FDN338P

FDN338P ON Semiconductor


fdn338pcn-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 105000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN338P ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDN338P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.115 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDN338P за ціною від 1.97 грн до 50.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDN338P FDN338P Виробник : ON Semiconductor fdn338pcn-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
35+10.45 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P Виробник : ON Semiconductor fdn338p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.57 грн
6000+9.52 грн
9000+9.16 грн
24000+7.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P Виробник : ON Semiconductor fdn338p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.29 грн
6000+10.16 грн
9000+9.78 грн
24000+7.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P Виробник : onsemi fdn338p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 451 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P Виробник : ON Semiconductor fdn338p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 237000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.33 грн
6000+10.21 грн
9000+9.81 грн
24000+7.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P Виробник : ONSEMI 2298726.pdf Description: ONSEMI - FDN338P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.115 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P Виробник : ON Semiconductor fdn338p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 237000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.14 грн
6000+10.94 грн
9000+10.51 грн
24000+8.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P Виробник : ON Semiconductor fdn338p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.39 грн
6000+12.06 грн
9000+11.75 грн
12000+11.17 грн
27000+10.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P Виробник : ON Semiconductor fdn338p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 37900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2260+13.73 грн
10000+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 2260
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P Виробник : ON Semiconductor fdn338p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+20.91 грн
35+20.75 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003584551-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDN338P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.115 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+23.19 грн
500+16.35 грн
1500+13.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF8C4E96E0DE28&compId=FDN338P.pdf?ci_sign=bb457ed12eae984270616f2c470fdc17c0c2a9cf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 5203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+35.21 грн
16+26.15 грн
50+18.98 грн
100+16.43 грн
250+13.64 грн
500+11.96 грн
1000+10.61 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF8C4E96E0DE28&compId=FDN338P.pdf?ci_sign=bb457ed12eae984270616f2c470fdc17c0c2a9cf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5203 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.25 грн
10+32.59 грн
50+22.77 грн
100+19.71 грн
250+16.36 грн
500+14.35 грн
1000+12.73 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P Виробник : onsemi / Fairchild FDN338P-D.pdf MOSFETs SSOT-3 P-CH -20V
на замовлення 47820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.28 грн
12+29.93 грн
100+17.91 грн
500+13.55 грн
1000+12.02 грн
3000+9.42 грн
6000+9.03 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P Виробник : ONSEMI fdn338p-d.pdf Description: ONSEMI - FDN338P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.115 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+48.78 грн
50+33.06 грн
100+23.19 грн
500+16.35 грн
1500+13.10 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P Виробник : onsemi fdn338p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 451 pF @ 10 V
на замовлення 5258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.86 грн
11+29.10 грн
100+18.69 грн
500+13.31 грн
1000+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P Виробник : ON Semiconductor fdn338p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+50.65 грн
21+33.90 грн
100+23.03 грн
500+16.69 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P Виробник : ON Semiconductor fdn338p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P Виробник : JSMicro Semiconductor fdn338p-d.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 210mOhm; 1,6A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN338P Onsemi; FDN338P JSMICRO TFDN338p JSM
кількість в упаковці: 370 шт
на замовлення 740 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
370+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 370
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P Виробник : JSMicro Semiconductor fdn338p-d.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 210mOhm; 1,6A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN338P Onsemi; FDN338P JSMICRO TFDN338p JSM
кількість в упаковці: 260 шт
на замовлення 260 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
260+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 260
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P Виробник : HUASHUO fdn338p-d.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; FDN338P SOT23-3 HUASHUO TFDN338p HUA
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2191 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
300+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P Виробник : HUASHUO fdn338p-d.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; FDN338P SOT23-3 HUASHUO TFDN338p HUA
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 809 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
300+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P Виробник : MSKSEMI fdn338p-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 150mOhm; 2A; 1,56W; -55°C ~ 150°C; FDN338P SOT23 MSKSEMI TFDN338p MSK
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+5.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P Виробник : ON-Semicoductor fdn338p-d.pdf P-Channel 20V 1.6A (Ta) 500mW (Ta) FDN338P TFDN338p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+9.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.