO
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; REPLACEMENT: AT2301MSA; FDN338P SOT23-3 HUASHUO TFDN338p HUA
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 809 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
300+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P TFDN338p_MSK_MSKSEMI_0001.pdf
FDN338P
Виробник: MSKSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 150mOhm; 2A; 1,56W; -55°C ~ 150°C; FDN338P SOT23 MSKSEMI TFDN338p MSK
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P fdn338p-d.pdf
FDN338P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 451 pF @ 10 V
на замовлення 19200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+10.65 грн
6000+9.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P fdn338p-d.pdf
FDN338P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 198000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+11.32 грн
6000+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P fdn338p-d.pdf
FDN338P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 198000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+11.32 грн
6000+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P ONSM-S-A0003584551-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDN338P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN338P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.115 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+22.12 грн
500+15.58 грн
1500+12.90 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P fdn338p-d.pdf
FDN338P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
600+23.57 грн
1114+12.70 грн
3000+12.46 грн
6000+11.89 грн
9000+10.78 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P-D.pdf
FDN338P
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SSOT-3 P-CH -20V
на замовлення 47820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
8+41.69 грн
12+27.56 грн
100+16.49 грн
500+12.48 грн
1000+11.07 грн
3000+8.67 грн
6000+8.32 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P.pdf
FDN338P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1092 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
11+43.86 грн
15+29.61 грн
50+20.79 грн
100+17.73 грн
500+12.73 грн
1000+11.28 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P fdn338p-d.pdf
FDN338P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 451 pF @ 10 V
на замовлення 19431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+49.16 грн
11+29.32 грн
100+18.84 грн
500+13.42 грн
1000+12.05 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P fdn338p-d.pdf
FDN338P
Виробник: onsemi
MOSFETs SSOT-3 P-CH -20V
на замовлення 5209 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+51.64 грн
11+31.53 грн
100+17.62 грн
500+13.39 грн
1000+11.98 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P fdn338p-d.pdf
FDN338P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN338P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.115 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
15+55.26 грн
50+34.37 грн
100+22.12 грн
500+15.58 грн
1500+12.90 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P fdn338p-d.pdf
FDN338P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
14+56.80 грн
21+36.08 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P fdn338p-d.pdf
FDN338P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.