Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDN338P
FDN338P

FDN338P ON Semiconductor

fdn338pcn-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN338P ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDN338P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.088 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDN338P за ціною від 1.90 грн до 44.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDN338P FDN338P Виробник : ON Semiconductor fdn338p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.66 грн
6000+9.11 грн
9000+8.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P Виробник : ON Semiconductor fdn338pcn-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
35+10.35 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P Виробник : ON Semiconductor fdn338p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.36 грн
6000+9.77 грн
9000+9.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P Виробник : onsemi fdn338p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 451 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.37 грн
6000+9.55 грн
9000+9.19 грн
15000+8.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P Виробник : ONSEMI fdn338p-d.pdf Description: ONSEMI - FDN338P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.088 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P Виробник : ON Semiconductor fdn338p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.27 грн
6000+11.95 грн
9000+11.64 грн
12000+11.06 грн
27000+10.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P Виробник : ON Semiconductor fdn338p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2266+13.56 грн
10000+12.08 грн
Мінімальне замовлення: 2266
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P Виробник : ON Semiconductor fdn338p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
43+14.38 грн
45+13.54 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P Виробник : ONSEMI fdn338p-d.pdf Description: ONSEMI - FDN338P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.13 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 18560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+19.22 грн
500+14.14 грн
1500+11.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF8C4E96E0DE28&compId=FDN338P.pdf?ci_sign=bb457ed12eae984270616f2c470fdc17c0c2a9cf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 5803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+36.58 грн
17+23.85 грн
50+18.01 грн
79+11.77 грн
218+11.06 грн
3000+10.50 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P Виробник : onsemi fdn338p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 451 pF @ 10 V
на замовлення 16387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.01 грн
12+26.78 грн
100+18.44 грн
500+13.42 грн
1000+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P Виробник : ON Semiconductor fdn338p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+41.95 грн
22+28.21 грн
100+19.92 грн
500+14.35 грн
1000+11.20 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P Виробник : onsemi / Fairchild fdn338p-d.pdf MOSFETs SSOT-3 P-CH -20V
на замовлення 74640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+42.99 грн
13+28.86 грн
100+18.12 грн
500+13.88 грн
1000+11.60 грн
3000+9.33 грн
6000+8.95 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF8C4E96E0DE28&compId=FDN338P.pdf?ci_sign=bb457ed12eae984270616f2c470fdc17c0c2a9cf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5803 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+43.89 грн
10+29.72 грн
50+21.61 грн
79+14.12 грн
218+13.27 грн
3000+12.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P Виробник : ONSEMI fdn338p-d.pdf Description: ONSEMI - FDN338P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.13 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 17975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+44.66 грн
50+29.60 грн
100+19.22 грн
500+14.14 грн
1500+11.74 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P Виробник : ON Semiconductor fdn338p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P Виробник : JSMicro Semiconductor fdn338p-d.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 210mOhm; 1,6A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN338P Onsemi; FDN338P JSMICRO TFDN338p JSM
кількість в упаковці: 370 шт
на замовлення 740 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
370+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 370
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P Виробник : JSMicro Semiconductor fdn338p-d.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 210mOhm; 1,6A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN338P Onsemi; FDN338P JSMICRO TFDN338p JSM
кількість в упаковці: 260 шт
на замовлення 260 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
260+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 260
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P Виробник : HUASHUO fdn338p-d.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; FDN338P SOT23-3 HUASHUO TFDN338p HUA
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2191 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
300+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P Виробник : HUASHUO fdn338p-d.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; FDN338P SOT23-3 HUASHUO TFDN338p HUA
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 809 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
300+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P Виробник : UMW fdn338p-d.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 142mOhm; 2,8A; 400mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN338P Onsemi; FDN338P UMW TFDN338p UMW
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P Виробник : MSKSEMI fdn338p-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 150mOhm; 2A; 1,56W; -55°C ~ 150°C; FDN338P SOT23 MSKSEMI TFDN338p MSK
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P Виробник : ON-Semicoductor fdn338p-d.pdf P-Channel 20V 1.6A (Ta) 500mW (Ta) FDN338P TFDN338p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P Виробник : ON Semiconductor fdn338p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.