FDN338P

FDN338P onsemi


fdn338p-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 451 pF @ 10 V
на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.47 грн
6000+9.22 грн
9000+8.78 грн
15000+7.78 грн
21000+7.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN338P onsemi

Description: ONSEMI - FDN338P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.115 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDN338P за ціною від 2.11 грн до 52.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDN338P FDN338P Виробник : ON Semiconductor fdn338p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.95 грн
6000+9.86 грн
9000+9.48 грн
24000+7.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P Виробник : ONSEMI 2298726.pdf Description: ONSEMI - FDN338P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.115 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P Виробник : ON Semiconductor fdn338p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.69 грн
6000+10.53 грн
9000+10.13 грн
24000+7.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P Виробник : ON Semiconductor fdn338p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 237000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.73 грн
6000+10.57 грн
9000+10.16 грн
24000+7.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P Виробник : ON Semiconductor fdn338p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 237000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.57 грн
6000+11.32 грн
9000+10.88 грн
24000+8.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P Виробник : ON Semiconductor fdn338p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.83 грн
6000+12.49 грн
9000+12.17 грн
12000+11.56 грн
27000+10.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P Виробник : ON Semiconductor fdn338p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 37900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2260+14.22 грн
10000+12.68 грн
Мінімальне замовлення: 2260
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P Виробник : ON Semiconductor fdn338p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+21.66 грн
35+21.49 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003584551-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDN338P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.115 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+21.86 грн
500+15.41 грн
1500+12.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P Виробник : onsemi / Fairchild FDN338P-D.pdf MOSFETs SSOT-3 P-CH -20V
на замовлення 47820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.05 грн
12+27.14 грн
100+16.24 грн
500+12.28 грн
1000+10.90 грн
3000+8.54 грн
6000+8.19 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P Виробник : onsemi fdn338p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 451 pF @ 10 V
на замовлення 29782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+45.29 грн
12+26.99 грн
100+17.31 грн
500+12.33 грн
1000+11.06 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P Виробник : ONSEMI fdn338p-d.pdf Description: ONSEMI - FDN338P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.115 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+45.99 грн
50+31.17 грн
100+21.86 грн
500+15.41 грн
1500+12.35 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P Виробник : ON Semiconductor fdn338p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+52.45 грн
21+35.10 грн
100+23.85 грн
500+17.28 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P Виробник : ON Semiconductor fdn338p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P Виробник : JSMicro Semiconductor fdn338p-d.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 210mOhm; 1,6A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN338P Onsemi; FDN338P JSMICRO TFDN338p JSM
кількість в упаковці: 370 шт
на замовлення 740 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
370+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 370
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P Виробник : JSMicro Semiconductor fdn338p-d.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 210mOhm; 1,6A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN338P Onsemi; FDN338P JSMICRO TFDN338p JSM
кількість в упаковці: 260 шт
на замовлення 260 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
260+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 260
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P Виробник : HUASHUO fdn338p-d.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; REPLACEMENT: AT2301MSA; FDN338P SOT23-3 HUASHUO TFDN338p HUA
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2191 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
300+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P Виробник : HUASHUO fdn338p-d.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; REPLACEMENT: AT2301MSA; FDN338P SOT23-3 HUASHUO TFDN338p HUA
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 809 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
300+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P Виробник : UMW fdn338p-d.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 142mOhm; 2,8A; 400mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN338P Onsemi; FDN338P UMW TFDN338p UMW
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+2.85 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P Виробник : MSKSEMI fdn338p-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 150mOhm; 2A; 1,56W; -55°C ~ 150°C; FDN338P SOT23 MSKSEMI TFDN338p MSK
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.