Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDN338P
FDN338P

FDN338P ON Semiconductor

fdn338pcn-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN338P ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDN338P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.088 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDN338P за ціною від 2.05 грн до 45.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDN338P FDN338P Виробник : ON Semiconductor fdn338p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P Виробник : ON Semiconductor fdn338pcn-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
35+9.91 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P Виробник : onsemi fdn338p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 451 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.93 грн
6000+9.14 грн
9000+8.79 грн
15000+8.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P Виробник : ONSEMI fdn338p-d.pdf Description: ONSEMI - FDN338P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.088 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P Виробник : ON Semiconductor fdn338p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P Виробник : ON Semiconductor fdn338p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.16 грн
6000+11.83 грн
9000+11.53 грн
12000+10.95 грн
27000+9.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P Виробник : ON Semiconductor fdn338p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
36+16.80 грн
63+9.67 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P Виробник : ONSEMI fdn338p-d.pdf Description: ONSEMI - FDN338P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.13 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 18560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+18.40 грн
500+13.53 грн
1500+11.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P Виробник : onsemi fdn338p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 451 pF @ 10 V
на замовлення 16387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+39.25 грн
12+25.62 грн
100+17.65 грн
500+12.85 грн
1000+11.13 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P Виробник : ONSEMI fdn338p-d.pdf Description: ONSEMI - FDN338P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.13 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 17975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+42.74 грн
50+28.33 грн
100+18.40 грн
500+13.53 грн
1500+11.23 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P Виробник : ON Semiconductor fdn338p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+43.16 грн
22+27.49 грн
100+17.64 грн
500+12.50 грн
1000+10.74 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P Виробник : onsemi / Fairchild fdn338p-d.pdf MOSFETs SSOT-3 P-CH -20V
на замовлення 109789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.89 грн
12+28.79 грн
100+16.04 грн
500+12.63 грн
1000+11.47 грн
3000+9.07 грн
9000+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P Виробник : ON Semiconductor fdn338p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P Виробник : JSMicro Semiconductor fdn338p-d.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 210mOhm; 1,6A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN338P Onsemi; FDN338P JSMICRO TFDN338p JSM
кількість в упаковці: 370 шт
на замовлення 740 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
370+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 370
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P Виробник : JSMicro Semiconductor fdn338p-d.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 210mOhm; 1,6A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN338P Onsemi; FDN338P JSMICRO TFDN338p JSM
кількість в упаковці: 260 шт
на замовлення 260 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
260+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 260
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P Виробник : HUASHUO fdn338p-d.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; FDN338P SOT23-3 HUASHUO TFDN338p HUA
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 809 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
300+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P Виробник : HUASHUO fdn338p-d.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; FDN338P SOT23-3 HUASHUO TFDN338p HUA
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2191 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
300+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P Виробник : UMW fdn338p-d.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 142mOhm; 2,8A; 400mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN338P Onsemi; FDN338P UMW TFDN338p UMW
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P Виробник : MSKSEMI fdn338p-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 150mOhm; 2A; 1,56W; -55°C ~ 150°C; FDN338P SOT23 MSKSEMI TFDN338p MSK
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+5.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P Виробник : ON-Semicoductor fdn338p-d.pdf P-Channel 20V 1.6A (Ta) 500mW (Ta) FDN338P TFDN338p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+9.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P Виробник : ONSEMI fdn338p-d.pdf FDN338P SMD P channel transistors
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.71 грн
65+16.60 грн
177+15.69 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.