FDN338P JSMicro Semiconductor
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 210mOhm; 1,6A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN338P Onsemi; FDN338P JSMICRO TFDN338p JSM
кількість в упаковці: 370 шт
на замовлення 740 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 370+ | 2.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDN338P JSMicro Semiconductor
Description: ONSEMI - FDN338P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.115 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FDN338P за ціною від 2.23 грн до 55.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDN338P | Виробник : JSMicro Semiconductor |
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 210mOhm; 1,6A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN338P Onsemi; FDN338P JSMICRO TFDN338p JSM кількість в упаковці: 260 шт |
на замовлення 260 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDN338P | Виробник : HUASHUO |
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; REPLACEMENT: AT2301MSA; FDN338P SOT23-3 HUASHUO TFDN338p HUA кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 809 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDN338P | Виробник : HUASHUO |
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; REPLACEMENT: AT2301MSA; FDN338P SOT23-3 HUASHUO TFDN338p HUA кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2191 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDN338P | Виробник : MSKSEMI |
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 150mOhm; 2A; 1,56W; -55°C ~ 150°C; FDN338P SOT23 MSKSEMI TFDN338p MSK кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 95 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDN338P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 451 pF @ 10 V |
на замовлення 19200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDN338P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 198000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDN338P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 198000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDN338P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN338P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.115 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3733 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDN338P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 13500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDN338P | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; 0.5W; SuperSOT-3 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.6A Power dissipation: 0.5W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.165Ω Mounting: SMD Gate charge: 6.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 1092 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDN338P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 451 pF @ 10 V |
на замовлення 19431 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDN338P | Виробник : onsemi |
MOSFETs SSOT-3 P-CH -20V |
на замовлення 5209 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDN338P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN338P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.115 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3733 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDN338P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDN338P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |